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氮化鎵技術在開關模式電源中的應用之道
隨著5G通信、電動汽車快充、數(shù)據(jù)中心等領域對電源小型化、高效率的需求日益迫切，傳統(tǒng)硅基器件已難以突破性能瓶頸。氮化鎵(GaN)作為第三代寬禁帶半導體的核心代表，憑借其卓越的電學特性，正重塑開關模式電源(SMPS)的設計理念與性能邊界。將氮化鎵技術科學應用于開關模式電源，需從器件特性認知、電路設計優(yōu)化、挑戰(zhàn)應對等多維度系統(tǒng)推進，方能充分釋放其技術優(yōu)勢。
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脈沖雷達中 GaN MMIC 功率放大器的電源管理技術研究
氮化鎵(GaN)基單片微波集成電路(MMIC)功率放大器憑借高擊穿電壓、寬禁帶寬度、高電子遷移率等優(yōu)勢，已成為現(xiàn)代脈沖雷達系統(tǒng)的核心器件。其在高頻段(X 波段及以上)可實現(xiàn)高輸出功率、高效率和小型化集成，顯著提升雷達的探測距離、分辨率和抗干擾能力。然而，GaN MMIC 功率放大器的非線性特性、高峰值電流需求及脈沖工作模式，對電源管理系統(tǒng)提出了嚴苛挑戰(zhàn)。電源管理的性能直接決定了功率放大器的輸出穩(wěn)定性、效率指標和可靠性，是脈沖雷達系統(tǒng)設計中的關鍵技術環(huán)節(jié)。本文將圍繞脈沖雷達應用場景，深入探討 GaN MMIC 功率放大器的電源管理需求、核心技術及實現(xiàn)方案。
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安森美攜手格羅方德開發(fā)下一代氮化鎵功率器件
此次合作拓展了安森美功率產(chǎn)品組合，涵蓋面向AI數(shù)據(jù)中心、汽車、航空航天及其他關鍵市場的高性能650V橫向氮化鎵(GaN)解決方案。
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在開關模式電源中使用氮化鎵技術的注意事項
本文詳細討論了GaN技術，解釋了如何在開關模式電源中使用此類寬禁帶開關，介紹了電路示例，并闡述了使用專用GaN驅動器和控制器的優(yōu)勢。而且，文中展示了LTspice?工具，以幫助理解GaN開關在電源中的使用情況。最后，展望了GaN技術的未來。
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英飛凌榮獲全球半導體聯(lián)盟(GSA)頒發(fā)的“EMEA杰出半導體企業(yè)”大獎
【2025年12月10日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)榮獲由全球半導體聯(lián)盟(以下簡稱“GSA”)頒發(fā)的“歐洲、中東及非洲杰出半導體企業(yè)”大獎。該獎項在GSA年度頒獎盛典上揭曉，旨在表彰通過遠見卓識、創(chuàng)新能力、卓越執(zhí)行力和未來發(fā)展機遇取得卓越成就的個人與企業(yè)。
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美國國際貿易委員會裁定英飛凌在針對英諾賽科的一項專利侵權案中勝訴
美國國際貿易委員會的最終裁定可能導致英諾賽科涉嫌侵權的產(chǎn)品被禁止進口至美國 該裁決是又一項積極結果，彰顯了英飛凌在業(yè)界領先的專利組合的價值 氮化鎵?(GaN) 在實現(xiàn)高性能、高能效功率系統(tǒng)方面發(fā)揮著關鍵作用 德國慕尼黑2025年12月3日 /美通社/...
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安森美與英諾賽科達成戰(zhàn)略合作協(xié)議，共同加速推進全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設
此次合作將建立高產(chǎn)能、成本優(yōu)化的全球 GaN 制造體系，加速高能效功率器件的市場部署
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英飛凌 XDP? 混合反激式控制器與 CoolGaN? 技術賦能安克業(yè)界領先的 160W Prime 充電器
【2025年11月28日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY)宣布與領先的快充電源設備制造商安克(Anker)擴大合作，共同開發(fā)新一代高速充電器，實現(xiàn)高達 160W 功率的輸出，同時保持緊湊、便攜的口袋級尺寸。這一合作成果正在重新定義高功率密度和高效率的行業(yè)標準，尤其體現(xiàn)在安克推出的 160W Prime 充電器上。這款業(yè)界領先的設備采用英飛凌最新的 XDP? 數(shù)字控制器以及基于氮化鎵(GaN)的 CoolGaN? 晶體管技術，實現(xiàn)了如信用卡般小巧的設計，使其成為旅行者和專業(yè)人士的理想選擇。
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碳化硅與氮化鎵：功率電子革命的先鋒
在電力電子技術發(fā)展歷程中，材料創(chuàng)新始終是推動行業(yè)變革的核心動力。從硅(Si)到碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的跨越，標志著功率電子器件從傳統(tǒng)硅基向寬禁帶半導體時代的邁進。
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英飛凌氮化鎵技術賦能Enphase Energy新一代IQ9光伏微型逆變器
【2025年11月21日, 德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY)近日宣布將為Enphase Energy, Inc.(ENPH)新一代光伏微型逆變器提供其突破性的氮化鎵(GaN)技術。Enphase Energy是一家全球領先的能源技術公司，同時也是光伏及電池系統(tǒng)微型逆變器領域全球領先的供應商。英飛凌的CoolGaN?雙向開關(BDS)技術可大幅提升Enphase IQ9系列微型逆變器的輸出功率、能源效率及系統(tǒng)可靠性，有助于簡化新一代IQ9N-3P?商用微型逆變器的設計復雜性，并降低其安裝和系統(tǒng)平衡成本。
