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安森美發(fā)布中國戰(zhàn)略，推動創(chuàng)新，加速全球增長
安森美將上海設(shè)立為大中華區(qū)總部，并公布任命中國區(qū)總經(jīng)理的計劃
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英飛凌推出集成式半橋解決方案CoolGaN? Drive HB 600 V G5，進一步提升氮化鎵的易用性
【2026年3月4日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出CoolGaN? Drive HB 600 V G5產(chǎn)品系列，進一步擴大了其CoolGaN?產(chǎn)品組合。四款新產(chǎn)品IGI60L1111B1M、IGI60L1414B1M、IGI60L2727B1M和IGI60L5050B1M均采用半橋配置并在其中集成了兩個600V氮化鎵(GaN)開關(guān)，帶有高低側(cè)柵極驅(qū)動器與自舉二極管，提供緊湊且散熱優(yōu)化的功率級，進一步降低設(shè)計復(fù)雜度。
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英飛凌發(fā)布《2026年GaN技術(shù)展望》：技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域氮化鎵高速增長
【2026年2月10日, 德國慕尼黑訊】氮化鎵(GaN)電源解決方案的普及正推動功率電子行業(yè)迎來一場重大變革。全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)發(fā)布《2026年GaN技術(shù)展望》，深度解析GaN的技術(shù)現(xiàn)狀、應(yīng)用場景及未來前景，為行業(yè)提供重要參考。
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氮化鎵“攻入”汽車主驅(qū)深水區(qū)：VisIC如何用D型技術(shù)顛覆SiC的行業(yè)共識？
在第三代半導(dǎo)體的版圖中，行業(yè)似乎早已形成了一種“默契共識”——碳化硅（SiC）主導(dǎo)電動汽車高壓主驅(qū)，氮化鎵（GaN）則局限于消費快充與車載OBC等輔助電源領(lǐng)域——牽引逆變器，是SiC的絕對專屬領(lǐng)地。然而，VisIC的GaN將會改寫這一格局，在80-350kW的大功率主驅(qū)逆變器中，氮化鎵不僅能做高壓，而且在效率、可靠性與系統(tǒng)成本上，正展現(xiàn)出超越碳化硅的巨大潛力。
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氮化鎵技術(shù)在開關(guān)模式電源中的應(yīng)用之道
隨著5G通信、電動汽車快充、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域?qū)﹄娫葱⌒突⒏咝实男枨笕找嫫惹?，傳統(tǒng)硅基器件已難以突破性能瓶頸。氮化鎵(GaN)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體的核心代表，憑借其卓越的電學(xué)特性，正重塑開關(guān)模式電源(SMPS)的設(shè)計理念與性能邊界。將氮化鎵技術(shù)科學(xué)應(yīng)用于開關(guān)模式電源，需從器件特性認知、電路設(shè)計優(yōu)化、挑戰(zhàn)應(yīng)對等多維度系統(tǒng)推進，方能充分釋放其技術(shù)優(yōu)勢。
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脈沖雷達中 GaN MMIC 功率放大器的電源管理技術(shù)研究
氮化鎵(GaN)基單片微波集成電路(MMIC)功率放大器憑借高擊穿電壓、寬禁帶寬度、高電子遷移率等優(yōu)勢，已成為現(xiàn)代脈沖雷達系統(tǒng)的核心器件。其在高頻段(X 波段及以上)可實現(xiàn)高輸出功率、高效率和小型化集成，顯著提升雷達的探測距離、分辨率和抗干擾能力。然而，GaN MMIC 功率放大器的非線性特性、高峰值電流需求及脈沖工作模式，對電源管理系統(tǒng)提出了嚴苛挑戰(zhàn)。電源管理的性能直接決定了功率放大器的輸出穩(wěn)定性、效率指標和可靠性，是脈沖雷達系統(tǒng)設(shè)計中的關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié)。本文將圍繞脈沖雷達應(yīng)用場景，深入探討 GaN MMIC 功率放大器的電源管理需求、核心技術(shù)及實現(xiàn)方案。
