[導(dǎo)讀]MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。01電源IC直接驅(qū)動(dòng)電源IC直接驅(qū)動(dòng)是最簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)方式，應(yīng)該注意幾個(gè)參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。①查看電源IC手冊(cè)的最大驅(qū)動(dòng)峰值電流，因?yàn)椴煌?..
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。
01電源IC直接驅(qū)動(dòng)
電源IC直接驅(qū)動(dòng)是最簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)方式，應(yīng)該注意幾個(gè)參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。
①查看電源IC手冊(cè)的最大驅(qū)動(dòng)峰值電流，因?yàn)椴煌酒?qū)動(dòng)能力很多時(shí)候是不一樣的。
②了解MOS管的寄生電容，如圖C1、C2的值，這個(gè)寄生電容越小越好。如果C1、C2的值比較大，MOS管導(dǎo)通的需要的能量就比較大，如果電源IC沒有比較大的驅(qū)動(dòng)峰值電流，那么管子導(dǎo)通的速度就比較慢，就達(dá)不到想要的效果。
02推挽驅(qū)動(dòng)
當(dāng)電源IC驅(qū)動(dòng)能力不足時(shí)，可用推挽驅(qū)動(dòng)。
這種驅(qū)動(dòng)電路好處是提升電流提供能力，迅速完成對(duì)于柵極輸入電容電荷的充電過(guò)程。這種拓?fù)湓黾恿藢?dǎo)通所需要的時(shí)間，但是減少了關(guān)斷時(shí)間，開關(guān)管能快速開通且避免上升沿的高頻振蕩。
03加速關(guān)斷驅(qū)動(dòng)
MOS管一般都是慢開快關(guān)。在關(guān)斷瞬間驅(qū)動(dòng)電路能提供一個(gè)盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放，保證開關(guān)管能快速關(guān)斷。
為使柵源極間電容電壓的快速泄放，常在驅(qū)動(dòng)電阻上并聯(lián)一個(gè)電阻和一個(gè)二極管，如上圖所示，其中D1常用的是快恢復(fù)二極管。這使關(guān)斷時(shí)間減小，同時(shí)減小關(guān)斷時(shí)的損耗。Rg2是防止關(guān)斷的時(shí)電流過(guò)大，把電源IC給燒掉。
如上圖，是我之前用的一個(gè)電路，量產(chǎn)至少上萬(wàn)臺(tái)，推薦使用。
用三極管來(lái)泄放柵源極間電容電壓是比較常見的。如果Q1的發(fā)射極沒有電阻，當(dāng)PNP三極管導(dǎo)通時(shí)，柵源極間電容短接，達(dá)到最短時(shí)間內(nèi)把電荷放完，最大限度減小關(guān)斷時(shí)的交叉損耗。
還有一個(gè)好處，就是柵源極間電容上的電荷泄放時(shí)電流不經(jīng)過(guò)電源IC，提高了可靠性。
04隔離驅(qū)動(dòng)
為了滿足高端MOS管的驅(qū)動(dòng)，經(jīng)常會(huì)采用變壓器驅(qū)動(dòng)。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的電感與C1形成LC振蕩，C1的目的是隔開直流，通過(guò)交流，同時(shí)也能防止磁芯飽和。
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在反激式開關(guān)電源設(shè)計(jì)中，MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為核心開關(guān)器件，其工作過(guò)程中的電壓振鈴現(xiàn)象是工程師面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。尤其在DCM(斷續(xù)導(dǎo)通模式)下，MOS管漏源極(D-S)間常出現(xiàn)兩次明顯的電壓振鈴，這不...
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MOS管
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在半導(dǎo)體激光器驅(qū)動(dòng)電路中，電感作為核心儲(chǔ)能、濾波元件，承擔(dān)著穩(wěn)定電流、抑制紋波的關(guān)鍵作用，其工作狀態(tài)直接影響驅(qū)動(dòng)電路的穩(wěn)定性和激光器的使用壽命。但實(shí)際應(yīng)用中，電感燙手現(xiàn)象頻發(fā)，不僅會(huì)加速電感自身老化、損壞，還可能導(dǎo)致周邊...
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驅(qū)動(dòng)電路
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功率MOSFET憑借導(dǎo)通電阻低、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好的優(yōu)勢(shì)，已成為大功率開關(guān)電源的核心開關(guān)器件。其性能的充分發(fā)揮，完全依賴于高效可靠的驅(qū)動(dòng)技術(shù)。驅(qū)動(dòng)電路作為MOSFET與控制單元的橋梁，需精準(zhǔn)調(diào)控柵極電壓與電流，平衡開...
