開(kāi)關(guān)
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一種高性能紅外信號(hào)檢測(cè)開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
摘 要：這里設(shè)計(jì)的紅外信號(hào)檢測(cè)開(kāi)關(guān)目的是實(shí)現(xiàn)當(dāng)人體接近紅外信號(hào)檢測(cè)裝置時(shí)，依據(jù)信號(hào)處理結(jié)果自動(dòng)開(kāi)啟負(fù)載，如果人不離開(kāi)且在活動(dòng)，負(fù)載持續(xù)工作，直至人離開(kāi)后延時(shí)并關(guān)閉負(fù)載。該設(shè)計(jì)采用四元熱釋電紅外信號(hào)處理器
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循環(huán)開(kāi)關(guān)定時(shí)器
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單鍵十檔定時(shí)報(bào)警開(kāi)關(guān)
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便攜式充電設(shè)備開(kāi)關(guān)（Diodes）
Diodes公司應(yīng)用的高熱效率、超小型DFN封裝的雙器件組合技術(shù),推出便攜式充電設(shè)備的開(kāi)關(guān)。Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場(chǎng)總監(jiān)梁后權(quán)先生指出，DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一個(gè)20V的P溝道增強(qiáng)模式MOSFET與一個(gè)配套二極管組合封
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基于ARM的開(kāi)關(guān)量信號(hào) 采集模板的設(shè)計(jì)
基于ARM的開(kāi)關(guān)量信號(hào) 采集模板的設(shè)計(jì)
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STS輸入配電系統(tǒng)解決方案
1 配置負(fù)載自動(dòng)切換開(kāi)關(guān)的必要性 當(dāng)今的市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)和社會(huì)活動(dòng)對(duì)信息網(wǎng)絡(luò)(互聯(lián)網(wǎng)、電信網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制網(wǎng)、政府的電子政務(wù)網(wǎng)站等)的依賴程度是如此之高，那怕是僅幾分鐘的“網(wǎng)絡(luò)癱瘓”就可能會(huì)給公司，企業(yè)及行政管
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使用柵極電阻控制IGBT的開(kāi)關(guān)
1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過(guò)使用典型的+15V控制電壓（VG(
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使用柵極電阻控制IGBT的開(kāi)關(guān)
1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過(guò)使用典型的+15V控制電壓（VG(
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使用開(kāi)關(guān)恒流電路的充電器
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長(zhǎng)虹戰(zhàn)略重組紅星公司
近日，宜賓市人民政府與長(zhǎng)虹集團(tuán)戰(zhàn)略合作簽約儀式在宜賓翠屏山莊舉行。宜賓市委書(shū)記、市人大常委會(huì)主任楊冬生，市委副書(shū)記、市長(zhǎng)吳光鐳，市領(lǐng)導(dǎo)葛燎原、呂曉莉、王開(kāi)義、王力平以及長(zhǎng)虹集團(tuán)董事長(zhǎng)趙勇等出席簽字儀式
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使用開(kāi)關(guān)恒流電路的充電器
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DC～40 GHz反射型GaAs MMIC SPST開(kāi)關(guān)
介紹了基于GaAs PHEMT工藝設(shè)計(jì)的一款寬帶反射型MMIC SPST開(kāi)關(guān)的相關(guān)技術(shù)，基于成熟的微波單片集成電路設(shè)計(jì)平臺(tái)開(kāi)展了寬帶SPST開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)。工作頻率范圍為DC~40 GHz，插入損耗≤0．8 dB，隔離度≥25 dB，駐波比≤1．4：l。同時(shí)，對(duì)電路的通孔特性進(jìn)行了分析，對(duì)電路設(shè)計(jì)流程進(jìn)行了闡述。要獲得期望帶寬的開(kāi)關(guān)，如何選擇控制器件的通孔連接方式，以及通孔數(shù)量對(duì)插入損耗等性能的影響。最終，具有小尺寸和優(yōu)異微波性能的GaAs微波單片集成單刀單擲開(kāi)關(guān)電路成功開(kāi)發(fā)。
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歐姆龍：新挑戰(zhàn)、新市場(chǎng)、新技術(shù)，逆勢(shì)而上的新機(jī)遇
時(shí)值金融風(fēng)暴席卷全球一年之際，國(guó)際各大電子企業(yè)對(duì)全球市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)并未像預(yù)期一樣喪失信心，尤其是在中國(guó)市場(chǎng)，國(guó)家相關(guān)政策的扶持和強(qiáng)大內(nèi)需的拉動(dòng)，使得電子廠商對(duì)中國(guó)市場(chǎng)充滿信心，并在經(jīng)濟(jì)危機(jī)的迷霧中探尋出一個(gè)
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緊湊型單極三擲開(kāi)關(guān)（Intersil）
Intersil公司發(fā)布兩款緊湊型單極三擲開(kāi)關(guān) --- ISL54214和ISL54217，可消除手持設(shè)備中連接器過(guò)于擁塞的狀況，為業(yè)界提供了最佳的解決方案。新款I(lǐng)SL54214雙SP3T（單極三擲）開(kāi)關(guān)或3:1復(fù)用器采用低工作電壓，將低抖動(dòng)音
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強(qiáng)電磁脈沖對(duì)單片機(jī)系統(tǒng)的輻照效應(yīng)實(shí)驗(yàn)研究
目前，電磁環(huán)境日趨惡劣，電子系統(tǒng)工作的可靠性和安全性受到了嚴(yán)重威脅。研究在復(fù)雜的電磁環(huán)境下，特別是在核電磁脈沖(NEMP)、雷電電磁脈沖(LEMP)和高功率微波(HPM)等強(qiáng)電磁環(huán)境下，電子系統(tǒng)的電磁兼容性問(wèn)題顯得尤為
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強(qiáng)電磁脈沖對(duì)單片機(jī)系統(tǒng)的輻照效應(yīng)實(shí)驗(yàn)研究
目前，電磁環(huán)境日趨惡劣，電子系統(tǒng)工作的可靠性和安全性受到了嚴(yán)重威脅。研究在復(fù)雜的電磁環(huán)境下，特別是在核電磁脈沖(NEMP)、雷電電磁脈沖(LEMP)和高功率微波(HPM)等強(qiáng)電磁環(huán)境下，電子系統(tǒng)的電磁兼容性問(wèn)題顯得尤為
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基于SRAM的FPGA連線資源的一種可測(cè)性設(shè)計(jì)
本文提出在FPGA芯片內(nèi)插入多條移位寄存器鏈的方法，可使測(cè)試開(kāi)關(guān)盒連線資源的時(shí)問(wèn)比傳統(tǒng)的測(cè)試方法和已有的一種方法時(shí)間上減少了99％以上，大大降低了測(cè)試的時(shí)間，降低了測(cè)試成本，并且消耗的硬件面積比大約在5％左右，在可接受的范圍內(nèi)。
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