
目前最廣泛使用的數(shù)字儲存裝置是硬盤(HDD),但它受歡迎的程度正迅速下滑…數(shù)字數(shù)據(jù)儲存正歷經(jīng)強大的成長態(tài)勢,2016年即已增加到超過10,000艾位元組(Exabyte;EB)或10皆
Kilopass Anti-Fuse NVM OTP IP被瀾起科技采用以瞄準新興市場環(huán)境之新一代機頂盒芯片Kilopass的反熔絲非易失性存儲器OTP IP提供HDMI和條件接收安全密鑰防黑客篡改存儲器,以
隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展,人類已經(jīng)進入了超深亞微米時代。先進的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個大規(guī)模的芯片上
與其他DSP器件相比,ADAU146x系列具有無與倫比的并行處理性能、靈活性和系統(tǒng)可擴展性。經(jīng)濟高效的150 MHz和300 MHz DSP內(nèi)核為系統(tǒng)設(shè)計人員提供了另一種選擇,以滿足傳統(tǒng)應(yīng)
2017年的存儲器芯片價格是漲翻了,無論是DRAM或是各式快閃存儲器全部都漲,全球前十大半導(dǎo)體廠商中,有5家從事存儲器芯片的設(shè)計與制造業(yè)務(wù),產(chǎn)值都水漲船高,基本上都是美國
根據(jù)市調(diào)機構(gòu)IC Insights最新研究顯示,在1978年至2012年的34年間,DRAM每位元(bit)價格平均每年下跌33%。然而,從2012年到2017年,DRAM平均每位元價格下跌僅為每年3%。此外,2017年全年DRAM價格漲幅達到47%,是自1978年以來最大的年度漲幅,超過了1988年30年前的45%漲幅。
與其他DSP器件相比,ADAU146x系列具有無與倫比的并行處理性能、靈活性和系統(tǒng)可擴展性。經(jīng)濟高效的150 MHz和300 MHz DSP內(nèi)核為系統(tǒng)設(shè)計人員提供了另一種選擇,以滿足傳統(tǒng)應(yīng)
2018年2月7日,威剛推出一款適用于臺式機、小型計算機、工業(yè)計算機的SATA 7針存儲器——ISMS331,該存儲器體積非常小巧,僅普通U盤大小。
記憶體儲存研究(DRAMeXchange)指出,記憶體價格連漲六季,數(shù)家中國智慧機品牌不堪成本壓力,去年中國對三星半導(dǎo)體表達不滿,進一步造成第1季行動式記憶體漲幅收斂。
12月2-6日,第63屆國際電子器件大會(International Electron Devices Meeting, IEDM)在美國加州舊金山舉行,清華大學(xué)微納電子系吳華強課題組的2篇文章入選其列,分別題為&
存儲器產(chǎn)品主要包括DRAM內(nèi)存和FLASH閃存。從歷史發(fā)展經(jīng)驗來看,存儲器產(chǎn)業(yè)是一個周期波動的產(chǎn)業(yè),同時也是一個高度壟斷和高風(fēng)險的產(chǎn)業(yè)。2016年12月底總投資240億美元的長江
隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展,人類已經(jīng)進入了超深亞微米時代。先進的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個大規(guī)模的芯片上
物聯(lián)網(wǎng)(IoT)通過廣泛的應(yīng)用,如智能家庭,智能樓宇,智能工廠以及智慧城市,將所有的設(shè)備和人們彼此互聯(lián)互通,因而具備了驅(qū)動價值數(shù)萬億美金應(yīng)用的巨大潛力。摩爾定律在開創(chuàng)更快速、更小巧、更低廉的設(shè)備方面仍然發(fā)揮著作用。其它先進技術(shù),諸如可以將各種微小的傳感器和基于云端應(yīng)用互聯(lián)的低功耗、低成本的通信系統(tǒng),開創(chuàng)了從信息共享方式中收獲頗豐的新型商業(yè)模式。然而,這也面臨著諸多障礙。
目前最廣泛使用的數(shù)字儲存裝置是硬盤(HDD),但它受歡迎的程度正迅速下滑…數(shù)字數(shù)據(jù)儲存正歷經(jīng)強大的成長態(tài)勢,2016年即已增加到超過10,000艾位元組(Exabyte;EB)或10皆
國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)3日提出,繼移動裝置后,物聯(lián)網(wǎng)、車用、第五代移動通訊(5G )擴增實境(AR)/虛擬實境(VR)及人工智慧(AI)將為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中長期發(fā)展五大驅(qū)動力。為迎相關(guān)應(yīng)用,存儲器廠積極擴增產(chǎn)能,并以儲存型(NAND Flash)為主要爭戰(zhàn)焦點。
Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲器,為固態(tài)大容量存儲的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大,改寫速度快等優(yōu)點,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而越來越廣泛地應(yīng)用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機、云端存儲資料庫等業(yè)界各領(lǐng)域。
STC89C52RC是STC公司生產(chǎn)的一種低功耗、高性能CMOS8位微控制器,具有8K字節(jié)系統(tǒng)可編程Flash存儲器。STC89C52使用經(jīng)典的MCS-51內(nèi)核,但是做了很多的改進使得芯片具有傳統(tǒng)51單
如今,我們電腦上常用的存儲設(shè)備容量基本都是幾百G。即便是小巧的MP3播放器和其他手持設(shè)備,通常都是好幾G。但在幾十年前,這么大的存儲量只能在科幻小說中出現(xiàn)。有時候,我
Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲器,為固態(tài)大容量存儲的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大,改寫速度快等優(yōu)點,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而越來越廣泛地應(yīng)用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機、云端存儲資料庫等業(yè)界各領(lǐng)域。
三星即將在 12 月 19 日舉行的一年兩次“全球戰(zhàn)略會議”上,由接任三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)負責(zé)人的金奇南(Kim Ki-nam)宣布,未來三星在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上將強化在非存儲器的