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柵極電壓
驅(qū)動(dòng)電路
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怎么判定MOS管的帶載能力，如何選擇MOS管?1)基本常識(shí)點(diǎn)：我們都知道MOS管的帶載能力與漏源電流和內(nèi)阻有關(guān)，漏源電流越大，內(nèi)阻越小，帶載能力越強(qiáng)。
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MOS管
在功率電子器件應(yīng)用中，MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的柵極-源極(GS)波形振蕩是影響系統(tǒng)穩(wěn)定性的關(guān)鍵問(wèn)題。這種振蕩會(huì)導(dǎo)致開關(guān)損耗增加、電磁干擾(EMI)加劇，甚至引發(fā)器件熱失效。
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MOS管
電磁
在電力電子領(lǐng)域，MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)與IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為兩大核心功率器件，各自在電路中扮演著不可替代的角色。
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MOS管
IGBT
我們可以清晰地看到，左邊的線路構(gòu)成了正反饋，這是由于R5和C1將輸出信號(hào)的一部分回送至輸出端，導(dǎo)致VT1的基極電源上升，進(jìn)而使得VT1的集電極電壓下降。
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在開關(guān)電源、逆變電路等電力電子系統(tǒng)中，脈沖變壓器因具備隔離、浮地驅(qū)動(dòng)及阻抗匹配等優(yōu)勢(shì)，成為開關(guān)管驅(qū)動(dòng)電路的核心部件之一。其通過(guò)磁耦合傳輸驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)，實(shí)現(xiàn)控制電路與功率開關(guān)管的電氣隔離，保障系統(tǒng)安全穩(wěn)定運(yùn)行。然而，脈沖變...
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脈沖變壓器
驅(qū)動(dòng)電路
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高壓電源通常被理解為能夠產(chǎn)生幾千伏，甚至幾十千伏和幾百千伏電壓的設(shè)備。大多數(shù)情況下，這些電源在輸出時(shí)提供一定的電壓。當(dāng)用高壓進(jìn)行實(shí)驗(yàn)時(shí)，我們幾乎總是需要一個(gè)可變值的產(chǎn)生的高壓。有幾種方法可以實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，在這個(gè)項(xiàng)目中，我將...
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方波發(fā)生器
驅(qū)動(dòng)電路作為電源 IC 與 MOS 管的 “橋梁”，其選型需滿足三大核心要求：快速充放電能力(確保 MOS 管開關(guān)速度)、參數(shù)匹配性(適配 IC 驅(qū)動(dòng)能力與 MOS 特性)、穩(wěn)定性與損耗平衡(抑制振蕩并降低功耗)。具體需...
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開關(guān)速度
MOS管(金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的柵極氧化層極薄(通常只有幾納米)，輸入電阻極高(可達(dá)10?Ω以上)，而柵源極電容極小(通常為幾皮法至幾十皮法)，因此極易受外界電磁場(chǎng)或靜電感應(yīng)帶電。當(dāng)靜電電荷積累到一定程度時(shí)，...
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三極管(BJT)和MOS管(MOSFET)的核心區(qū)別在于?控制方式?：三極管是電流控制器件，通過(guò)基極電流驅(qū)動(dòng)集電極電流;MOS管是電壓控制器件，通過(guò)柵極電壓調(diào)控源漏極導(dǎo)通。????
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MOS管
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在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中，MOSFET作為核心開關(guān)器件，其開關(guān)過(guò)程產(chǎn)生的電壓尖峰和電磁干擾（EMI）問(wèn)題直接影響系統(tǒng)可靠性。RCD（電阻-電容-二極管）緩沖電路通過(guò)鉗位電壓尖峰、抑制振蕩，成為保護(hù)MOSFET的關(guān)鍵技術(shù)。本文從工...
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在工業(yè)自動(dòng)化、智能家居及新能源汽車等高可靠性應(yīng)用場(chǎng)景中，光電繼電器因其電氣隔離、抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，已成為替代傳統(tǒng)電磁繼電器的核心元件。然而，其驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)面臨低功耗與高響應(yīng)速度的矛盾：低功耗要求限制驅(qū)動(dòng)電流，而高響應(yīng)速...
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MOS管，其英文全稱是MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管。這種管子屬于場(chǎng)效應(yīng)管的一個(gè)分類，即絕緣柵型，因此，它...
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MOS管
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在開關(guān)電源等高頻應(yīng)用場(chǎng)景中，MOS管在導(dǎo)通和關(guān)斷的瞬間，會(huì)經(jīng)歷短暫的電壓電流交疊過(guò)程。這個(gè)過(guò)程中產(chǎn)生的損耗被稱為開關(guān)損耗。
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MOS管
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在顯示技術(shù)不斷革新的當(dāng)下，透明顯示以其獨(dú)特的視覺效果和廣泛的應(yīng)用前景，成為了研究的熱點(diǎn)領(lǐng)域。無(wú)論是智能窗戶、車載抬頭顯示，還是增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）眼鏡等，透明顯示都展現(xiàn)出了巨大的潛力。然而，要實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的透明顯示，像素驅(qū)動(dòng)電...
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驅(qū)動(dòng)電路
透明顯示
在開關(guān)電源中，如果MOS管的關(guān)斷和導(dǎo)通速度不夠快，也會(huì)產(chǎn)生附加的功率損耗?。
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?米勒效應(yīng)?是指MOS管在開關(guān)過(guò)程中，柵極和漏極之間的反向傳輸電容(Cgd)在開關(guān)作用下引起的瞬態(tài)變化現(xiàn)象。這種現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電壓和漏源電流在一段時(shí)間內(nèi)維持不變，形成一個(gè)“米勒平臺(tái)”，從而增加開關(guān)損耗，降低效率。
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