MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗反復摸索，那么該如何量化評估呢?

1.1 功率損耗的原理圖和實測圖

一般來說，開關管工作的功率損耗原理圖如圖 1所示，主要的能量損耗體現(xiàn)在“導通過程”和“關閉過程”，小部分能量體現(xiàn)在“導通狀態(tài)”，而關閉狀態(tài)的損耗很小幾乎為0，可以忽略不計。

圖 1開關管工作的功率損耗原理圖

實際的測量波形圖一般如圖 2所示。

圖 2開關管實際功率損耗測試

1.2 MOSFET和PFC MOSFET的測試區(qū)別

對于普通MOS管來說，不同周期的電壓和電流波形幾乎完全相同，因此整體功率損耗只需要任意測量一個周期即可。但對于PFC MOS管來說，不同周期的電壓和電流波形都不相同，因此功率損耗的準確評估依賴較長時間(一般大于10ms)，較高采樣率(推薦1G采樣率)的波形捕獲，此時需要的存儲深度推薦在10M以上，并且要求所有原始數(shù)據(jù)(不能抽樣)都要參與功率損耗計算，實測截圖如圖 3所示。

圖 3 PFC MOSFET功率損耗實測截圖

1.3 MOSFET和PFC MOSFET的實測演示視頻

普通MOSFET的功率損耗實測如下。

https://v.qq.com/x/page/t050291xynv.html

PFC MOSFET的功率損耗實測如下。

https://v.qq.com/x/page/y050284vm7y.html

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