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[導(dǎo)讀]一直以來,MOS管都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對大家的興趣點(diǎn)所在,小編將為大家?guī)鞰OS管的相關(guān)介紹,詳細(xì)內(nèi)容請看下文。

一直以來,MOS管都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對大家的興趣點(diǎn)所在,小編將為大家?guī)鞰OS管的相關(guān)介紹,詳細(xì)內(nèi)容請看下文。

一、MOS管擊穿問題分析

(一)MOS管被擊穿的原因

1. 高輸入電阻與小電容

MOS管的輸入電阻極高,而柵源極間的電容又非常小,這使得它們極易受到外界電磁場或靜電的影響。少量電荷就可以在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓,從而損壞MOS管。

2. 保護(hù)措施不足

盡管大多數(shù)MOS管的輸入端都配備了抗靜電保護(hù)措施,但這些措施往往不足以應(yīng)對極端情況。例如,當(dāng)瞬間輸入電流超過保護(hù)二極管的容限或靜電電壓過高時(shí),保護(hù)電路可能失去作用。

3. 操作不當(dāng)

在存儲(chǔ)、運(yùn)輸、組裝和調(diào)試過程中,如果操作不當(dāng),也可能導(dǎo)致MOS管被擊穿。例如,使用未接地的工具、工作臺(tái)或儀表,或者操作人員穿著易產(chǎn)生靜電的衣物,都可能對MOS管造成損害。

(二)解決方案

1. 改進(jìn)存儲(chǔ)和運(yùn)輸條件

為了減少靜電對MOS管的影響,建議在存儲(chǔ)和運(yùn)輸中使用金屬容器或?qū)щ姴牧线M(jìn)行包裝,并避免將它們放置在易產(chǎn)生靜電的化工材料或化纖織物中。這樣可以有效地防止靜電積累和放電。

2. 優(yōu)化組裝和調(diào)試環(huán)境

組裝和調(diào)試時(shí),工具、儀表和工作臺(tái)應(yīng)良好接地,以減少靜電的產(chǎn)生。操作人員應(yīng)避免穿著尼龍、化纖等易產(chǎn)生靜電的衣物,并在接觸集成塊前先接地。

3. 使用保護(hù)電阻和柵極電阻

在MOS管的輸入端串接保護(hù)電阻可以限制瞬間輸入電流,從而保護(hù)MOS管不被過大的電流損壞。同時(shí),連接?xùn)艠O電阻可以提供偏置電壓,并為場效應(yīng)管提供瀉放路徑,以保護(hù)柵極和源極之間的區(qū)域。

4. 正確焊接操作

焊接時(shí),電烙鐵必須可靠接地,以防止漏電擊穿器件輸入端。建議在斷電后利用電烙鐵的余熱進(jìn)行焊接,并先焊其接地管腳。

二、如何選取MOS管

法則之一:用N溝道orP溝道

選擇好MOS管器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應(yīng)用中,當(dāng)一個(gè)MOS管接地,而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí),該MOS管就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中,應(yīng)采用N溝道MOS管,這是出于對關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當(dāng)MOS管連接到總線及負(fù)載接地時(shí),就要用高壓側(cè)開關(guān)。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道MOS管,這也是出于對電壓驅(qū)動(dòng)的考慮。

法則之二:確定MOS管的額定電流

該額定電流應(yīng)是負(fù)載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似,確保所選的MOS管能承受這個(gè)額定電流,即使在系統(tǒng)產(chǎn)生尖峰電流時(shí)。兩個(gè)考慮的電流情況是連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導(dǎo)通模式下,MOS管處于穩(wěn)態(tài),此時(shí)電流連續(xù)通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件。一旦確定了這些條件下的最大電流,只需直接選擇能承受這個(gè)最大電流的器件便可。

法則之三:選擇MOS管的下一步是系統(tǒng)的散熱要求

須考慮兩種不同的情況,即最壞情況和真實(shí)情況。建議采用針對最壞情況的計(jì)算結(jié)果,因?yàn)檫@個(gè)結(jié)果提供更大的安全余量,能確保系統(tǒng)不會(huì)失效。

法則之四:選擇MOS管的最后一步是決定MOS管的開關(guān)性能

影響開關(guān)性能的參數(shù)有很多,但最重要的是柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容。這些電容會(huì)在器件中產(chǎn)生開關(guān)損耗,因?yàn)樵诿看伍_關(guān)時(shí)都要對它們充電。MOS管的開關(guān)速度因此被降低,器件效率也下降。為計(jì)算開關(guān)過程中器件的總損耗,要計(jì)算開通過程中的損耗(Eon)和關(guān)閉過程中的損耗(Eoff)。

以上所有內(nèi)容便是小編此次為大家?guī)淼挠嘘P(guān)MOS管的所有介紹,如果你想了解更多有關(guān)它的內(nèi)容,不妨在我們網(wǎng)站進(jìn)行探索哦。

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