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在當(dāng)今電子設(shè)備廣泛普及的時(shí)代,開關(guān)穩(wěn)壓電源作為核心供電部件,其性能優(yōu)劣直接影響著電子設(shè)備的整體表現(xiàn)。雙環(huán)反激開關(guān)穩(wěn)壓電源以其獨(dú)特的電路拓?fù)浜土己玫碾姎飧綦x特性,在中小功率應(yīng)用領(lǐng)域占據(jù)重要地位。然而,隨著對(duì)電源精度、穩(wěn)定性...
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開關(guān)穩(wěn)壓電源
雙環(huán)反激
電氣隔離
在現(xiàn)代電子設(shè)備的復(fù)雜電路體系中,光耦合器作為關(guān)鍵的電子元器件,承擔(dān)著信號(hào)隔離與傳輸?shù)闹匾姑?。從其誕生于 20 世紀(jì) 60 年代起,便因解決了電子信號(hào)在不同電路間傳輸時(shí)的隔離難題,迅速在電子領(lǐng)域嶄露頭角。光耦合器,簡(jiǎn)稱光...
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光耦合器
電子元器件
隔離
MOS管,其英文全稱是MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管。這種管子屬于場(chǎng)效應(yīng)管的一個(gè)分類,即絕緣柵型,因此,它...
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MOS管
場(chǎng)效應(yīng)管
在開關(guān)電源等高頻應(yīng)用場(chǎng)景中,MOS管在導(dǎo)通和關(guān)斷的瞬間,會(huì)經(jīng)歷短暫的電壓電流交疊過程。這個(gè)過程中產(chǎn)生的損耗被稱為開關(guān)損耗。
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MOS管
在網(wǎng)口 RJ45 與 PHY 的連接設(shè)計(jì)中,常會(huì)看到多個(gè)高壓電容并聯(lián)的電路布局,這一設(shè)計(jì)并非偶然,而是基于多方面的考量,對(duì)保障網(wǎng)絡(luò)通信的穩(wěn)定與安全起著關(guān)鍵作用。
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網(wǎng)口
高壓電容
隔離
在工業(yè)自動(dòng)化、汽車電子等領(lǐng)域,CAN(Controller Area Network)總線憑借其高可靠性、多主通信能力和良好的抗干擾性能,成為設(shè)備間數(shù)據(jù)傳輸?shù)氖走x。然而,在復(fù)雜的電磁環(huán)境中,CAN 總線易受各種干擾,導(dǎo)致...
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CAN
總線
隔離
上海 2025年6月4日 /美通社/ -- 在當(dāng)今的智能汽車領(lǐng)域,電子系統(tǒng)的復(fù)雜程度超乎想象。一輛現(xiàn)代汽車可能配備超過100個(gè)電子控制單元,運(yùn)行著數(shù)以億計(jì)行的代碼。而將這些系統(tǒng)緊密相連并使其協(xié)同工作的核心技術(shù)之一,便是...
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SoC
通信技術(shù)
智能汽車
隔離
上海2025年4月24日 /美通社/ -- 4月23日,在全球矚目的2025上海國(guó)際車展上,黑芝麻智能正式發(fā)布行業(yè)首創(chuàng)的安全智能底座,基于其武當(dāng)C1200家族跨域融合芯片打造。安全智能底座的發(fā)布標(biāo)志著智能汽車從"...
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智能汽車
智能底座
隔離
模塊化
在開關(guān)電源中,如果MOS管的關(guān)斷和導(dǎo)通速度不夠快,也會(huì)產(chǎn)生附加的功率損耗?。
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MOS管
?米勒效應(yīng)?是指MOS管在開關(guān)過程中,柵極和漏極之間的反向傳輸電容(Cgd)在開關(guān)作用下引起的瞬態(tài)變化現(xiàn)象。這種現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電壓和漏源電流在一段時(shí)間內(nèi)維持不變,形成一個(gè)“米勒平臺(tái)”,從而增加開關(guān)損耗,降低效率。
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MOS管
電容
IGBT的工作原理結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn),通過控制MOSFET的柵電壓來(lái)控制BJT的導(dǎo)通和截止。IGBT適合用于大電流、高電壓的開關(guān)任務(wù),具有低導(dǎo)通壓降和高功率處理能力?。
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MOS管
IGBT管
今天,小編將在這篇文章中為大家?guī)?lái)MOSFET的有關(guān)報(bào)道,通過閱讀這篇文章,大家可以對(duì)MOSFET具備清晰的認(rèn)識(shí),主要內(nèi)容如下。
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MOSFET
MOS管
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,...
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MOS管
IGBT管
MOS管的工作原理基于電場(chǎng)效應(yīng),即通過控制柵極電壓來(lái)改變柵源之間的電場(chǎng),從而控制源極和漏極之間的電流。當(dāng)柵極電壓超過一定閾值時(shí),會(huì)在柵極下方的半導(dǎo)體表面形成一層導(dǎo)電溝道,使源極和漏極之間導(dǎo)通。反之,當(dāng)柵極電壓低于閾值時(shí),...
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MOS管
電壓
今天,小編將在這篇文章中為大家?guī)?lái)MOS管的有關(guān)報(bào)道,通過閱讀這篇文章,大家可以對(duì)MOS管具備清晰的認(rèn)識(shí),主要內(nèi)容如下。
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MOS
MOS管
在這篇文章中,小編將對(duì)MOS管的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對(duì)MOS管的了解程度,和小編一起來(lái)閱讀以下內(nèi)容吧。
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MOS
MOS管
尖峰
在下述的內(nèi)容中,小編將會(huì)對(duì)MOS管的相關(guān)消息予以報(bào)道,如果MOS管是您想要了解的焦點(diǎn)之一,不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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MOS管
尖峰
一直以來(lái),MOS管都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對(duì)大家的興趣點(diǎn)所在,小編將為大家?guī)?lái)MOS管的相關(guān)介紹,詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)看下文。
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MOS管
擊穿
在這篇文章中,小編將對(duì)MOS管的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對(duì)它的了解程度,和小編一起來(lái)閱讀以下內(nèi)容吧。
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MOS管
電容
寄生電容
反激電源中MOS管出現(xiàn)兩次振鈴現(xiàn)象的主要原因是由于功率級(jí)寄生電容和電感引起的諧振?。
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反激電源
MOS管