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氮化鎵（GaN）器件在高頻電源中的應用：選型與驅動電路設計
隨著5G通信、電動汽車快充和航空航天等領域的快速發(fā)展，高頻電源對功率器件的性能要求日益嚴苛。氮化鎵（GaN）憑借其3倍于硅的電子遷移率和10倍于硅的臨界擊穿場強，成為高頻電源設計的理想選擇。某通信基站電源廠商采用GaN器件后，開關頻率從100kHz提升至1MHz，功率密度提高4倍，系統(tǒng)效率突破96%。本文從器件選型和驅動設計兩個維度，系統(tǒng)闡述GaN在高頻電源中的關鍵技術。
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服務器電源、電動車(EV)以及無線充電成 GaN 增長三大源動力
在當今快速發(fā)展的電子領域，氮化鎵(GaN)技術正憑借其卓越的性能，在眾多應用市場中嶄露頭角，其普及率在近年來得到了顯著提升。據相關數據顯示，全球 GaN 功率元件市場規(guī)模預估從 2023 年的 2.71 億美元左右上升至 2030 年的 43.76 億美元，年復合增長率(CAGR)高達 49%。GaN System 中國區(qū)總經理林志彥表示，服務器電源、電動車(EV)以及無線充電將是驅動 GaN 快速成長的三大關鍵市場。
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氮化鎵(GaN)技術：推動電源管理的革新力量
在當今數字化時代，電子設備的廣泛應用使得電源管理成為了一個至關重要的領域。從智能手機、筆記本電腦到數據中心、電動汽車，高效的電源管理對于設備的性能、能效和尺寸都起著決定性作用。近年來，氮化鎵(GaN)技術的興起，為電源管理帶來了前所未有的變革，正逐漸成為推動電源管理不斷革新的關鍵力量。
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為什么氮化鎵(GaN)成為第三代半導體材料的杰出代表
氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料的杰出代表，在T=300K時展現出卓越的性能，成為半導體照明中發(fā)光二極管的核心成分。
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氮化鎵雙向開關推動電力電子技術變革
單器件雙向控制，開啟無限可能
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作為領先的垂直整合制造商（IDM），英飛凌在 300mm氮化鎵生產路線圖方面取得突破
【2025年7月3日，德國慕尼黑訊】隨著氮化鎵（GaN，以下同）半導體需求的持續(xù)增長，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正抓住這一趨勢，鞏固其作為GaN市場領先垂直整合制造商（IDM，以下同）的地位。近日，公司宣布其在 300mm晶圓上的可擴展GaN生產已步入正軌。隨著首批樣品將于2025年第四季度向客戶提供，英飛凌有望擴大客戶群體，并進一步鞏固其作為領先氮化鎵巨頭的地位。
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如何在開關模式電源中運用氮化鎵技術
本文闡釋了在開關模式電源中使用氮化鎵(GaN)開關所涉及的獨特考量因素和面臨的挑戰(zhàn)。文中提出了一種以專用GaN驅動器為形式的解決方案，可提供必要的功能，打造穩(wěn)固可靠的設計。此外，本文還建議將LTspice?作為合適的工具鏈來使用，以便成功部署GaN開關。
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意法半導體宣布擴大在新加坡的“Lab-in-Fab”廠內實驗室合作項目，推進壓電MEMS技術的開發(fā)應用
2025年5月29日，中國--服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)日前宣布與新加坡科技研究局微電子研究所 (A*STAR IME) 和愛發(fā)科 (ULVAC) 合作，共同拓展意法半導體在新加坡的“廠內實驗室”(LiF)合作項目。新一期項目包括與新加坡科技研究局材料研究與工程研究所 (A*STAR IMRE) 以及新加坡國立大學 (NUS)的合作項目。
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英飛凌推出650 V CoolGaN? G5雙向開關，提升功率系統(tǒng)的效率和可靠性
【2025年5月26日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了一款能夠主動雙向阻斷電壓和電流的氮化鎵（GaN）開關——650 V CoolGaN? G5雙向開關（BDS）。該產品采用共漏極設計和雙柵極結構，是一款使用英飛凌強大柵極注入晶體管（GIT）技術和CoolGaN?技術的單片雙向開關，能夠有效替代轉換器中常用的傳統(tǒng)背靠背開關。
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英飛凌推出用于高壓應用的EasyPACK? CoolGaN? 功率模塊，進一步擴大其氮化鎵功率產品組合
【2025年5月15日, 德國慕尼黑訊】隨著AI數據中心的快速發(fā)展、電動汽車的日益普及，以及全球數字化和再工業(yè)化趨勢的持續(xù)，預計全球對電力的需求將會快速增長。為應對這一挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出EasyPACK? CoolGaN? 650 V晶體管模塊，進一步擴大其持續(xù)壯大的氮化鎵（GaN）功率產品組合。該模塊基于Easy Power Module平臺，專為數據中心、可再生能源系統(tǒng)、直流電動汽車充電樁等大功率應用開發(fā)。它能滿足日益增長的高性能需求，提供更大的易用性，幫助客戶加快設計進程，縮短產品上市時間。
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GaN 功率器件：提升電源管理設計的秘訣
