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怎么判定MOS管的帶載能力，如何選擇MOS管?
怎么判定MOS管的帶載能力，如何選擇MOS管?1)基本常識點：我們都知道MOS管的帶載能力與漏源電流和內(nèi)阻有關(guān)，漏源電流越大，內(nèi)阻越小，帶載能力越強。
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詳解MOS管的GS波形振蕩怎么消除
在功率電子器件應(yīng)用中，MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的柵極-源極(GS)波形振蕩是影響系統(tǒng)穩(wěn)定性的關(guān)鍵問題。這種振蕩會導(dǎo)致開關(guān)損耗增加、電磁干擾(EMI)加劇，甚至引發(fā)器件熱失效。
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一文教你MOS管和IGBT的區(qū)別
在電力電子領(lǐng)域，MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)與IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為兩大核心功率器件，各自在電路中扮演著不可替代的角色。
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靜電能擊穿MOS管的原因解析
MOS管(金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的柵極氧化層極薄(通常只有幾納米)，輸入電阻極高(可達10?Ω以上)，而柵源極電容極小(通常為幾皮法至幾十皮法)，因此極易受外界電磁場或靜電感應(yīng)帶電。當(dāng)靜電電荷積累到一定程度時，會在極間形成高電壓(U=Q/C)，導(dǎo)致氧化層擊穿或金屬化鋁條熔斷，引發(fā)柵極短路、源極開路或漏極短路等故障。
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三極管和MOS管的區(qū)別
三極管(BJT)和MOS管(MOSFET)的核心區(qū)別在于?控制方式?：三極管是電流控制器件，通過基極電流驅(qū)動集電極電流;MOS管是電壓控制器件，通過柵極電壓調(diào)控源漏極導(dǎo)通。????
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深入解讀MOS管
MOS管，其英文全稱是MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導(dǎo)體型場效應(yīng)管。這種管子屬于場效應(yīng)管的一個分類，即絕緣柵型，因此，它有時也被直接稱為絕緣柵場效應(yīng)管。在電子電路中，MOS管發(fā)揮著重要的作用，常被應(yīng)用于放大電路或開關(guān)電路的構(gòu)建中。
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MOS管在導(dǎo)通和關(guān)斷的瞬間，為什么經(jīng)歷短暫的電壓電流交疊過程
在開關(guān)電源等高頻應(yīng)用場景中，MOS管在導(dǎo)通和關(guān)斷的瞬間，會經(jīng)歷短暫的電壓電流交疊過程。這個過程中產(chǎn)生的損耗被稱為開關(guān)損耗。
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MOS管發(fā)熱的主要原因有哪些
在開關(guān)電源中，如果MOS管的關(guān)斷和導(dǎo)通速度不夠快，也會產(chǎn)生附加的功率損耗?。
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MOS管米勒效應(yīng)詳解
?米勒效應(yīng)?是指MOS管在開關(guān)過程中，柵極和漏極之間的反向傳輸電容(Cgd)在開關(guān)作用下引起的瞬態(tài)變化現(xiàn)象。這種現(xiàn)象會導(dǎo)致驅(qū)動電壓和漏源電流在一段時間內(nèi)維持不變，形成一個“米勒平臺”，從而增加開關(guān)損耗，降低效率。
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一文搞定MOS管和IGBT管的區(qū)別
IGBT的工作原理結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點，通過控制MOSFET的柵電壓來控制BJT的導(dǎo)通和截止。IGBT適合用于大電流、高電壓的開關(guān)任務(wù)，具有低導(dǎo)通壓降和高功率處理能力?。
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MOSFET開關(guān)管損失了解嗎？限制MOSFET開關(guān)速度的因素有哪些
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)鞰OSFET的有關(guān)報道，通過閱讀這篇文章，大家可以對MOSFET具備清晰的認(rèn)識，主要內(nèi)容如下。
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MOS管與IGBT管的區(qū)別匯總
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)是電力電子領(lǐng)域中兩種重要的功率開關(guān)器件，它們在結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點以及應(yīng)用場合等方面都存在顯著的差異。
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MOS管的基本知識匯總
MOS管的工作原理基于電場效應(yīng)，即通過控制柵極電壓來改變柵源之間的電場，從而控制源極和漏極之間的電流。當(dāng)柵極電壓超過一定閾值時，會在柵極下方的半導(dǎo)體表面形成一層導(dǎo)電溝道，使源極和漏極之間導(dǎo)通。反之，當(dāng)柵極電壓低于閾值時，溝道消失，源極和漏極之間截止。
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如何選擇MOS管？MOS管常見2大失效原因，你知道嗎？
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)鞰OS管的有關(guān)報道，通過閱讀這篇文章，大家可以對MOS管具備清晰的認(rèn)識，主要內(nèi)容如下。
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如何測試mos管開關(guān)速度？mos管源極和漏極有什么區(qū)別？
在下述的內(nèi)容中，小編將會對mos管的相關(guān)消息予以報道，如果mos管是您想要了解的焦點之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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mos管插入式封裝了解嗎？MOS管產(chǎn)生尖峰的原因有哪些？
一直以來，mos管都是大家的關(guān)注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在，小編將為大家?guī)韒os管的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請看下文。
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如何解決MOS管尖峰帶來的影響？如何選擇MOS管封裝？
在這篇文章中，小編將對MOS管的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進對MOS管的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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MOS管尖峰產(chǎn)生的原因是什么？如何解決MOS管尖峰
在下述的內(nèi)容中，小編將會對MOS管的相關(guān)消息予以報道，如果MOS管是您想要了解的焦點之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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如何選取MOS管？MOS管擊穿問題分析
一直以來，MOS管都是大家的關(guān)注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在，小編將為大家?guī)鞰OS管的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請看下文。
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寄生電容對MOS管快速關(guān)斷有何影響？MOS管拆裝流程分享
在這篇文章中，小編將對MOS管的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進對它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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