VGS在線性區(qū)時(shí)功率MOSFET反向?qū)▎?wèn)題探析

利用先進(jìn)封裝和直通引腳提高開(kāi)關(guān)通道密度

MOS管關(guān)斷緩慢進(jìn)入恒流區(qū)和夾斷區(qū)臨界點(diǎn)導(dǎo)致發(fā)熱嚴(yán)重

英飛凌推出采用全新 EasyPACK? C 封裝的碳化硅功率模塊，助力提升工業(yè)應(yīng)用的能效與使用壽命

英飛凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC? MOSFET 1400V G2系列，提升大功率應(yīng)用中的功率密度

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路重要參數(shù)解讀：導(dǎo)通電阻+驅(qū)動(dòng)功率

MOS管驅(qū)動(dòng)電路詳解

新型OptiMOS 7 MOSFET改進(jìn)汽車(chē)應(yīng)用中的導(dǎo)通電阻、設(shè)計(jì)穩(wěn)健性和開(kāi)關(guān)效率

MOS管開(kāi)關(guān)時(shí)的米勒效應(yīng)的影響與解決方法

英飛凌為汽車(chē)應(yīng)用推出業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低的80 V MOSFET OptiMOS? 7