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一文教你MOS管和IGBT的區(qū)別
在電力電子領(lǐng)域，MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)與IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為兩大核心功率器件，各自在電路中扮演著不可替代的角色。
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靜電能擊穿MOS管的原因解析
MOS管(金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的柵極氧化層極薄(通常只有幾納米)，輸入電阻極高(可達(dá)10?Ω以上)，而柵源極電容極小(通常為幾皮法至幾十皮法)，因此極易受外界電磁場(chǎng)或靜電感應(yīng)帶電。當(dāng)靜電電荷積累到一定程度時(shí)，會(huì)在極間形成高電壓(U=Q/C)，導(dǎo)致氧化層擊穿或金屬化鋁條熔斷，引發(fā)柵極短路、源極開(kāi)路或漏極短路等故障。
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三極管和MOS管的區(qū)別
三極管(BJT)和MOS管(MOSFET)的核心區(qū)別在于?控制方式?：三極管是電流控制器件，通過(guò)基極電流驅(qū)動(dòng)集電極電流;MOS管是電壓控制器件，通過(guò)柵極電壓調(diào)控源漏極導(dǎo)通。????
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在MOS管的運(yùn)用中，為什么我們常會(huì)遇到各種‘擊穿’現(xiàn)象
mos管也稱場(chǎng)效應(yīng)管，首先考察一個(gè)更簡(jiǎn)單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。這個(gè)器件有兩個(gè)電極，一個(gè)是金屬，另一個(gè)是extrinsic silicon(外在硅)，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開(kāi)。
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如何選擇MOS管?怎么判定MOS管的帶載能力？
怎么判定MOS管的帶載能力，如何選擇MOS管?1)基本常識(shí)點(diǎn)：我們都知道MOS管的帶載能力與漏源電流和內(nèi)阻有關(guān)，漏源電流越大，內(nèi)阻越小，帶載能力越強(qiáng)。
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深入解讀MOS管
MOS管，其英文全稱是MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管。這種管子屬于場(chǎng)效應(yīng)管的一個(gè)分類(lèi)，即絕緣柵型，因此，它有時(shí)也被直接稱為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。在電子電路中，MOS管發(fā)揮著重要的作用，常被應(yīng)用于放大電路或開(kāi)關(guān)電路的構(gòu)建中。
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MOS管在導(dǎo)通和關(guān)斷的瞬間，為什么經(jīng)歷短暫的電壓電流交疊過(guò)程
在開(kāi)關(guān)電源等高頻應(yīng)用場(chǎng)景中，MOS管在導(dǎo)通和關(guān)斷的瞬間，會(huì)經(jīng)歷短暫的電壓電流交疊過(guò)程。這個(gè)過(guò)程中產(chǎn)生的損耗被稱為開(kāi)關(guān)損耗。
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MOS管發(fā)熱的主要原因有哪些
在開(kāi)關(guān)電源中，如果MOS管的關(guān)斷和導(dǎo)通速度不夠快，也會(huì)產(chǎn)生附加的功率損耗?。
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MOS管米勒效應(yīng)詳解
?米勒效應(yīng)?是指MOS管在開(kāi)關(guān)過(guò)程中，柵極和漏極之間的反向傳輸電容(Cgd)在開(kāi)關(guān)作用下引起的瞬態(tài)變化現(xiàn)象。這種現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電壓和漏源電流在一段時(shí)間內(nèi)維持不變，形成一個(gè)“米勒平臺(tái)”，從而增加開(kāi)關(guān)損耗，降低效率。
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一文搞定MOS管和IGBT管的區(qū)別
IGBT的工作原理結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)，通過(guò)控制MOSFET的柵電壓來(lái)控制BJT的導(dǎo)通和截止。IGBT適合用于大電流、高電壓的開(kāi)關(guān)任務(wù)，具有低導(dǎo)通壓降和高功率處理能力?。
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MOSFET開(kāi)關(guān)管損失了解嗎？限制MOSFET開(kāi)關(guān)速度的因素有哪些
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)?lái)MOSFET的有關(guān)報(bào)道，通過(guò)閱讀這篇文章，大家可以對(duì)MOSFET具備清晰的認(rèn)識(shí)，主要內(nèi)容如下。
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MOS管與IGBT管的區(qū)別匯總
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)是電力電子領(lǐng)域中兩種重要的功率開(kāi)關(guān)器件，它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)以及應(yīng)用場(chǎng)合等方面都存在顯著的差異。
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MOS管的基本知識(shí)匯總
MOS管的工作原理基于電場(chǎng)效應(yīng)，即通過(guò)控制柵極電壓來(lái)改變柵源之間的電場(chǎng)，從而控制源極和漏極之間的電流。當(dāng)柵極電壓超過(guò)一定閾值時(shí)，會(huì)在柵極下方的半導(dǎo)體表面形成一層導(dǎo)電溝道，使源極和漏極之間導(dǎo)通。反之，當(dāng)柵極電壓低于閾值時(shí)，溝道消失，源極和漏極之間截止。
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如何選擇MOS管？MOS管常見(jiàn)2大失效原因，你知道嗎？
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)?lái)MOS管的有關(guān)報(bào)道，通過(guò)閱讀這篇文章，大家可以對(duì)MOS管具備清晰的認(rèn)識(shí)，主要內(nèi)容如下。
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如何測(cè)試mos管開(kāi)關(guān)速度？mos管源極和漏極有什么區(qū)別？
在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)mos管的相關(guān)消息予以報(bào)道，如果mos管是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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mos管插入式封裝了解嗎？MOS管產(chǎn)生尖峰的原因有哪些？
一直以來(lái)，mos管都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對(duì)大家的興趣點(diǎn)所在，小編將為大家?guī)?lái)mos管的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)看下文。
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如何解決MOS管尖峰帶來(lái)的影響？如何選擇MOS管封裝？
在這篇文章中，小編將對(duì)MOS管的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對(duì)MOS管的了解程度，和小編一起來(lái)閱讀以下內(nèi)容吧。
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MOS管尖峰產(chǎn)生的原因是什么？如何解決MOS管尖峰
在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)MOS管的相關(guān)消息予以報(bào)道，如果MOS管是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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如何選取MOS管？MOS管擊穿問(wèn)題分析
一直以來(lái)，MOS管都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對(duì)大家的興趣點(diǎn)所在，小編將為大家?guī)?lái)MOS管的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)看下文。
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寄生電容對(duì)MOS管快速關(guān)斷有何影響？MOS管拆裝流程分享
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