存儲器
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TrendForce集邦咨詢: 存儲器漲勢加劇終端售價壓力，2026年全球手機產(chǎn)量恐面臨下行風險
Feb. 11, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新智能手機研究，2026年全球手機生產(chǎn)表現(xiàn)受存儲器價格高漲影響，恐呈現(xiàn)10%的年衰退，總量約降至11.35億支。然而，存儲器漲勢未歇，加劇終端售價與消費者期望之間的差距，恐導(dǎo)致終端需求更加疲弱。因此，TrendForce集邦咨詢進一步預(yù)測在悲觀情境(bear-case scenario)下，今年全球手機生產(chǎn)年減幅度將擴大至15%或更高;各品牌因產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、區(qū)域布局不同，受沖擊程度也將有所差異。
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TrendForce集邦咨詢：AI帶動超級循環(huán)，存儲器產(chǎn)值攀升至晶圓代工2 倍以上
Feb. 9, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新數(shù)據(jù)顯示，受惠于AI浪潮的推升，存儲器與晶圓代工產(chǎn)值均將在2026年同步創(chuàng)下新高。存儲器產(chǎn)業(yè)受供給吃緊與價格飆升影響，產(chǎn)值規(guī)模大幅擴張至 5,516 億美元。盡管晶圓代工產(chǎn)值同步創(chuàng)下 2,187 億美元的新高紀錄，但存儲器產(chǎn)值規(guī)模已攀升至晶圓代工的 2 倍以上。
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2026年第一季度存儲器價格全面上漲！多品類增幅創(chuàng)歷史新高
2月3日消息，TrendForce集邦咨詢發(fā)布最新存儲器產(chǎn)業(yè)研報顯示，受AI與數(shù)據(jù)中心需求持續(xù)激增推動，全球存儲器市場供需失衡加劇，2026年第一季度(Q1)DRAM、NAND Flash各類產(chǎn)品價格全面大幅上漲，多個細分品類季增幅度創(chuàng)下歷史新高，且不排除后續(xù)進一步上修的可能。
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TrendForce集邦咨詢: 2026年第一季度存儲器價格全面上漲，各類產(chǎn)品季增幅度將創(chuàng)歷史新高
Feb. 2, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新存儲器產(chǎn)業(yè)調(diào)查，2026年第一季AI與數(shù)據(jù)中心需求持續(xù)加劇全球存儲器供需失衡，原廠議價能力有增無減，TrendForce集邦咨詢據(jù)此全面上修第一季DRAM、NAND Flash各產(chǎn)品價格季成長幅度，預(yù)估整體Conventional DRAM合約價將從一月初公布的季增55-60%，改為上漲90-95%，NAND Flash合約價則從季增33-38%上調(diào)至55-60%，并且不排除仍有進一步上修空間。
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TrendForce集邦咨詢: 存儲器、面板、貴金屬漲價影響電視品牌獲利，2026年全球出貨量恐下調(diào)
Jan. 29, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新電視出貨調(diào)查，2026年電視產(chǎn)業(yè)面臨存儲器、面板、貴金屬價格同時上漲，生產(chǎn)成本隨之攀高，品牌在獲利與市占間的拉鋸將更加明顯，預(yù)估全年電視出貨量將由先前預(yù)計的年減0.3%，下調(diào)至年減0.6%，降至約1億9,481萬臺。此外，因現(xiàn)有成本結(jié)構(gòu)已難以支撐過往的低價策略，新機種零售價調(diào)漲已勢在必行。
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TrendForce集邦咨詢: 受CPU、存儲器價格同步上漲壓力，預(yù)估2026年第一季度筆電出貨量將季減14.8%
Jan. 26, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新筆電產(chǎn)業(yè)調(diào)查，全球筆電品牌自2025年下半年起面臨存儲器價格顯著上漲的壓力，2026年初開始，又遭遇CPU階段性供給缺口、價格調(diào)漲的壓力，加上包括PCB、電池、電源管理IC等零部件成本同步上行，預(yù)估將導(dǎo)致2026年第一季全球筆電出貨季減14.8%，恐難符合品牌原先預(yù)期。
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TrendForce集邦咨詢: AI運算架構(gòu)升級推升存儲器市場產(chǎn)值有望于2027年再創(chuàng)高峰，預(yù)估年增率超過50%