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英飛凌推出首款100V車規(guī)級晶體管，推動汽車領域氮化鎵(GaN)技術創(chuàng)新
【2025年11月5日, 德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)宣布推出其首款符合汽車電子委員會(AEC)汽車應用標準的氮化鎵(GaN)晶體管系列，繼續(xù)朝著成為GaN技術領導企業(yè)的目標邁進，并進一步鞏固了其全球汽車半導體領導者的地位。
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安森美發(fā)布垂直氮化鎵(GaN)半導體：為人工智能(AI)與電氣化領域帶來突破性技術
安森美基于全新GaN-on-GaN技術，其垂直GaN架構為功率密度、能效和耐用性樹立新標桿
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借助高能效 GaN 轉換器，提升充電器和適配器設計的功率密度
在消費電子、工業(yè)設備以及新能源領域，充電器和適配器作為能量傳輸?shù)年P鍵環(huán)節(jié)，其性能指標直接影響著設備的使用體驗與能源利用效率。隨著各類電子設備向小型化、便攜化以及高功率需求方向發(fā)展，傳統(tǒng)基于硅(Si)材料的功率器件已逐漸難以滿足市場對高功率密度充電器和適配器的設計需求。而高能效氮化鎵(GaN)轉換器的出現(xiàn)，為這一領域帶來了革命性的突破，成為提升充電器和適配器功率密度的核心解決方案。
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Power Integrations發(fā)布新技術白皮書，深度解讀適用于下一代800VDC AI 數(shù)據(jù)中心的1250V和1700V PowiGaN技術
該公司正在與英偉達(NVIDIA)合作開發(fā)800VDC供電架構；新發(fā)布的白皮書剖析了1250V PowiGaN技術相較于650V GaN和1200V SiC的優(yōu)勢
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氮化鎵（GaN）器件在低紋波電源中的應用，高頻開關與低反向恢復損耗的協(xié)同優(yōu)勢
在低紋波電源設計領域，氮化鎵(GaN)器件正以獨特的材料特性重塑技術邊界。其核心優(yōu)勢源于高頻開關能力與零反向恢復損耗的協(xié)同效應，這一組合不僅突破了傳統(tǒng)硅基器件的物理極限，更在電源效率、體積優(yōu)化及信號純凈度方面展現(xiàn)出革命性突破。
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氮化鎵充電器和普通充電器的區(qū)別
在這個電子設備不離身的時代，充電器作為設備的 “能量補給站”，其重要性不言而喻。隨著科技的飛速發(fā)展，氮化鎵充電器逐漸走進大眾視野，它與我們常見的普通充電器相比，有著諸多顯著的區(qū)別。這些區(qū)別不僅體現(xiàn)在技術層面，更直接影響著我們的使用體驗。接下來，就讓我們深入探究氮化鎵充電器和普通充電器的不同之處。
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氮化鎵正逐步改變著電源管理設計的格局
氮化鎵(GaN)技術作為一種寬帶隙半導體技術，近年來在開關模式電源(SMPS)領域展現(xiàn)出巨大的潛力。與傳統(tǒng)的硅基 MOSFET 相比，GaN 技術具有諸多優(yōu)勢，為開關模式電源的設計帶來了新的思路和方法，正逐步改變著電源管理設計的格局。
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MPS ACDC 創(chuàng)新電源解決方案 高效驅動低碳化、小型化、智能化三重變革
9月16日，MPS ACDC新品發(fā)布會在北京成功舉辦。MPS ACDC 產(chǎn)品總監(jiān)Peter Huang為大家分享了MPS ACDC產(chǎn)品的市場優(yōu)勢及其最新技術進展，同時揭曉了MPS在當今熱門的手機、筆記本電腦等便攜式設備PD快充，電視LED顯示屏電源，氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）功率器件，電動汽車充電，AI服務器供電等領域的先進技術、最新產(chǎn)品以及完整解決方案。
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大聯(lián)大詮鼎集團推出兩款基于英諾賽科產(chǎn)品的48V四相2kW降壓電源方案
2025年9月11日，致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎推出兩款基于英諾賽科(Innoscience)InnoGaN INN100EA035A氮化鎵功率晶體管和INS2002FQ氮化鎵半橋驅動IC的48V四相2kW降壓電源方案。
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英飛凌與零極創(chuàng)新簽署諒解備忘錄，共同開發(fā)用于輕型電動車的高性能氮化鎵（GaN）逆變器
【2025年9月9日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布與九號公司（Ninebot）旗下子公司零極創(chuàng)新科技有限公司簽署諒解備忘錄，雙方將進一步推動氮化鎵（GaN）技術在輕型電動車（LEV）領域的應用。英飛凌將提供優(yōu)質的GaN產(chǎn)品，幫助零極創(chuàng)新基于英飛凌新一代CoolGaN? G5功率晶體管開發(fā)高性能電動兩輪車逆變器系統(tǒng)，實現(xiàn)能效和性能的雙提升。
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