
關(guān)鍵字: 供應(yīng)商 十億美元俱樂部 芯片制造商 根據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù),在2010年預(yù)計會有9家公司進入10億美元資本開銷俱樂部。 根據(jù)該公司的研究,盡管現(xiàn)在芯片制造商越來越少,也在控制資本開銷,但相比之下200
2010年1月農(nóng)歷春節(jié)前的補貨行情落空,DRAM價格大跌,所幸NANDFlash價格比預(yù)期強勢,存儲器模塊廠1月營收可望維持平穩(wěn),與2009年12月相較,呈現(xiàn)小漲或小跌的局面,整體第1季營收受到2月農(nóng)歷過年工作天數(shù)減少影響,而呈
三星電子一位副總經(jīng)理跳樓自殺身亡。這位高層是三星電子芯片部門的開發(fā)專家。據(jù)首爾江南警察署1月26日稱,當天上午10時30分許,三星電子副總經(jīng)理李某的尸體在首爾江南區(qū)的一處公寓被發(fā)現(xiàn)。警方稱:“目前推定李
存儲器大廠Micron以50:50比例與澳大利亞OriginEnergy公司組成合資的光伏技術(shù)公司。 至此關(guān)于合資公司的細節(jié)未能透露。2009年5月Micron曾準備化500萬美元來促進LEDSolar方面的嘗試。 該項目執(zhí)行總經(jīng)理AndrewStoc
由于系統(tǒng)帶寬不斷的增加,因此針對更高的速度和性能,設(shè)計人員對存儲技術(shù)進行了優(yōu)化。下一代雙數(shù)據(jù)速率(DDR)SDRAM芯片是DDR3 SDRAM。 DDR3 SDRAM具有比DDR2更多的優(yōu)勢。這些器件的功耗更低,能以更高的速度工作,有更高的性能(2倍的帶寬),并有更大的密度。
為了滿足多房間觀看電視和多頻道欣賞的要求,可通過DDR2和PCI連接多個DM6467數(shù)字媒體處理器,以在不同設(shè)備間交換數(shù)據(jù),并確保架構(gòu)的可擴展性。
全球DRAM市場正加速進行世代交替,DDR3芯片因缺貨使得價格持續(xù)上漲,DDR2價格卻嚴重下跌,且累積庫存越來越多,近期韓系DRAM大廠開始祭出買DDR3模塊必須搭配買DDR2模塊的搭售策略,希望系統(tǒng)廠和模塊廠不要只購買DDR3
全球DRAM市場正加速進行世代交替,DDR3芯片因缺貨使得價格持續(xù)上漲,DDR2價格卻嚴重下跌,且累積庫存越來越多,近期韓系DRAM大廠開始祭出買DDR3模塊必須搭配買DDR2模塊的搭售策略,希望系統(tǒng)廠和模塊廠不要只購買DDR3
DDR2和DDR31月上旬合約價走勢迥異,DDR2合約價大跌,DDR3卻大漲,凸顯世代交替已提前來臨,將加速DDR2需求急速降溫,快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上,近期臺系DRAM廠紛搶著將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到DDR3,尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶和
DDR2和DDR3 1月上旬合約價走勢迥異,DDR2合約價大跌,DDR3卻大漲,凸顯世代交替已提前來臨,將加速DDR2需求急速降溫,快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上,近期臺系 DRAM廠紛搶著將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到DDR3,尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶
存儲器通常包括DRAM,NAND,NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類,DRAM及閃存類。由于其兩大特征,能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場面寬,使其半導(dǎo)體業(yè)中有獨特的地位。業(yè)界有人稱它為半導(dǎo)體業(yè)的風向標??v觀DRAM發(fā)展的歷史,
2010年存儲器產(chǎn)業(yè)熱度急速升溫,許多熬過景氣低潮期但口袋空空的存儲器大廠,紛積極募資搶錢,而最直接方式便是向下游存儲器模塊廠借錢,未來再以貨源抵債,近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達1億美元金援,
2010年存儲器產(chǎn)業(yè)熱度急速升溫,許多熬過景氣低潮期但口袋空空的存儲器大廠,紛積極募資搶錢,而最直接方式便是向下游存儲器模塊廠借錢,未來再以貨源抵債,近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達1億美元金援,
由于存儲器市場需求上升,但是投資顯得嚴重不足,所以今年可能出現(xiàn)供不應(yīng)求局面。按ICInsight數(shù)據(jù),在2007年存儲器投資達323億美元,而在2009年為68億美元,預(yù)計2010年為144億美元。Bill McClean認為即便存儲器投資1
Maxim推出集成MTP (多次可編程)存儲器的10位gamma校準基準系統(tǒng)MAX9672/MAX9673/MAX9674。器件省去了數(shù)字可變電阻、VCOM放大器、gamma緩沖器、電阻串和高壓線性穩(wěn)壓器等多個分立元件,極大地降低了方案成本。Maxim的M
哈哈,前一個項目終于完成了,費了那么多天的勁,確實也找到了一些設(shè)計上的缺陷和不合理的地方,在代碼中也找到了幾個BUG.呵呵. 現(xiàn)在將我在FPGA部分設(shè)計的一點心得記錄下來. 故障情況: 外部EEPROM存儲器在設(shè)備上電過程
芯片設(shè)計的進度經(jīng)常估不準,連帶影響芯片的開發(fā)成本、芯片的上市時間、及上市后的銷售。許多芯片投制商(ASIC Supplier)會用總項目管理數(shù)據(jù)庫來估算芯片投制設(shè)計的進度。同時絕大多數(shù)的進度估算都認為,投制設(shè)計完成
摘 要: 新型超大容量Flash存儲器K9F2G08U0M的基本組織結(jié)構(gòu),給出了存儲器與C8051F020單片機外部存儲器接口(EMIF)的硬件連接方式以及存儲器的主要操作流程和部分C語言代碼。關(guān)鍵詞: K9F2G08U0M 外部存儲器接口 管道
按ICInsight的觀點必須依重組經(jīng)濟的思維來看待全球IC產(chǎn)業(yè)的前景。 僅僅12個月IC產(chǎn)業(yè)結(jié)束了歷史上最動蕩的季度業(yè)績變化。ICInsight總裁BillMaClean指出,當2008Q4和2009Q1時IC出貨量達到創(chuàng)記錄的季度最低值時,此后的
摘要:就閃存應(yīng)用于星載大容量存儲器時的寫入速度慢、存在無效塊等關(guān)鍵問題探討了可行性解決方案,并在方案討論的基礎(chǔ)上論述了一個基于閃存的大容量存儲器的演示樣機的實現(xiàn)。 無效塊空間飛行器的數(shù)據(jù)記錄設(shè)備是