Jan. 22, 2026 ---- 根據(jù)全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新研究，AI的創(chuàng)新帶來市場結(jié)構(gòu)性變化，數(shù)據(jù)的存取量持續(xù)擴大，除了依賴高帶寬、大容量且低延遲的DRAM產(chǎn)品配置，以支撐大型模型參數(shù)存取、長序列推理與多任務(wù)并行運作之外，NAND Flash也是高速數(shù)據(jù)流動的關(guān)鍵基礎(chǔ)元件，因此存儲器已成為AI基礎(chǔ)架構(gòu)中不可或缺的關(guān)鍵資源，更成為CSP的兵家必爭之地。在有限的產(chǎn)能之下必須達成更多的分配，帶動報價不斷上漲，連帶使得整體存儲器產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值逐年創(chuàng)高，預(yù)估2026年達5,516億美元，2027年則將再創(chuàng)高峰達8,427億美元，年增53%。
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磁阻隨機存取存儲器(MRAM)的新型存儲技術(shù)
在人工智能、自動駕駛、邊緣計算等新興應(yīng)用的驅(qū)動下，計算系統(tǒng)對存儲體系的速度、功耗與穩(wěn)定性提出了更高要求。傳統(tǒng)由SRAM、DRAM構(gòu)成的高速緩存層級，因易失性、高功耗、集成度瓶頸等問題，逐漸難以滿足“后DRAM時代”的發(fā)展需求。磁阻隨機存取存儲器(MRAM)作為兼具高速、低功耗與非易失性的新型存儲技術(shù)，憑借其獨特的技術(shù)優(yōu)勢，正成為重構(gòu)各級高速緩存架構(gòu)的理想候選方案，為存儲體系變革注入新活力。
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新型RAM借力超容技術(shù)實現(xiàn)斷電數(shù)據(jù)永存，存儲領(lǐng)域迎來革命性突破
在數(shù)字時代，存儲器是電子設(shè)備的核心基石，而數(shù)據(jù)在斷電后的存續(xù)能力與訪問效率，始終是行業(yè)追求的核心目標。傳統(tǒng)隨機存取存儲器(RAM)雖具備高速讀寫優(yōu)勢，卻因易失性缺陷，斷電后數(shù)據(jù)即刻丟失，需依賴額外存儲介質(zhì)備份;非易失性存儲器如Flash、EEPROM雖能保存數(shù)據(jù)，卻存在讀寫速度慢、擦寫壽命短等瓶頸。如今，新型RAM融合超級電容(超容)技術(shù)與創(chuàng)新存儲原理，成功打破這一固有矛盾，實現(xiàn)斷電時數(shù)據(jù)安全留存，為存儲領(lǐng)域帶來顛覆性變革。
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冠捷半導(dǎo)體(SST)與聯(lián)華電子(UMC)宣布28納米SuperFlash?第四代車規(guī)1級平臺即日投產(chǎn)
SST創(chuàng)新的ESF4技術(shù)結(jié)合UMC 28HPC+工藝，為汽車控制器提供完整的車規(guī)1級性能與可靠性，同時大幅減少掩模工序
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TrendForce集邦咨詢: 新機調(diào)價抑制銷售需求，2026年第二季度起智能手機生產(chǎn)承壓明顯
Jan. 15, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新智能手機研究，自2025年下半年起，手機市場面臨存儲器供給吃緊、價格飆漲的雙重壓力，導(dǎo)致終端產(chǎn)品價格上調(diào)、需求轉(zhuǎn)弱等連鎖反應(yīng)。盡管各品牌目前尚未顯著下修2026年第一季生產(chǎn)計劃，但預(yù)估在此輪新機不堪成本壓力而進行終端售價調(diào)漲的影響下，品牌生產(chǎn)表現(xiàn)將于第二季開始明顯走弱。
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超詳細解析：數(shù)字射頻存儲器（DRFM）在電子戰(zhàn)中的應(yīng)用
在信息化戰(zhàn)爭形態(tài)加速演變的背景下，電子戰(zhàn)系統(tǒng)正經(jīng)歷從傳統(tǒng)信號對抗向智能認知戰(zhàn)的跨越式發(fā)展。數(shù)字射頻存儲器(Digital Radio Frequency Memory, DRFM)作為第三代電子戰(zhàn)技術(shù)的核心器件，其通過將射頻信號數(shù)字化存儲與實時處理的能力，徹底改變了傳統(tǒng)電子戰(zhàn)裝備的戰(zhàn)術(shù)應(yīng)用模式。
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TrendForce集邦咨詢: 原廠產(chǎn)能傾向Server應(yīng)用，2026年第一季度各類存儲器產(chǎn)品價格全面持續(xù)上漲
