一文教你MOS管和IGBT的區(qū)別
靜電能擊穿MOS管的原因解析
三極管和MOS管的區(qū)別
在MOS管的運用中,為什么我們常會遇到各種‘擊穿’現(xiàn)象
如何選擇MOS管?怎么判定MOS管的帶載能力?
深入解讀MOS管
MOS管在導(dǎo)通和關(guān)斷的瞬間,為什么經(jīng)歷短暫的電壓電流交疊過程
MOS管發(fā)熱的主要原因有哪些
MOS管米勒效應(yīng)詳解
一文搞定MOS管和IGBT管的區(qū)別
2- 12 MOS三極管開關(guān) 電路
2-125 用MOS管構(gòu)成的存儲 矩陣
2-12 MOS三極管開關(guān) 電路
碳化硅MOS管-全碳SiC模塊產(chǎn)品應(yīng)用 驅(qū)動 系統(tǒng)方案詳解2024
MOS管的米勒效應(yīng)
低壓FOC驅(qū)動器硬件設(shè)計
視頻顯示方案
DC12V升壓到DC120V,解決MOS發(fā)熱問題
layout外包,三軸步進(jìn)電機(jī)系統(tǒng)用TMC5160芯片
小功率三相開關(guān)電源改進(jìn)
300-400W多路開關(guān)電源
600W多路開關(guān)電源設(shè)計
ICE40 FPGA芯片的NVCM燒錄已有測試座針腳已引出
MOS管+放大器恒流源電流0-6A電壓3-45紋波<30mv
3-8串鋰電池檢測保護(hù)報警模塊加藍(lán)牙和觸摸屏
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是德科技創(chuàng)新技術(shù)峰會來襲,報名領(lǐng)好禮
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