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安森美攜手格羅方德開發(fā)下一代氮化鎵功率器件
此次合作拓展了安森美功率產(chǎn)品組合，涵蓋面向AI數(shù)據(jù)中心、汽車、航空航天及其他關(guān)鍵市場的高性能650V橫向氮化鎵(GaN)解決方案。
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在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)的注意事項
本文詳細討論了GaN技術(shù)，解釋了如何在開關(guān)模式電源中使用此類寬禁帶開關(guān)，介紹了電路示例，并闡述了使用專用GaN驅(qū)動器和控制器的優(yōu)勢。而且，文中展示了LTspice?工具，以幫助理解GaN開關(guān)在電源中的使用情況。最后，展望了GaN技術(shù)的未來。
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英飛凌榮獲全球半導(dǎo)體聯(lián)盟(GSA)頒發(fā)的“EMEA杰出半導(dǎo)體企業(yè)”大獎
【2025年12月10日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)榮獲由全球半導(dǎo)體聯(lián)盟(以下簡稱“GSA”)頒發(fā)的“歐洲、中東及非洲杰出半導(dǎo)體企業(yè)”大獎。該獎項在GSA年度頒獎盛典上揭曉，旨在表彰通過遠見卓識、創(chuàng)新能力、卓越執(zhí)行力和未來發(fā)展機遇取得卓越成就的個人與企業(yè)。
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美國國際貿(mào)易委員會裁定英飛凌在針對英諾賽科的一項專利侵權(quán)案中勝訴
美國國際貿(mào)易委員會的最終裁定可能導(dǎo)致英諾賽科涉嫌侵權(quán)的產(chǎn)品被禁止進口至美國 該裁決是又一項積極結(jié)果，彰顯了英飛凌在業(yè)界領(lǐng)先的專利組合的價值 氮化鎵?(GaN) 在實現(xiàn)高性能、高能效功率系統(tǒng)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用 德國慕尼黑2025年12月3日 /美通社/...
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安森美與英諾賽科達成戰(zhàn)略合作協(xié)議，共同加速推進全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設(shè)
此次合作將建立高產(chǎn)能、成本優(yōu)化的全球 GaN 制造體系，加速高能效功率器件的市場部署
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英飛凌 XDP? 混合反激式控制器與 CoolGaN? 技術(shù)賦能安克業(yè)界領(lǐng)先的 160W Prime 充電器
【2025年11月28日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY)宣布與領(lǐng)先的快充電源設(shè)備制造商安克(Anker)擴大合作，共同開發(fā)新一代高速充電器，實現(xiàn)高達 160W 功率的輸出，同時保持緊湊、便攜的口袋級尺寸。這一合作成果正在重新定義高功率密度和高效率的行業(yè)標準，尤其體現(xiàn)在安克推出的 160W Prime 充電器上。這款業(yè)界領(lǐng)先的設(shè)備采用英飛凌最新的 XDP? 數(shù)字控制器以及基于氮化鎵(GaN)的 CoolGaN? 晶體管技術(shù)，實現(xiàn)了如信用卡般小巧的設(shè)計，使其成為旅行者和專業(yè)人士的理想選擇。
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英飛凌氮化鎵技術(shù)賦能Enphase Energy新一代IQ9光伏微型逆變器
【2025年11月21日, 德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY)近日宣布將為Enphase Energy, Inc.(ENPH)新一代光伏微型逆變器提供其突破性的氮化鎵(GaN)技術(shù)。Enphase Energy是一家全球領(lǐng)先的能源技術(shù)公司，同時也是光伏及電池系統(tǒng)微型逆變器領(lǐng)域全球領(lǐng)先的供應(yīng)商。英飛凌的CoolGaN?雙向開關(guān)(BDS)技術(shù)可大幅提升Enphase IQ9系列微型逆變器的輸出功率、能源效率及系統(tǒng)可靠性，有助于簡化新一代IQ9N-3P?商用微型逆變器的設(shè)計復(fù)雜性，并降低其安裝和系統(tǒng)平衡成本。