根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2026年第一季由于DRAM原廠大規(guī)模轉(zhuǎn)移先進制程、新產(chǎn)能至Server、HBM應(yīng)用，以滿足AI Server需求，導(dǎo)致其他市場供給嚴重緊縮，預(yù)估整體一般型DRAM(Conventional DRAM)合約價將季增55-60%。NAND Flash則因原廠控管產(chǎn)能，和Server強勁拉貨排擠其他應(yīng)用，預(yù)計各類產(chǎn)品合約價持續(xù)上漲33-38%。
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TrendForce集邦咨詢: 下調(diào)2026年全球筆電出貨量預(yù)估年減至5.4%
Dec. 30, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，在整體經(jīng)濟復(fù)蘇力道有限、消費行為趨于保守的背景下，快速上升的存儲器價格正持續(xù)侵蝕筆電品牌的獲利及定價彈性。因此，TrendForce集邦咨詢再度下調(diào)2026年全球筆電出貨預(yù)估至年減5.4%，降至近1.73億臺，以反映品牌面對成本壓力擴大，對庫存、促銷與產(chǎn)品配置采取的保守態(tài)度。
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Quartus Prime下Cyclone V FPGA片上存儲器資源優(yōu)化與布局策略
在5G通信、工業(yè)控制等高性能嵌入式系統(tǒng)中，Cyclone V FPGA憑借其低功耗與高性價比特性成為主流選擇。其片上存儲器資源（M10K和MLAB）的優(yōu)化配置直接影響系統(tǒng)性能與資源利用率。本文基于Quartus Prime工具鏈，結(jié)合Cyclone V器件特性，提出一套從代碼級到架構(gòu)級的存儲器優(yōu)化與布局策略。
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FRAM 存儲器：便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)的存儲技術(shù)革新
在醫(yī)療技術(shù)向精準化、便攜化轉(zhuǎn)型的浪潮中，便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)正重塑康復(fù)治療與慢病管理模式。從輔助神經(jīng)康復(fù)的便攜式神經(jīng)刺激儀，到維持心臟節(jié)律的植入式心臟刺激器，這類設(shè)備需實時捕獲生理數(shù)據(jù)、執(zhí)行復(fù)雜刺激算法，對數(shù)據(jù)存儲的可靠性、時效性和低功耗特性提出了極致要求。FRAM(鐵電隨機存取存儲器)憑借其獨特的鐵電存儲原理，突破傳統(tǒng)存儲器技術(shù)瓶頸，成為便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)的理想存儲解決方案，為醫(yī)療設(shè)備的性能升級注入關(guān)鍵動力。
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如何執(zhí)行從L3內(nèi)存到Tile內(nèi)存的Shim數(shù)據(jù)移動
在本節(jié)中使用了列0的SHIM DMA(0,0), MEM Tile(0,1)和Core(0,2)。存儲在L3存儲器上的一組預(yù)定義數(shù)據(jù)流進入NPU復(fù)合體。數(shù)據(jù)通過MEM內(nèi)存從SHM DMA路由到Core，然后路由回來。接收到的輸出流被捕獲并與參考進行比較。
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豪威集團發(fā)布超低功耗單芯片全彩場序微顯示器，賦能新一代智能眼鏡
全新的OP03021全彩場序LCOS面板是目前市場上唯一一款將陣列、驅(qū)動器和存儲器集成到超低功耗單芯片架構(gòu)中的智能眼鏡解決方案
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TrendForce集邦咨詢: 中國CSP、OEM有望積極采購H200
Dec. 10, 2025 ---- 據(jù)新華社報道，美國將允許NVIDIA(英偉達)向中國出口H200芯片，TrendForce集邦咨詢表示，H200效能較H20大幅提升，對終端客戶具有吸引力，若2026年能順利銷售，預(yù)期中國CSP(云端服務(wù)業(yè)者)、OEM皆有望積極采購。
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TrendForce集邦咨詢：存儲器價格飆升沖擊游戲主機毛利，2026年出貨量預(yù)估將下調(diào)
Dec. 2, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布報告，受到存儲器價格飆漲影響，消費性電子產(chǎn)品整機成本大幅拉升，并迫使終端產(chǎn)品定價上調(diào)，進而沖擊消費市場。TrendForce集邦咨詢繼11月上旬下修2026年全球智能手機及筆電的生產(chǎn)出貨預(yù)測后，此次也下修游戲主機2026年出貨預(yù)測，從原先預(yù)估的年減3.5%調(diào)降至年減4.4%。
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