MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。01電源IC直接驅(qū)動(dòng)電源IC直接驅(qū)動(dòng)是最簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)方式,應(yīng)該注意幾個(gè)參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。①查看電源IC手冊(cè)的最大驅(qū)動(dòng)峰值電流,因?yàn)椴煌?..
關(guān)于三極管????簡(jiǎn)單講解一下三極管,如果三極管工作在飽和區(qū)(完全導(dǎo)通),Rce≈0,Vce≈0.3V,且這個(gè)0.3V,我們就認(rèn)為它直接接地了。那么就需要讓Ib大于等于1mA,若Ib=1mA,Ic=100mA,它的放大倍數(shù)β=100,三極管完全導(dǎo)通。如下圖,是一個(gè)NPN三極管。三...
米勒平臺(tái)形成的基本原理MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)過程,可以簡(jiǎn)單的理解為驅(qū)動(dòng)源對(duì)MOSFET的輸入電容(主要是柵源極電容Cgs)的充放電過程;當(dāng)Cgs達(dá)到門檻電壓之后,MOSFET就會(huì)進(jìn)入開通狀態(tài);當(dāng)MOSFET開通后,Vds開始下降,Id開始上升,此時(shí)MOSFET進(jìn)入飽和區(qū);但由于米...
▼點(diǎn)擊下方名片,關(guān)注公眾號(hào)▼我們知道,三極管是利用Ib的電流去控制電流Ic的,所以說(shuō)三極管是電流控制電流的器件。而MOS管是利用Ugs的電壓去控制電流Id的,所以說(shuō)MOS管是電壓控制電流的器件。對(duì)于N溝道增強(qiáng)型的MOS管,當(dāng)Ugs>Ugs(th)時(shí),MOS就會(huì)開始導(dǎo)通,如果在D極...
▼點(diǎn)擊下方名片,關(guān)注公眾號(hào)▼電源開關(guān)電路,經(jīng)常用在各“功能模塊”電路的電源通斷控制,是常用電路之一。本文要講解的電源開關(guān)電路,是用MOS管實(shí)現(xiàn)的,且?guī)к涢_啟功能,非常經(jīng)典。?一、電路說(shuō)明電源開關(guān)電路,尤其是MOS管電源開關(guān)電路,經(jīng)常用在各“功能模塊”電路的電源通斷控制,如下框圖所...
本文來(lái)源于面包板社區(qū)一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的,不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而,在MOS的GS兩級(jí)之間有結(jié)電容存在,這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單。如果不考慮紋波和EMI等要求的話,MOS管開關(guān)速度越快越好,因?yàn)殚_關(guān)時(shí)間越短,開關(guān)損耗越小,而在開關(guān)電源中開關(guān)損耗占總損耗的很大一...
本文來(lái)源于面包板社區(qū)要比喻的話,三極管像綠皮車,MOS管像高鐵。MOS管即場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),屬于壓控型,是一種應(yīng)用非常廣泛的功率型開關(guān)元件,在開關(guān)電源、逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等設(shè)備中很常見,是電力電子的核心元件。MOS管有N溝道和P溝道之分,N溝道相當(dāng)于NPN的三極管;P...
大家好,當(dāng)我說(shuō)到MOS管的時(shí)候呢,你的腦子里可能是一團(tuán)糨糊的。大部分的教材都會(huì)告訴你長(zhǎng)長(zhǎng)的一段話:MOS管全稱金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,英文名Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,屬于絕緣柵極場(chǎng)效晶體管,以硅片為秤體,利...
▼點(diǎn)擊名片,關(guān)注公眾號(hào)▼MOS管,是MOSFET的縮寫,全拼是Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,翻譯過來(lái)是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,根據(jù)導(dǎo)電溝道的不同,MOS可以細(xì)分為NMOS和PMOS兩種。下圖是NMOS的示意...
▼點(diǎn)擊下方名片,關(guān)注公眾號(hào)▼如下是一個(gè)NMOS的開關(guān)電路,階躍信號(hào)VG1設(shè)置DC電平2V,方波(振幅2V,頻率50Hz),T2的開啟電壓2V,所以MOS管T2會(huì)以周期T=20ms進(jìn)行開啟和截止?fàn)顟B(tài)的切換。首先仿真Vgs和Vds的波形,會(huì)看到Vgs=2V的時(shí)候有一個(gè)小平臺(tái),有人會(huì)好...