在當今的電子設備領域，電源管理設計至關重要，其性能直接影響著設備的整體表現。隨著科技的不斷進步，氮化鎵(GaN)功率器件應運而生，為電源管理設計帶來了新的突破和提升。
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GaN 車載應用已成趨勢
在全球汽車產業(yè)加速向電氣化、智能化轉型的浪潮中，功率半導體技術的革新成為關鍵驅動力。氮化鎵(GaN)作為一種新興的寬禁帶半導體材料，正憑借其獨特的性能優(yōu)勢，逐漸在車載應用領域嶄露頭角，成為行業(yè)矚目的焦點。從當前發(fā)展態(tài)勢來看，GaN 車載應用已成不可逆轉的趨勢。
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氮化鎵（GaN）快充芯片技術：小型化與能效提升的雙重突破
在消費電子設備日益普及的今天，用戶對充電速度和設備便攜性的需求不斷攀升。傳統(tǒng)的硅基快充芯片在滿足這些需求方面逐漸力不從心，而氮化鎵（GaN）快充芯片技術的出現，為快充領域帶來了小型化與能效提升的雙重突破。
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氮化鎵器件的發(fā)展之路并非一帆風順
在半導體領域，氮化鎵(GaN)器件以其卓越的性能優(yōu)勢，如高電子遷移率、高擊穿電場、低導通電阻等，被視為極具潛力的下一代功率器件，有望在眾多領域掀起變革。然而，盡管前景誘人，氮化鎵器件的發(fā)展之路并非一帆風順，諸多不利因素成為其大規(guī)模推廣應用的絆腳石。
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意法半導體與英諾賽科簽署氮化鎵技術開發(fā)與制造協議
2025年4月1日，中國蘇州 — 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵(GaN-on-Si)制造全球領軍企業(yè)英諾賽科(香港聯合交易所股票代碼:02577.HK)，共同宣布簽署了一項氮化鎵技術開發(fā)與制造協議。雙方將充分發(fā)揮各自優(yōu)勢，提升氮化鎵功率解決方案的競爭力和供應鏈韌性。
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芯向未來 ，2025 英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng)新大會成功舉辦
上海2025年3月17日 /美通社/ -- 3月14日， "2025 英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng)新大會"（ICIC 2025，以下同）在深圳舉行。本屆大會匯聚600多位業(yè)界精英，就AI、機器人、邊緣計算、氮化鎵應用等話題展開了精彩探討，首次在國內展示了英飛凌兩款...
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阻礙氮化鎵器件發(fā)展的不利因素
氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料的杰出代表，憑借其寬禁帶寬度、高擊穿電壓、高熱導率、高電子飽和漂移速度等卓越特性，在光電子、電力電子、射頻微波等諸多領域展現出了巨大的應用潛力。然而，如同任何新興技術一樣，氮化鎵器件在發(fā)展過程中也面臨著一系列嚴峻的挑戰(zhàn)，這些不利因素在一定程度上阻礙了其大規(guī)模商業(yè)化應用與進一步的技術突破。
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芯向未來 ，2025 英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng)新大會成功舉辦
【2025年3月17日, 中國上海訊】3月14日， “2025 英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng)新大會”(ICIC 2025，以下同)在深圳舉行。本屆大會匯聚600多位業(yè)界精英，就AI、機器人、邊緣計算、氮化鎵應用等話題展開了精彩探討，首次在國內展示了英飛凌兩款突破性技術——300mm氮化鎵功率半導體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓，彰顯了英飛凌在技術創(chuàng)新領域的領先地位，并解讀最新產品與解決方案，為行業(yè)注入新動能，助力企業(yè)在低碳數字變革的浪潮中把握先機。
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英飛凌 CoolGaN?功率晶體管賦能SounDigital放大器，更小尺寸、更高保真
【2025年3月3日, 德國慕尼黑訊】由于市場對于音頻設備的緊湊、輕便、高集成度和節(jié)能的需求越來越高，領先的音頻設備制造商在不斷提高音質的同時，也在努力滿足這一需求。另外，他們還必須實現無縫連接、保證成本效益，并提供對用戶友好的功能，這使得音頻產品的開發(fā)變得更加復雜。為了解決這些難題，SounDigital在其全新1500 W D類放大器中集成了英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的 CoolGaN?晶體管，支持800 kHz開關頻率和五個通道，借助英飛凌先進的氮化鎵（GaN）技術，將其能效提升了 5%，能量損耗降低了 60%。
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碳化硅 SiC、氮化鎵 GaN 器件的介紹及未來市場
在半導體技術持續(xù)迭代的進程中，碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)器件作為第三代半導體的杰出代表，憑借其卓越的性能優(yōu)勢，正逐步改寫著電子產業(yè)的格局，成為推動眾多領域變革的關鍵力量。深入了解這兩種器件的特性、應用現狀以及未來市場走向，對于把握半導體行業(yè)發(fā)展脈搏意義重大。
