存儲器產(chǎn)品主要包括DRAM內(nèi)存和FLASH閃存。從歷史發(fā)展經(jīng)驗來看，存儲器產(chǎn)業(yè)是一個周期波動的產(chǎn)業(yè)，同時也是一個高度壟斷和高風險的產(chǎn)業(yè)。2016年12月底總投資240億美元的長江存儲國家存儲器基地正式開工建設(shè)，同時福建晉華和合肥長芯等存儲器項目也正在積極籌備和建設(shè)當中。在我國將發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)作為國家戰(zhàn)略的大背景下，考慮到存儲器產(chǎn)業(yè)本身的周期波動和不確定性，以及長期大投入、高風險特性，研究認為，盡快建立并完善行業(yè)定期監(jiān)測分析和預警機制，無論從國家層面還是從產(chǎn)業(yè)層面，都是一件非常有意義的事情。

存儲器周期波動和行業(yè)壟斷

存儲器產(chǎn)業(yè)的周期波動，是由市場供需關(guān)系的失衡而造成的。從需求方面來看，存儲器是電子產(chǎn)品中的主要組成部分，市場需求量巨大，2015年全球存儲器銷售額為772億美元，占半導體產(chǎn)品23%的比重，同時其市場需求受宏觀經(jīng)濟形勢、主流電子產(chǎn)品、季節(jié)促銷等因素影響較大。從供給方面來看，存儲器是高度標準化的產(chǎn)品，而且在電子產(chǎn)品中成本占比較高，因而系統(tǒng)整機用戶對存儲器價格非常敏感、忠誠度較低，存儲器企業(yè)必須不斷通過采用更先進的生產(chǎn)工藝，并擴大生產(chǎn)規(guī)模來降低產(chǎn)品成本。一旦市場上出現(xiàn)供給大于需求的情況，將造成存儲器產(chǎn)品平均價格的大幅下跌。極端情況下如2008年1Gb容量的DDR2 667MHz內(nèi)存顆粒價格，曾從高點時的2.29美元下滑75%并跌至0.58美元，低于生產(chǎn)成本。而最近從2016年下半年開始，全球內(nèi)存和閃存又由于缺貨而價格大幅上漲。市場供需關(guān)系的周期性失衡，導致了存儲器產(chǎn)業(yè)的周期性劇烈波動。

存儲器產(chǎn)業(yè)的周期波動和高風險性，使得不少存儲器生產(chǎn)企業(yè)在過程中逐漸被淘汰，產(chǎn)業(yè)集中度越來越高。目前在DRAM領(lǐng)域，三星、SK海力士、美光三家加起來的市場份額超過了90%，同時在產(chǎn)能規(guī)模方面三星達到了40萬片/月，SK海力士30萬片/月，美光33萬片/月。在NANDFLASH領(lǐng)域，三星、東芝/閃迪、美光/英特爾、SK海力士幾乎瓜分了全部市場，同時產(chǎn)能規(guī)模方面東芝/閃迪達到了49萬片/月，三星40萬片/月，美光/英特爾27萬片/月，SK海力士21萬片/月。上述幾家企業(yè)不但在市場份額上占據(jù)領(lǐng)先優(yōu)勢，同時還把持著核心專利技術(shù)。

雖然此前各大存儲器企業(yè)在產(chǎn)能擴張和出貨量上均有所克制，但隨著我國存儲器生產(chǎn)線建設(shè)的推進，這些企業(yè)也正在積極進入產(chǎn)能擴張模式。美光2015年擴建的Fab10x產(chǎn)線已于2016年投產(chǎn)，英特爾升級改造的大連Fab68產(chǎn)線和三星新建的Fab17和Fab18都將于2017年投入量產(chǎn)。另外東芝和SK海力士也都已宣布在2017年開工建設(shè)新的生產(chǎn)線。在下游電子產(chǎn)品市場需求沒有明顯改善的情況下，這給未來幾年全球存儲器產(chǎn)業(yè)的前景增加了新的不確定性，同時也給我國存儲器及下游產(chǎn)業(yè)帶來了新的挑戰(zhàn)。

存儲器周期波動對我國相關(guān)產(chǎn)業(yè)的影響

首先存儲器周期波動將直接沖擊國內(nèi)存儲芯片制造企業(yè)。當前三星等全球領(lǐng)先廠商，DRAM已經(jīng)進入了18納米時代，3D NAND FLASH也正在進入64層量產(chǎn)階段。而對我國存儲器廠商來說，目前尚處于剛剛起步的階段，一方面需要快速突破生產(chǎn)工藝技術(shù)的自主研發(fā)并解決專利授權(quán)問題，另外一方面則需要在相當長的一段時間內(nèi)，承受產(chǎn)能未達經(jīng)濟規(guī)模就要面臨與全球優(yōu)勢企業(yè)競爭的巨大壓力。存儲器產(chǎn)品的價格波動，將直接影響到我國存儲芯片企業(yè)的經(jīng)營狀況。從產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷史來看，產(chǎn)能擴張和價格戰(zhàn)一直都是全球存儲器行業(yè)的主旋律，未來仍亦將如此。而且有一點可以確定的是，目前三星等國外企業(yè)實際上已經(jīng)做好了未來幾年打價格戰(zhàn)的前期準備工作。

