
根據(jù)SEMI World Fab Forecast的最新預(yù)測,晶圓廠建設(shè)支出自2008年來持續(xù)呈現(xiàn)季度負(fù)增長,2009年預(yù)計同比減少56%。從全球來看,建設(shè)支出達(dá)到10年來最低點。然而,該報告的最新數(shù)據(jù)顯示,2009年下半年晶圓廠建設(shè)支出和設(shè)備支出將恢復(fù)增長,并將持續(xù)至2010年。2010年,晶圓廠建設(shè)支出預(yù)計成倍增長,設(shè)備支出也可能增長多達(dá)90%。
存儲器芯片產(chǎn)業(yè)景氣在歷經(jīng)兩年來的大滑坡之後,看來似乎已經(jīng)落底,但未來恐難重拾昔日科技業(yè)金雞母的豐采。 更慘的是,部分分析師認(rèn)為近期存儲器芯片價格上漲,讓迫切需要進(jìn)行的產(chǎn)業(yè)重整工作受阻,使得產(chǎn)業(yè)仍呈現(xiàn)過度
存儲器芯片產(chǎn)業(yè)景氣在歷經(jīng)兩年來的大滑坡之後,看來似乎已經(jīng)落底,但未來恐難重拾昔日科技業(yè)金雞母的豐采。 更慘的是,部分分析師認(rèn)為近期存儲器芯片價格上漲,讓迫切需要進(jìn)行的產(chǎn)業(yè)重整工作受阻,使得產(chǎn)業(yè)仍呈現(xiàn)過度
存儲器芯片產(chǎn)業(yè)景氣在歷經(jīng)兩年來的大滑坡之後,看來似乎已經(jīng)落底,但未來恐難重拾昔日科技業(yè)金雞母的豐采。更慘的是,部分分析師認(rèn)為近期存儲器芯片價格上漲,讓迫切需要進(jìn)行的產(chǎn)業(yè)重整工作受阻,使得產(chǎn)業(yè)仍呈現(xiàn)過度
富士通微電子(上海)有限公司推出兩款新型消費類FCRAM(*1)存儲器芯片-512 Mb(MB81EDS516545)和256 Mb(MB81EDS256545)。這兩款芯片支持DDR SDRAM接口,是業(yè)界首推的將工作溫度范圍擴大至125°C的芯片。富士通微
美國硅谷一家公司19日宣布開發(fā)出一種新技術(shù),并計劃利用它來制造比閃存容量更大、讀寫速度更快的新型存儲器。這家名為“統(tǒng)一半導(dǎo)體”的公司發(fā)布新聞公報說,新型存儲器的單位存儲密度有望達(dá)到現(xiàn)有NAND型閃存芯
半導(dǎo)體及面板設(shè)備大廠應(yīng)用材料總裁麥可史賓林特(Mike Splinter)在昨(13)日新聞發(fā)布會上表示,科技產(chǎn)品需求似乎由谷底回升,且多受益于美國、中國的振興經(jīng)濟方案,隨著半導(dǎo)體廠及面板廠的利用率回升,設(shè)備需求
近日,恒憶半導(dǎo)體(Numonyx)、群聯(lián)電子(PhisonElectronicsCorp.)和海力士(Hynix)宣布三家公司簽署一份合作開發(fā)協(xié)議,三方將按照J(rèn)EDEC新發(fā)布的JEDECeMMC4.4產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn),為下一代managed-NAND解決方案開發(fā)閃存控制器
合成孔徑雷達(dá)信號處理機系統(tǒng)的任務(wù)就是對雷達(dá)回波信號進(jìn)行距離向和方位向的二維數(shù)據(jù)脈沖壓縮,從而得到地面目標(biāo)的高分辨率圖像。該系統(tǒng)是一個實時信號處理系統(tǒng),系統(tǒng)數(shù)據(jù)量大,運算復(fù)雜。該系統(tǒng)A/D轉(zhuǎn)換模塊的采樣率為
基于共享存儲體的多處理器間數(shù)據(jù)交換的幾種方法
DSP作為電子系統(tǒng)中數(shù)字運算的核心,所操作數(shù)據(jù)的正確性是系統(tǒng)正常運行的基本保證。以導(dǎo)航接收機中的DSP應(yīng)用為例,捕獲跟蹤、信號解調(diào)、電文格式轉(zhuǎn)換、多徑抑制、抗干擾等實時任務(wù)每時每刻都在進(jìn)行比特信息的交互。作
基于導(dǎo)航接收機的DSP外設(shè)存儲器行進(jìn)測試技術(shù)
DRAM產(chǎn)業(yè)面對臺灣存儲器公司(TMC)成立,已逐漸接受當(dāng)前事實,尤其現(xiàn)階段資金問題仍相當(dāng)窘迫,各家DRAM廠都開始展開自救運動。存儲器業(yè)者透露,臺塑集團已撥款逾新臺幣100億元,力挺旗下南亞科和華亞科,宣示力拼DRAM
DRAM產(chǎn)業(yè)面對臺灣存儲器公司(TMC)成立,已逐漸接受當(dāng)前事實,尤其現(xiàn)階段資金問題仍相當(dāng)窘迫,各家DRAM廠都開始展開自救運動。存儲器業(yè)者透露,臺塑集團已撥款逾新臺幣100億元,力挺旗下南亞科和華亞科,宣示力拼DRAM
對于FPGA來說,設(shè)計人員可以充分利用其可編程能力以及相關(guān)的工具來準(zhǔn)確估算功耗,然后再通過優(yōu)化技術(shù)來使FPGA設(shè)計以及相應(yīng)的PCB板在功率方面效率更高。 靜態(tài)和動態(tài)功耗及其變化在90nm工藝時,電流泄漏問題對ASIC和
為了配合英特爾不久前剛宣布的Xeon 5500系列處理器的需求問題,三星電子準(zhǔn)備開始50納米的DDR3量產(chǎn)。 DDR3是第3代的同步雙速率存儲器。三星及業(yè)界都相信今年底將成為全球存儲器的主流技術(shù)。但也有些分析師,包括Need
英國科學(xué)家發(fā)現(xiàn),將兩根碳納米管套在一起將能夠最終產(chǎn)生使用二進(jìn)制編碼保存信息所需的“1”或“0”狀態(tài)。(圖片提供:諾丁漢大學(xué)) 自從1958年發(fā)明集成電路以來,計算機產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢就是使硬件體積越變越小。如今,
Ramtron International Corporation宣布其新的并口和串口F-RAM系列增添兩款產(chǎn)品,這些F-RAM器件提供高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件特性。Ramtron的V系列F-RAM產(chǎn)品之最新型款為512Kb FM24V05和1Mb FM24V10,是2
安捷倫科技公司宣布將參加于3月31日、4月2日和4月6-7日舉行的JEDEC閃存峰會。安捷倫是唯一參加此次峰會的測試測量公司。安捷倫存儲器應(yīng)用專家Perry Keller(安捷倫數(shù)字測試事業(yè)部存儲器項目經(jīng)理及JEDEC委員會成員)