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。一、電源IC直接驅(qū)動(dòng)電源IC直接驅(qū)動(dòng)是最簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)方式,應(yīng)該注意幾個(gè)參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。①查看電源IC手冊(cè)的最大驅(qū)動(dòng)峰值電流,因?yàn)椴煌?..
巧學(xué)模電數(shù)電單片機(jī)|文末有福利一般情況下,普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS,導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓,而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個(gè)系統(tǒng)里,要得到比VCC大的電壓,就要專門的升壓電路了,很多馬達(dá)驅(qū)...
對(duì)于攻城獅而言,MOS管算不上陌生,遇到電源設(shè)計(jì)或者驅(qū)動(dòng)方面的電路,難免會(huì)用到它,當(dāng)然,MOS管也有很多種類和作用。其實(shí)MOS管是一個(gè)ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電,又因在靜電較強(qiáng)的場(chǎng)合難于泄放電荷,容易引起...
寫在前面MOS管是常用的電子元器件,由于導(dǎo)通內(nèi)阻小,在電源、電力電子、電機(jī)控制等行業(yè)應(yīng)用廣泛。既然常用,那么遇到失效的概率就非常大。好在MOS管的失效就那幾種情況,今天和大家分享一下MOS管的幾種失效模式。失效模式一:雪崩如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且...
今天,我們?cè)诹私?V單片機(jī)驅(qū)動(dòng)mos管電路之前,先了解一下單片機(jī)驅(qū)動(dòng)mos管電路圖及原理。單片機(jī)驅(qū)動(dòng)mos管電路主要根據(jù)MOS管要驅(qū)動(dòng)什么東西,要只是一個(gè)繼電器之類的小負(fù)載的話直接用51的引腳驅(qū)動(dòng)就可以,要注意電感類負(fù)載要加保護(hù)二極管和吸收緩沖,最好用N溝道的MOS。如果驅(qū)動(dòng)的東...
大家可能并不陌生MOS管,由于MOS管不具備防靜電、防浪涌,ESD靜電和浪涌無(wú)處不在,存在于任何的電子產(chǎn)品中,令人防不勝防。然而MOS管卻又是一個(gè)ESD靜電極具敏感器件,它本身的輸入電阻很高。而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電;又因在靜電較強(qiáng)的場(chǎng)合難...
今天的文章內(nèi)容很簡(jiǎn)單,也很簡(jiǎn)短,但卻很實(shí)用。以NMOS舉例,只用萬(wàn)用表二極管檔測(cè)量MOS管的好壞。NMOS的D極和S極之間有一個(gè)寄生二極管,方向?yàn)镾到D,利用二極管單向?qū)щ娦砸约癕OS管導(dǎo)通時(shí)寄生二極管截止的特性,可以快速測(cè)量MOS好壞。1、測(cè)量之前將MOS的3個(gè)極短接,可以用一...
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。一、電源IC直接驅(qū)動(dòng)電源IC直接驅(qū)動(dòng)是最簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)方式,應(yīng)該注意幾個(gè)參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。①查看電源IC手冊(cè)的最大驅(qū)動(dòng)峰值電流,因?yàn)椴煌?..
▼點(diǎn)擊下方名片,關(guān)注公眾號(hào)▼?MOS管即場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),屬于壓控型,是一種應(yīng)用非常廣泛的功率型開關(guān)元件,在開關(guān)電源、逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等設(shè)備中很常見,是電力電子的核心元件。?MOS管有N溝道和P溝道之分,N溝道相當(dāng)于NPN的三極管;P溝道相當(dāng)于PNP的三極管。實(shí)際設(shè)...
MOS管規(guī)格書中有三個(gè)寄生電容參數(shù),分別是:輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Crss。該三個(gè)電容參數(shù)具體到管子的本體中,分別代表什么?是如何形成的?功率半導(dǎo)體的核心是PN結(jié),從二極管、三極管到場(chǎng)效應(yīng)管,都是根據(jù)PN結(jié)特性所做的各種應(yīng)用。場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型、絕緣柵型,...