怎么做到MOS管的快速開(kāi)啟和關(guān)閉呢?
曾經(jīng)的我,還是一個(gè)單純的小攻城獅……
在科學(xué)技術(shù)高度發(fā)達(dá)的今天,各種各樣的高科技出現(xiàn)在我們的生活中,為我們的生活帶來(lái)便利,那么你知道這些高科技可能會(huì)含有的隔離電源與非隔離電源嗎?
功率MOS在使用過(guò)程中是否能夠安全持續(xù)的工作,是設(shè)計(jì)者必須要考慮的問(wèn)題,設(shè)計(jì)者在應(yīng)用MOS時(shí),必須考慮MOS的SOA區(qū)間,我們知道開(kāi)關(guān)電源中的MOS長(zhǎng)期工作在高電流高電壓下,很容易出現(xiàn)過(guò)熱燒毀的情況,如果散熱不及時(shí)的話,很容易發(fā)生爆炸。
對(duì)于電源工程師來(lái)說(shuō),很多時(shí)候都在看波形,比如看輸入波形、MOS開(kāi)關(guān)波形、電流波形、輸出二極管波形、芯片波形、MOS管的GS波形……
隨著社會(huì)的快速發(fā)展,我們的MOS管開(kāi)關(guān)電路也在快速發(fā)展,那么你知道MOS管開(kāi)關(guān)電路的詳細(xì)資料解析嗎?接下來(lái)讓小編帶領(lǐng)大家來(lái)詳細(xì)地了解有關(guān)的知識(shí)。MOS管開(kāi)關(guān)電路是利用MOS管柵極(g)控制MOS管源極(s)和漏極(d)通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道,所以開(kāi)關(guān)電路也主要分為兩種。
人類社會(huì)的進(jìn)步離不開(kāi)社會(huì)上各行各業(yè)的努力,各種各樣的電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代離不開(kāi)我們的設(shè)計(jì)者的努力,其實(shí)很多人并不會(huì)去了解電子產(chǎn)品的組成,比如MOS管。MOS管由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(10^7~10^12Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。
為什么有些電路用MOS管,而有些電路用IGBT管?
本文詳細(xì)介紹了電阻、電容、電感、二極管、三極管、mos管知識(shí)點(diǎn)。
如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS (根據(jù)擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。
在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中,目前常用二氧化硅作金屬鋁柵極和半導(dǎo)體之間的絕緣層,稱為金屬一氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱為MOSFET或者M(jìn)OS管。
H橋是一個(gè)典型的直流電機(jī)控制電路,因?yàn)樗碾娐沸螤羁崴谱帜窰,故得名與“H橋”。
靜電擊穿有兩種方式: 一是電壓型,即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿,形成針孔,使柵極
三極管,全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件,其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào), 也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。
現(xiàn)代單片機(jī)主要是采用CMOS工藝制成的。
本文簡(jiǎn)單總結(jié)了MOS管基礎(chǔ)知識(shí)。
本文簡(jiǎn)單總結(jié)了MOS管基本知識(shí)。
隨著全球多樣化的發(fā)展,我們的生活也在不斷變化著,包括我們接觸的各種各樣的電子產(chǎn)品,那么你一定不知道這些產(chǎn)品的一些組成,比如AC/DC電源控制芯片。
隨著全球多樣化的發(fā)展,我們的生活也在不斷變化著,包括我們接觸的各種各樣的電子產(chǎn)品,那么你一定不知道這些產(chǎn)品的一些組成,比如電源適配器。
在生活中,你可能接觸過(guò)各種各樣的電子產(chǎn)品,那么你可能并不知道它的一些組成部分,比如它可能含有的電源適配器,那么接下來(lái)讓小編帶領(lǐng)大家一起學(xué)習(xí)電源適配器。