摘要 針對(duì)特定環(huán)境下,在管外壁安裝探頭不便的情況,設(shè)計(jì)了將探頭內(nèi)置在管內(nèi)與流動(dòng)方向平行的超聲波流量測(cè)量方式和相應(yīng)裝置,在計(jì)算時(shí)間差時(shí),采用相關(guān)法計(jì)算時(shí)間差,相關(guān)法本身具有一定的濾波去噪特性,提高了時(shí)間差
摘要 針對(duì)特定環(huán)境下,在管外壁安裝探頭不便的情況,設(shè)計(jì)了將探頭內(nèi)置在管內(nèi)與流動(dòng)方向平行的超聲波流量測(cè)量方式和相應(yīng)裝置,在計(jì)算時(shí)間差時(shí),采用相關(guān)法計(jì)算時(shí)間差,相關(guān)法本身具有一定的濾波去噪特性,提高了時(shí)間差
場(chǎng)效應(yīng)管不僅兼有普通晶體管和電子管的優(yōu)點(diǎn),而且還具備兩者所缺少的優(yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)管具有雙向?qū)ΨQ性,即場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是可以互換的(無(wú)阻尼),一般的晶體管是不容易做到這一點(diǎn)的,電子管是根本不可能達(dá)到這一點(diǎn)
場(chǎng)效應(yīng)晶體管在音響數(shù)字化的今天應(yīng)用范圍越來(lái)越廣。其原理、優(yōu)點(diǎn)和使用常識(shí)在一些工具書及報(bào)刊上已有不少論述,在此不再贅述。本文通過(guò)兩個(gè)容易被發(fā)燒友特別是初學(xué)者所忽略的要點(diǎn)來(lái)說(shuō)明場(chǎng)效應(yīng)管的合理應(yīng)用。目前,應(yīng)
場(chǎng)效應(yīng)晶體管在音響數(shù)字化的今天應(yīng)用范圍越來(lái)越廣。其原理、優(yōu)點(diǎn)和使用常識(shí)在一些工具書及報(bào)刊上已有不少論述,在此不再贅述。本文通過(guò)兩個(gè)容易被發(fā)燒友特別是初學(xué)者所忽略的要點(diǎn)來(lái)說(shuō)明場(chǎng)效應(yīng)管的合理應(yīng)用。目前,應(yīng)
一、定性判斷MOS型場(chǎng)效應(yīng)管的好壞 先用萬(wàn)用表R×10kΩ擋(內(nèi)置有9V或15V電池),把負(fù)表筆(黑)接?xùn)艠O(G),正表筆(紅)接源極(S)。給柵、源極之間充電,此時(shí)萬(wàn)用表指針有輕微偏轉(zhuǎn)。再改用萬(wàn)用表R×1&Omeg
一、用指針式萬(wàn)用表對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行判別(1)用測(cè)電阻法判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電極 根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法:將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1k檔上,任選兩個(gè)
一、用指針式萬(wàn)用表對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行判別(1)用測(cè)電阻法判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電極 根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法:將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1k檔上,任選兩個(gè)
在該放大器電路中.MPF162型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極采用外部電壓偏置,從而能夠很好的控制工作電和獲得好的偏置條件。 620)this.width=620;" onclick="window.open(this.src)" style="cursor:pointer" alt="點(diǎn)擊看大圖" />
主電路還是老一套,因?yàn)槿萘啃?,才用?只IRF360(25A/400V)作為全橋四臂,反饋取樣都還是一樣,主變?nèi)DK/EI70磁心,整流管取IR的肖特基管400A/100V,全波整流。工作頻率110KHz。 所不同的是輸出濾波電感量很大
摘要:文中簡(jiǎn)單介紹了場(chǎng)效應(yīng)管和功率MOS管,并通過(guò)場(chǎng)效應(yīng)管在DX中波發(fā)射機(jī)中實(shí)際應(yīng)用的例子,說(shuō)明了場(chǎng)效應(yīng)管,特別是IR功率MOS管在當(dāng)代大功率中波發(fā)射機(jī)中的應(yīng)用。 關(guān)鍵詞:功率MOSFET;功率放大 1960年貝爾
摘要:文中簡(jiǎn)單介紹了場(chǎng)效應(yīng)管和功率MOS管,并通過(guò)場(chǎng)效應(yīng)管在DX中波發(fā)射機(jī)中實(shí)際應(yīng)用的例子,說(shuō)明了場(chǎng)效應(yīng)管,特別是IR功率MOS管在當(dāng)代大功率中波發(fā)射機(jī)中的應(yīng)用。 關(guān)鍵詞:功率MOSFET;功率放大 1960年貝爾
摘要:數(shù)控恒流源在計(jì)量、半導(dǎo)體、傳感器等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用,針對(duì)目前市場(chǎng)上大部分恒流源產(chǎn)品精度和智能化水平偏低等問(wèn)題,提出了一種增量式PID控制的數(shù)控恒流源設(shè)計(jì)方法。該系統(tǒng)通過(guò)單片機(jī)對(duì)恒流源模塊的輸出進(jìn)行采
摘要:數(shù)控恒流源在計(jì)量、半導(dǎo)體、傳感器等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用,針對(duì)目前市場(chǎng)上大部分恒流源產(chǎn)品精度和智能化水平偏低等問(wèn)題,提出了一種增量式PID控制的數(shù)控恒流源設(shè)計(jì)方法。該系統(tǒng)通過(guò)單片機(jī)對(duì)恒流源模塊的輸出進(jìn)行采
本文將會(huì)廣泛地討論有關(guān)數(shù)字技術(shù)應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換及管理方面的技術(shù)性問(wèn)題,以迎合市場(chǎng)趨勢(shì)及不同市場(chǎng)領(lǐng)域的需求。我們還會(huì)談到這種技術(shù)相對(duì)于模擬控制的應(yīng)用和挑戰(zhàn)。 功率轉(zhuǎn)換屬于功率系統(tǒng) (反饋環(huán)路) 的運(yùn)作,而功