-
常用的MOSFET的擊穿有哪幾種?
mos管也稱場效應管，首先考察一個更簡單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。這個器件有兩個電極，一個是金屬，另一個是extrinsic silicon(外在硅)，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。
-
深入解讀MOS管
MOS管，其英文全稱是MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導體型場效應管。這種管子屬于場效應管的一個分類，即絕緣柵型，因此，它有時也被直接稱為絕緣柵場效應管。在電子電路中，MOS管發(fā)揮著重要的作用，常被應用于放大電路或開關電路的構建中。
-
電機對場效應管(MOS)的關鍵要求
在電機驅動領域，場效應管(MOSFET)作為核心功率器件，其性能直接決定了電機系統(tǒng)的效率、可靠性與控制精度。隨著工業(yè)自動化、新能源汽車、消費電子等領域對電機性能要求的不斷提升，MOSFET 需滿足更為嚴苛的條件。本文將從電氣特性、環(huán)境適應性、可靠性及驅動適配等維度，深入解析電機對 MOSFET 的關鍵要求。
-
MOS 場效應管被靜電擊穿的原因分析
在現代電子技術領域，MOS 場效應管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)憑借其獨特優(yōu)勢，如高輸入阻抗、低噪聲、易于集成等，被廣泛應用于各類電子產品中，從日常的手機、電腦到復雜的工業(yè)控制、通信設備等，都離不開 MOS 場效應管的身影。然而，MOS 場效應管對靜電極為敏感，靜電擊穿問題嚴重影響其性能和可靠性，甚至導致器件永久性損壞，給電子產品的生產、使用和維護帶來諸多困擾。深入探究 MOS 場效應管被靜電擊穿的原因，對提升電子產品質量、降低生產成本、保障設備穩(wěn)定運行具有重要現實意義。
-
e絡盟與美微科簽訂新的全球分銷協(xié)議以投資半導體產品組合
推出各種先進的半導體解決方案
-
場效應管和可控硅有什么區(qū)別？場效應管與三極管有什么區(qū)別
一直以來，場效應管都是大家的關注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在，小編將為大家?guī)韴鲂艿南嚓P介紹，詳細內容請看下文。
-
場效應管常用驅動芯片有哪些？如何估測場效應管放大能力
在這篇文章中，小編將對場效應管的相關內容和情況加以介紹以幫助大家增進對它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內容吧。
-
場效應管和晶閘管有什么區(qū)別？場效應管使用注意事項有哪些
場效應管將是下述內容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對它的相關情況以及信息有所認識和了解，詳細內容如下。
-
場效應管有哪些特點、測量方法？場效應管是如何導通的
以下內容中，小編將對場效應管的相關內容進行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進對場效應管的了解，和小編一起來看看吧。
-
場效應管有哪些作用？場效應管設計時，如何降噪
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)韴鲂艿挠嘘P報道，通過閱讀這篇文章，大家可以對它具備清晰的認識，主要內容如下。
-
場效應管有哪些優(yōu)勢？如何測試場效應管的功能
場效應管將是下述內容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對場效應管的相關情況以及信息有所認識和了解，詳細內容如下。
-
場效應管如何檢測？場效應管防反保護解析
在這篇文章中，小編將為大家?guī)韴鲂艿南嚓P報道。如果你對本文即將要講解的內容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
-
CMOS集成電路性能特點及注意事項詳解
CMOS集成電路采用場效應管,且都是互補結構,工作時兩個串聯(lián)的場效應管總是處于一個管導通,另一個管截止的狀態(tài),電路靜態(tài)功耗理論上為零。實際上,由于存在漏電流,CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個門電路的功耗典型值僅為20mW,動態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時)也僅為幾mW。
-
場效應管的參數
場效應管(Field-Effect Transistor，簡稱FET)作為一種重要的半導體器件，廣泛應用在現代電子技術和集成電路設計中，尤其在低噪聲放大器、開關電路、信號處理及功率轉換等領域扮演著不可或缺的角色。
-
電子設備中場效應管的原理是什么
場效應管(Field Effect Transistor，簡稱FET)是一種重要的半導體器件，廣泛應用于電子設備的各種電路中。它具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區(qū)域寬等優(yōu)點，在放大電路、振蕩電路、開關電路及直流電源等方面均有廣泛的應用。本文將詳細探討場效應管的原理，包括其結構、工作原理、特性及應用等方面。
-
場效應管工作原理詳解
場效應管(Field-Effect Transistor，簡稱FET)是一種重要的半導體器件，屬于電壓控制型的電子元件。它的工作原理基于電場對導電溝道中載流子(電子或空穴)的控制，以此來改變通道中的電流大小。根據導電溝道類型和工作機理的不同，場效應管主要分為結型場效應管(Junction Field-Effect Transistor, JFET)和金屬氧化物半導體場效應管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
-
漏極電壓是什么
漏極電壓(Vds, Drain-to-Source Voltage)是指場效應管中漏極與源極之間的電壓差，通常表示為Vds。它是MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)的一個重要工作參數。
-
場效應管漏集和源集可以反接嗎
場效應管(Field-Effect Transistor，FET)是一種電壓控制型半導體器件，具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍寬等優(yōu)點。在應用中，場效應管的漏集(Drain)和源集(Source)是兩個重要的電極，它們的作用類似于晶體管的集電極和發(fā)射極。
-
Qorvo? 推出D2PAK封裝SiC FET，提升750V電動汽車設計性能
此款750V SiC FET作為Qorvo全新引腳兼容SiC FET系列的首款產品，導通電阻值最高可達60mΩ，非常適合車載充電器、DC/DC轉換器和正溫度系數（PTC）加熱器模塊等電動汽車（EV）類應用。
-
什么是場效應管？它的作用是什么？
以下內容中，小編將對場效應管的相關內容進行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進對場效應管的了解，和小編一起來看看吧。
li1874
grantwen
21ic小喇叭
zyj9490
fansi
askeyes
chencharles72
foxhao1899
EVER21
不愛說話
yingdian6
shuangbang
dcf866553
cdwujinshan
lele4090039
lilijiang2
chen217
liuliuqiu1212
啦啦啦德瑪西亞1
peak0210