其次存儲器周期波動將影響到設(shè)計企業(yè)主芯片方案的競爭力。由于DRAM和FLASH等存儲芯片在系統(tǒng)整機產(chǎn)品中所占價值比重較大，因而存儲器的選型將直接影響到主芯片方案的BOM成本競爭力?？紤]到存儲器市場的波動情況，芯片設(shè)計企業(yè)在做產(chǎn)品規(guī)劃時，一方面需要準確掌握存儲器的產(chǎn)品技術(shù)演進路線，另一方面還需要對主芯片支持的存儲接口方案進行充分論證，如內(nèi)存類型、內(nèi)存位寬、最大和最小內(nèi)存容量等，避免因存儲器不匹配而增加整機BOM成本，從而導致主芯片競爭力的降低。

另外存儲器周期波動還將嚴重影響到系統(tǒng)整機企業(yè)、分銷商和芯片設(shè)計企業(yè)的庫存和備貨。尤其是對手機領(lǐng)域如聯(lián)發(fā)科、展訊等提供Turnkey解決方案的芯片企業(yè)來說，影響更為巨大。這些企業(yè)需要提前備齊整機產(chǎn)品所需的所有元器件的用料，一般情況下芯片原廠、分銷商/代理商、系統(tǒng)整機企業(yè)均各備一個月的貨。存儲器產(chǎn)品價格的劇烈波動，大幅增加了這些企業(yè)的備貨風險。例如在功能機時代，某手機芯片企業(yè)曾提前囤積了大量的套片和512MB DRAM+256MB FLASH MCP芯片，但由于出貨時市場主流配置變成了1GB DRAM和512MB FLASH，同時加上存儲器企業(yè)清理庫存和轉(zhuǎn)產(chǎn)，造成了512MB DRAM和256MB FLASH芯片顆粒價格暴跌，結(jié)果大量的套片和存儲芯片積壓在該手機芯片企業(yè)手中，最終只能大幅虧損清理出去。這也從側(cè)面說明了主芯片原廠、存儲器原廠及產(chǎn)業(yè)上下游之間建立順暢信息渠道的重要性。

建立并完善存儲器行業(yè)預警機制迫在眉睫

凡事預則立，不預則廢。目前我國存儲器產(chǎn)業(yè)正處于建設(shè)期，長江存儲國家存儲器基地已正式啟動，福建晉華和合肥長芯等也正在籌建當中。在我國將發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)作為國家戰(zhàn)略的大背景下，考慮到存儲器產(chǎn)業(yè)本身的周期波動和不確定性，以及長期大投入和高風險特性，研究認為，我國需盡快建立并完善存儲器行業(yè)預警機制。

構(gòu)建和完善我國存儲器行業(yè)預警機制的基本思路是：積極鼓勵行業(yè)相關(guān)企業(yè)加強溝通協(xié)作，依托國內(nèi)行業(yè)研究機構(gòu)或者自愿承擔行業(yè)服務的企業(yè)，按照自愿加入原則，吸引系統(tǒng)整機廠商、代理商和分銷商、芯片廠商等產(chǎn)業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)的參與，充分發(fā)揮行業(yè)上下游信息資源共享優(yōu)勢，形成對全球存儲器行業(yè)的定期監(jiān)測、分析判斷和預警機制，為行業(yè)及相關(guān)企業(yè)決策提供支撐依據(jù)。其中，尤其要注重發(fā)揮一些中小型專業(yè)元器件代理商和分銷商的作用，這些企業(yè)是連接主芯片、存儲器、系統(tǒng)整機企業(yè)的重要橋梁，對市場和產(chǎn)品技術(shù)相當了解，并掌握了大量最新的、第一手的行情信息。

在國家戰(zhàn)略層面，該機制可以幫助政府更全面和更精準的掌握全球存儲器行業(yè)的最新變化，從而引導我國存儲器產(chǎn)業(yè)形成更為有效的市場化運作，并在一定程度上防止少數(shù)企業(yè)或者企業(yè)聯(lián)盟密謀操縱存儲器市場價格，營造高效、公平、競爭的市場環(huán)境。[!--empirenews.page--]

在產(chǎn)業(yè)層面，該機制可以幫助我國存儲芯片生產(chǎn)企業(yè)、芯片設(shè)計企業(yè)、系統(tǒng)整機企業(yè)等產(chǎn)業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)，建立順暢的行業(yè)價值信息共享和溝通渠道，提前預見黑天鵝事件的發(fā)生，并采取相應的應對措施，以降低存儲器產(chǎn)品價格波動帶來的企業(yè)運營風險。