-
MOS管開關(guān)時的米勒效應(yīng)的影響與解決方法
由于米勒電容阻止了Vgs的上升，從而也就阻止了Vds的下降，這樣就會使損耗的時間加長。(Vgs上升，則導(dǎo)通電阻下降，從而Vds下降)。
-
三極管和MOS管下拉電阻的設(shè)計
那么就需要讓Ib大于等于1mA，若Ib=1mA, Ic=100mA，它的放大倍數(shù)β=100，三極管完全導(dǎo)通。
-
mos管開關(guān)電路原理
漏極和源極之間沒有電流流過。當(dāng)VGS超過VTH，MOS管進入飽和狀態(tài)，此時漏極電流(ID)達到最大值，并且不隨VDS的變化而變化。
-
mos管怎么測試好壞
在開始測試前，首先需要對MOS管的三個引腳進行短接放電，以防止由于電壓差異導(dǎo)致的內(nèi)部導(dǎo)通，從而影響測試結(jié)果。
-
自舉電路的工作原理
自舉電路是一種電子電路，常見于需要高電壓驅(qū)動的電路中，如MOS管和功率放大器。自舉電路的核心組成部分包括一個電容和一個二極管，工作時，電路通過開關(guān)控制電容的充電和放電過程。
-
mos管工作原理和作用
在這篇文章中，小編將為大家?guī)鞰OS管的相關(guān)報道。如果你對本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
-
mos管在開關(guān)電源的作用
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡稱MOSFET)是現(xiàn)代電子技術(shù)中不可或缺的元器件之一，在開關(guān)電源設(shè)計中扮演著至關(guān)重要的角色。開關(guān)電源作為現(xiàn)代電力轉(zhuǎn)換和管理的核心組件，其性能與效率在很大程度上依賴于MOS管的選擇與應(yīng)用。本文將深入探討MOS管在開關(guān)電源中的具體作用，并剖析其關(guān)鍵性能參數(shù)對電源整體性能的影響。
-
Vishay的新款80V對稱雙通道MOSFET的RDS(ON)達到業(yè)內(nèi)先進水平，可顯著提高功率密度、能效和熱性能
節(jié)省空間型器件所需PCB空間比PowerPAIR 1212封裝分立器件減少50%，有助于減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計。
-
MOS管的實際應(yīng)用和正確用法你知道嗎？
MOS管將是下述內(nèi)容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對MOS管的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識和了解，詳細內(nèi)容如下。
-
RS瑞森半導(dǎo)體-大功率開關(guān)電源的應(yīng)用
根據(jù)大功率開關(guān)電源對MOS管的需求，瑞森半導(dǎo)體推薦多款不同功率滿足
-
DCDC基礎(chǔ)（8）-- 同步BUCK芯片的電性能參數(shù)解讀二
按照我的理解，對于MOS管而言，灌電流就是漏極電流 Id，正常來說MOS管的漏極電流 Id遠遠超過4mA，但是為了滿足邏輯要求，如上圖所示，CMOS輸出最大低電平必須小于輸入最大低電平，即VOL(max)我去搜了一下STM32F103C8T6的關(guān)于灌電流的描述，對于8路I/O口同時輸出低電平時，VOL
-
DCDC基礎(chǔ)（4）-- 非同步BUCK電路的續(xù)流二極管是怎么確定的?
PDS760-13總功耗，包括二極管的傳導(dǎo)損耗和交流損耗。二極管在MOS管關(guān)斷期間續(xù)流，瞬時傳導(dǎo)損耗以關(guān)斷期間的輸出電流乘以二極管的正向電壓來計算。二極管的交流損耗是由于結(jié)電容的充放電和反向恢復(fù)電荷造成的。
-
RS瑞森半導(dǎo)體低壓MOS在小家電的應(yīng)用
多款低壓MOS產(chǎn)品應(yīng)用在九陽小家電上，瑞森半導(dǎo)體堅持“首件確認(rèn)，始終如一”的原則，成為眾多品牌的長期合作伙伴
-
什么是場效應(yīng)管？mos管工作原理詳解
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET)。
-
BUCK電源分立器件搭建原理圖實戰(zhàn)之滯回電路
我們知道MOS管需要開通快關(guān)斷快，這樣才能減少損耗，那MOS管的前級驅(qū)動電路一般情況都使用三極管推挽電路實現(xiàn)，我們先定前級驅(qū)動電路的電源是12V，我們來看一下電路是怎么搭建的。
-
MOS管的Miller 效應(yīng)
MOS管的米勒效應(yīng)會在高頻開關(guān)電路中，延長開關(guān)頻率、增加功耗、降低系統(tǒng)穩(wěn)定性，可謂是臭名昭著，各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。
-
技術(shù)參數(shù)詳解：MOS管知識最全收錄！
MOS管，即金屬（Metal）—氧化物（Oxide）—半導(dǎo)體（Semiconductor）場效應(yīng)晶體管，是一種應(yīng)用場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。??和普通雙極型晶體管相比，MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢，在開關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變...
-
MOS管及其外圍電路設(shè)計
全文框架1.柵極驅(qū)動部分常用的mos管驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)如圖1所示，驅(qū)動信號經(jīng)過圖騰柱放大后，經(jīng)過一個驅(qū)動電阻Rg給mos管驅(qū)動。其中Lk是驅(qū)動回路的感抗，一般包含mos管引腳的感抗，PCB走線的感抗等。在現(xiàn)在很多的應(yīng)用中，用于放大驅(qū)動信號的圖騰柱本身也是封裝在專門的驅(qū)動芯片中。本文要...
-
技術(shù)參數(shù)詳解，MOS管知識最全收錄！
▼?點擊下方名片，關(guān)注硬門芯思?▼?MOS管，即金屬（Metal）—氧化物（Oxide）—半導(dǎo)體（Semiconductor）場效應(yīng)晶體管，是一種應(yīng)用場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。??和普通雙極型晶體管相比，MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢，在開關(guān)...
-
了解MOS管，看這個就夠了?。ㄩL文預(yù)警，建議先收藏后再仔細觀看）
▼點擊下方名片，關(guān)注公眾號▼歡迎關(guān)注【玩轉(zhuǎn)單片機與嵌入式】公眾號，回復(fù)關(guān)鍵字獲取更多免費資料?；貜?fù)【加群】，限時免費進入知識共享群；回復(fù)【3D封裝庫】，常用元器件的3D封裝庫；回復(fù)【電容】，獲取電容、元器件選型相關(guān)的內(nèi)容；回復(fù)【阻抗匹配】，獲取電磁兼容性、阻抗匹配相關(guān)的資料回復(fù)【...
- 安富利3kW模擬電源供應(yīng)器（PSU）解決方案開發(fā)板來襲，申請領(lǐng)好禮
- 得捷芯聞解碼視頻研習(xí)站第五期：打造更安全、更智能、更舒適、高續(xù)航的駕乘體驗
- FPGA供電應(yīng)用遇挑戰(zhàn)？MPS高性能FPGA供電解決方案幫你破局
- 得捷芯聞解碼研習(xí)站第四期：網(wǎng)絡(luò)安全芯片，讓您的應(yīng)用系統(tǒng)無懈可擊
- “變現(xiàn)”指南：上傳資料獲三重紅包，親測有效！
- 《21ic技術(shù)洞察》系列欄目：AI芯紀(jì)元——AI加持，語?助?再進化！
- 得捷芯聞解碼研習(xí)站第三期：MCU助?多應(yīng)?打破功耗噩夢與安全隱患困局
