下面是我對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié),其中參考了一些資料,非所有原創(chuàng)。包含 MOS管的推選 ,特征,驅(qū)動(dòng)以及運(yùn)用 電路?!? 在運(yùn)用 MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)思慮 M
下面是我對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié),其中參考了一些資料,非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹,特性,驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路?!≡谑褂肕OS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電
下面是我對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié),其中參考了一些資料,非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹,特性,驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路?!≡谑褂肕OS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電
直接驅(qū)動(dòng): 隔離驅(qū)動(dòng):
直接驅(qū)動(dòng): 隔離驅(qū)動(dòng):
本文介紹的運(yùn)放是一種采用TSMC 0.18 μm Mixed Signal SALICIDE(1P6M,1.8V/3.3V)CMOS工藝的折疊共源共柵運(yùn)放,并對(duì)其進(jìn)行了DC,AC及瞬態(tài)分析,最后與設(shè)計(jì)指標(biāo)進(jìn)行比較。