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英飛凌推出首款100V車規(guī)級晶體管，推動汽車領(lǐng)域氮化鎵(GaN)技術(shù)創(chuàng)新
【2025年11月5日, 德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)宣布推出其首款符合汽車電子委員會(AEC)汽車應(yīng)用標準的氮化鎵(GaN)晶體管系列，繼續(xù)朝著成為GaN技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)的目標邁進，并進一步鞏固了其全球汽車半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者的地位。
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安森美發(fā)布垂直氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體：為人工智能(AI)與電氣化領(lǐng)域帶來突破性技術(shù)
安森美基于全新GaN-on-GaN技術(shù)，其垂直GaN架構(gòu)為功率密度、能效和耐用性樹立新標桿
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借助高能效 GaN 轉(zhuǎn)換器，提升充電器和適配器設(shè)計的功率密度
在消費電子、工業(yè)設(shè)備以及新能源領(lǐng)域，充電器和適配器作為能量傳輸?shù)年P(guān)鍵環(huán)節(jié)，其性能指標直接影響著設(shè)備的使用體驗與能源利用效率。隨著各類電子設(shè)備向小型化、便攜化以及高功率需求方向發(fā)展，傳統(tǒng)基于硅(Si)材料的功率器件已逐漸難以滿足市場對高功率密度充電器和適配器的設(shè)計需求。而高能效氮化鎵(GaN)轉(zhuǎn)換器的出現(xiàn)，為這一領(lǐng)域帶來了革命性的突破，成為提升充電器和適配器功率密度的核心解決方案。
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Power Integrations發(fā)布新技術(shù)白皮書，深度解讀適用于下一代800VDC AI 數(shù)據(jù)中心的1250V和1700V PowiGaN技術(shù)
該公司正在與英偉達(NVIDIA)合作開發(fā)800VDC供電架構(gòu)；新發(fā)布的白皮書剖析了1250V PowiGaN技術(shù)相較于650V GaN和1200V SiC的優(yōu)勢
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氮化鎵（GaN）器件在低紋波電源中的應(yīng)用，高頻開關(guān)與低反向恢復(fù)損耗的協(xié)同優(yōu)勢
在低紋波電源設(shè)計領(lǐng)域，氮化鎵(GaN)器件正以獨特的材料特性重塑技術(shù)邊界。其核心優(yōu)勢源于高頻開關(guān)能力與零反向恢復(fù)損耗的協(xié)同效應(yīng)，這一組合不僅突破了傳統(tǒng)硅基器件的物理極限，更在電源效率、體積優(yōu)化及信號純凈度方面展現(xiàn)出革命性突破。
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氮化鎵充電器和普通充電器的區(qū)別
在這個電子設(shè)備不離身的時代，充電器作為設(shè)備的 “能量補給站”，其重要性不言而喻。隨著科技的飛速發(fā)展，氮化鎵充電器逐漸走進大眾視野，它與我們常見的普通充電器相比，有著諸多顯著的區(qū)別。這些區(qū)別不僅體現(xiàn)在技術(shù)層面，更直接影響著我們的使用體驗。接下來，就讓我們深入探究氮化鎵充電器和普通充電器的不同之處。
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氮化鎵正逐步改變著電源管理設(shè)計的格局
氮化鎵(GaN)技術(shù)作為一種寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)，近年來在開關(guān)模式電源(SMPS)領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的潛力。與傳統(tǒng)的硅基 MOSFET 相比，GaN 技術(shù)具有諸多優(yōu)勢，為開關(guān)模式電源的設(shè)計帶來了新的思路和方法，正逐步改變著電源管理設(shè)計的格局。
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