氮化鎵(GaN)基單片微波集成電路(MMIC)功率放大器憑借高擊穿電壓、寬禁帶寬度、高電子遷移率等優(yōu)勢，已成為現(xiàn)代脈沖雷達(dá)系統(tǒng)的核心器件。其在高頻段(X 波段及以上)可實現(xiàn)高輸出功率、高效率和小型化集成，顯著提升雷達(dá)的探測距離、分辨率和抗干擾能力。然而，GaN MMIC 功率放大器的非線性特性、高峰值電流需求及脈沖工作模式，對電源管理系統(tǒng)提出了嚴(yán)苛挑戰(zhàn)。電源管理的性能直接決定了功率放大器的輸出穩(wěn)定性、效率指標(biāo)和可靠性，是脈沖雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計中的關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié)。本文將圍繞脈沖雷達(dá)應(yīng)用場景，深入探討 GaN MMIC 功率放大器的電源管理需求、核心技術(shù)及實現(xiàn)方案。

脈沖雷達(dá)對 GaN MMIC 電源管理的特殊需求

脈沖雷達(dá)的工作模式具有周期性、高峰值功率、短脈沖寬度等特點，使得 GaN MMIC 功率放大器的電源需求與連續(xù)波應(yīng)用存在本質(zhì)區(qū)別。首先，動態(tài)電流響應(yīng)要求極高。脈沖雷達(dá)的發(fā)射脈沖寬度通常在納秒至微秒級，占空比低至 1% 以下，功率放大器在脈沖導(dǎo)通瞬間需從電源獲取數(shù)十安培的峰值電流，而關(guān)斷時電流迅速回落至零。這要求電源管理系統(tǒng)具備納秒級的電流上升 / 下降速率，避免因電流響應(yīng)滯后導(dǎo)致脈沖波形畸變。其次，電壓穩(wěn)定性至關(guān)重要。GaN 器件對供電電壓波動極為敏感，±5% 的電壓偏差可能導(dǎo)致輸出功率變化超過 10%，甚至引發(fā)器件擊穿。在脈沖切換過程中，電源總線的寄生電感和電容會產(chǎn)生電壓過沖與振蕩，需通過特殊設(shè)計抑制這類擾動。此外，高效率與熱管理需求突出。脈沖雷達(dá)的平均功耗雖低，但峰值功耗極高，電源管理系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率直接影響整機(jī)散熱壓力，高效電源拓?fù)淇蓽p少能量損耗，提升系統(tǒng)持續(xù)工作能力。最后，小型化與集成化要求。機(jī)載、彈載雷達(dá)對體積和重量限制嚴(yán)格，電源管理系統(tǒng)需與 GaN MMIC 功率放大器實現(xiàn)高密度集成，簡化互連結(jié)構(gòu)。

電源管理系統(tǒng)核心技術(shù)方案

高效拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計

針對脈沖雷達(dá)的峰值電流需求，采用同步 Buck 變換器作為核心拓?fù)?，其低?dǎo)通損耗和高轉(zhuǎn)換效率特性可滿足 GaN MMIC 的供電要求。通過優(yōu)化開關(guān)管選型(如采用 GaN HEMT 開關(guān)管)，將開關(guān)頻率提升至 1-5MHz，減小濾波電感和電容的體積，實現(xiàn)電源系統(tǒng)的小型化。為應(yīng)對寬輸入電壓范圍(如 12V、28V 機(jī)載電源)，在 Buck 變換器前端增加預(yù)穩(wěn)壓模塊，采用 LLC 諧振變換器實現(xiàn)寬輸入電壓下的高效穩(wěn)壓，避免因輸入電壓波動影響后端供電穩(wěn)定性。此外，設(shè)計多相并聯(lián)結(jié)構(gòu)，通過 2-4 相 Buck 變換器并聯(lián)工作，分散峰值電流應(yīng)力，降低單個開關(guān)管的電流負(fù)荷，同時提升電流響應(yīng)速度，滿足納秒級脈沖電流需求。

快速動態(tài)響應(yīng)控制策略

為實現(xiàn)脈沖電流的快速跟蹤，采用峰值電流模式控制結(jié)合電壓前饋補(bǔ)償技術(shù)。峰值電流模式可直接檢測電感電流，快速響應(yīng)負(fù)載電流變化，抑制電流過沖;電壓前饋補(bