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MOS管功率損耗竟然還可以這么測(cè)
MOSFET/IGBT的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評(píng)估呢
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開(kāi)關(guān)MOS寄生二極管的多種妙用
是由生產(chǎn)工藝造成的，大功率MOS管漏極從硅片底部引出，就會(huì)有這個(gè)寄生二極管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結(jié)構(gòu)，漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向，沒(méi)有這個(gè)二極管。模擬電路書(shū)里講得就是小功率MOS管的結(jié)構(gòu)，所以沒(méi)有這個(gè)二極管。但D極和襯底之間都存在寄生二極管，如果是單個(gè)晶體管，襯底當(dāng)然接S極，因此自然在DS之間有二極管。如果在IC里面，N—MOS襯底接最低的電壓，P—MOS襯底接最高電壓，不一定和S極相連，所以DS之間不一定有寄生二極管。
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開(kāi)關(guān)MOS寄生二極管的多種妙用
是由生產(chǎn)工藝造成的，大功率MOS管漏極從硅片底部引出，就會(huì)有這個(gè)寄生二極管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結(jié)構(gòu)，漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向，沒(méi)有這個(gè)二極管。模擬電路書(shū)里講得就是小功率MOS管的結(jié)構(gòu)，所以沒(méi)有這個(gè)二極管。但D極和襯底之間都存在寄生二極管，如果是單個(gè)晶體管，襯底當(dāng)然接S極，因此自然在DS之間有二極管。如果在IC里面，N—MOS襯底接最低的電壓，P—MOS襯底接最高電壓，不一定和S極相連，所以DS之間不一定有寄生二極管。
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開(kāi)關(guān)電源中的各個(gè)元器件是如何檢驗(yàn)的？
開(kāi)關(guān)電源中的電阻、電容、電感、二極管、三極管、MOS管、電源IC、變壓器、安規(guī)電容是如何檢驗(yàn)的？
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電源設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)之MOS管驅(qū)動(dòng)電路篇
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開(kāi)關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路。
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mos管開(kāi)關(guān)電路圖
圖中電池的正電通過(guò)開(kāi)關(guān)S1接到場(chǎng)效應(yīng)管Q1的2腳源極，由于Q1是一個(gè)P溝道管，它的1腳柵極通過(guò)R20電阻提供一個(gè)正電位電壓，所以不能通電，電壓不能繼續(xù)通過(guò)，3v穩(wěn)壓IC輸入腳得不到電壓所以就不能工作不開(kāi)機(jī)!
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電路設(shè)計(jì)中三極管和mos管的區(qū)別
實(shí)際上就是三極管比較便宜，用起來(lái)方便，常用在數(shù)字電路開(kāi)關(guān)控制。MOS管用于高頻高速電路，大電流場(chǎng)合，以及對(duì)基極或漏極控制電流比較敏感的地方。一般來(lái)說(shuō)低成本場(chǎng)合，普通應(yīng)用的先考慮用三極管，不行的話考慮MOS管
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MOS管功率損耗竟然還可以這么測(cè)
MOSFET/IGBT的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評(píng)估呢?
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由MOS管、變壓器搭建的逆變器電路及其制作過(guò)程
逆變器，別稱(chēng)為變流器、反流器，是一種可將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的器件，由逆變橋、邏輯控制、濾波電路三大部分組成，主要包括輸入接口、電壓?jiǎn)?dòng)回路、MOS開(kāi)關(guān)管、PWM控制器、直流變換回路、反饋回路、LC振蕩及輸出回
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如何確保MOS管工作在安全區(qū)？
電源工程師最怕什么?炸機(jī)!用著用著就壞了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出問(wèn)題了呢?這一切都和SOA相關(guān)。我們知道開(kāi)關(guān)電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是
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如何確保MOS管工作在安全區(qū)
電源工程師最怕什么?炸機(jī)!用著用著就壞了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出問(wèn)題了呢?這一切都和SOA相關(guān)。
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如何確保MOS管工作在安全區(qū)
電源工程師最怕什么?炸機(jī)!用著用著就壞了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出問(wèn)題了呢?這一切都和SOA相關(guān)。
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模擬運(yùn)放分類(lèi)以及特點(diǎn)
模擬運(yùn)算放大器從誕生至今，已有40多年的歷史了。最早的工藝是采用硅NPN工藝，后來(lái)改進(jìn)為硅NPN-PNP工藝(后面稱(chēng)為標(biāo)準(zhǔn)硅工藝)。在結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管技術(shù)成熟后，又進(jìn)一步的加入了結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管工藝。當(dāng)MOS管技術(shù)成熟后，特別是CMOS技術(shù)成熟后，模擬運(yùn)算放大器有了質(zhì)的飛躍，一方面解決了低功耗的問(wèn)題，另一方面通過(guò)混合模擬與數(shù)字電路技術(shù)，解決了直流小信號(hào)直接處理的難題。
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MOS管為什么會(huì)被靜電擊穿？
MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓(想想U(xiǎn)=Q/
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用MOS管防止電源反接的原理？
一般可以使用在電源的正極串入一個(gè)二極管解決，不過(guò)，由于二極管有壓降，會(huì)給電路造成不必要的損耗，尤其是電池供電場(chǎng)合，本來(lái)電池電壓就3.7V，你就用二極管降了0.6V，使得
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MOS管驅(qū)動(dòng)電路詳解
使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。
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必藏！小功率 MOS管 選型手冊(cè)
絕對(duì)要收藏的小功率 MOS管 選型手冊(cè)。KD2300 N-Channel SOT23-3 封裝、電壓20V、內(nèi)阻28mΩ、電流6A、可兼容、代用、代換、替換市面上各類(lèi)型的2300;Si2300，APM2300，
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開(kāi)關(guān)電源變壓器溫升過(guò)高問(wèn)題改善方法
在開(kāi)關(guān)電源變壓器的工作過(guò)程中，工程師不僅需要綜合考慮其設(shè)計(jì)構(gòu)造的合理性問(wèn)題，還需要嚴(yán)格把控其溫升范圍，以免出現(xiàn)溫升過(guò)高導(dǎo)致工作效率下降的問(wèn)題。而在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中
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發(fā)光二極管與MOS中為何要添加多余的電流？
發(fā)光二極管就是俗稱(chēng)的LED，由于較容易入門(mén)且普及率高，很多新手在進(jìn)行入門(mén)學(xué)習(xí)時(shí)經(jīng)常會(huì)選擇發(fā)光二極管來(lái)入手。本文將對(duì)發(fā)光二極管與MOS之間的特定關(guān)系進(jìn)行分析，從而幫助大
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電源模塊熱設(shè)計(jì)分析
高溫對(duì)功率密度高的電源模塊的可靠性影響極其大。高溫會(huì)導(dǎo)致電解電容的壽命降低，變壓器漆包線的絕緣特性降低，晶體管損壞，材料熱老化，焊點(diǎn)脫落等現(xiàn)象。有統(tǒng)計(jì)資料表明，
- 安富利3kW模擬電源供應(yīng)器（PSU）解決方案開(kāi)發(fā)板來(lái)襲，申請(qǐng)領(lǐng)好禮
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