
在Synopsys 的協(xié)助下,臺灣聯(lián)電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術的測試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動14nm制程FinFET產品的制造,而這次這款測試芯片完成流片設計則顯然向實現(xiàn)
加州伯克利大學教授胡正明確信硅的日子屈指可數(shù),下一代或下下一代人將不會再使用硅,將會有更好的材料去取代硅。硅基晶體管無法一直縮小下去,芯片公司已經考慮用其它材料取代硅,其中的熱門替代材料包括鍺和半導體
在Synopsys 的協(xié)助下,臺灣聯(lián)電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術的測試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動14nm制程FinFET產品的制造,而這次這款測試芯片完成流片設計則顯然向實現(xiàn)
微電池是指由同一鋼筋提供陰極和陽極的銹蝕電池,陽極為鋼筋未生銹部分,陰極為鋼筋上鐵的氧化物,微型電池中應用最普遍、用量最大的是紐扣式鋅-氧化銀電池。隨著電子元件的小型化,特別是晶體管和集成電路的出現(xiàn)而
據(jù)美國每日科學網(wǎng)站6月21日報道,美國科學家首次利用納米尺度的絕緣體氮化硼以及金量子點,實現(xiàn)量子隧穿效應,制造出了沒有半導體的晶體管。該成果有望開啟新的電子設備時代。幾十年來,電子設備變得越來越小,科學家
硅基晶體管無法一直縮小下去,芯片公司已經考慮用其它材料取代硅,其中的熱門替代材料包括鍺和半導體化合物III-V。加州伯克利大學教授胡正明確信硅的日子屈指可數(shù),下一代或下下一代人將不會再使用硅,將會有更好的材
硅基晶體管無法一直縮小下去,芯片公司已經考慮用其它材料取代硅,其中的熱門替代材料包括鍺和半導體化合物III-V。加州伯克利大學教授胡正明確信硅的日子屈指可數(shù),下一代或下下一代人將不會再使用硅,將會有更好的材
加州伯克利大學教授胡正明確信硅的日子屈指可數(shù),下一代或下下一代人將不會再使用硅,將會有更好的材料去取代硅。硅基晶體管無法一直縮小下去,芯片公司已經考慮用其它材料取代硅,其中的熱門替代材料包括鍺和半導體
加州伯克利大學教授胡正明確信硅的日子屈指可數(shù),下一代或下下一代人將不會再使用硅,將會有更好的材料去取代硅。硅基晶體管無法一直縮小下去,芯片公司已經考慮用其它材料
所提出的穩(wěn)壓電源電路的主要特征之一是,雖然固定電壓穩(wěn)壓器LM7805的電路中使用時,其輸出電壓是可變的。這是通過連接一個公共端子穩(wěn)壓器IC和地面之間的電位。對于每一個10
電阻的封裝電阻的PCB封裝常用的有:RES1,RES2,RES3,RES4;封裝屬性為axial系列電阻:AXIAL0.3-AXIAL0.7 其中0.4-0.7指電阻的長度,一般用AXIAL0.4貼片電阻的封裝0603表
一款晶體管光電控制器電路
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布開發(fā)全球首款掩膜式只讀存儲器(MROM)單元,以提供更好的單元電流特性,并且單元尺寸不會增加。這一進展是通過采用多層單元結構實現(xiàn)的,該結構還可以保證高速運轉。詳細
摘要:為了找到并糾正抗輻射晶體管3DK9DRH貯存失效的原因,利用外部檢查、電性能測試、檢漏、內部水汽檢測、開封檢查等試驗完成了對晶體管3DK9DRH的一種貯存失效分析。結果表明晶體管存在工藝問題,內部未進行水汽控
FPGA在系統(tǒng)中表現(xiàn)出的特性是由芯片制造的半導體工藝決定的,當然它們之間的關系比較復雜。過去,在每一節(jié)點會改進工藝的各個方面,每一新器件的最佳工藝選擇是尺寸最小的最新工藝?,F(xiàn)在,情況已不再如此。取而代之的
晶體管在計算機內充當微型的電子或電流開關,而科學家正研制能利用光開關的芯片元件。上周MIT研究人員領導的一個團隊報告他們創(chuàng)造出一個用單光子開關的晶體管。 MIT的Wenl
LA5511原理框圖及典型應用電路
簡化等效電路
本文是以高競爭率著稱的IEDM(International Electron Devices Meeting,國際電子元件會議)的回顧。在2012年12月于美國舉行的“IEDM 2012”上,被采用的4篇論文中,有2篇是有關氧化物半導體的成果??梢钥闯鯯i(硅)
一款簡單的三相無刷步進電機驅動電路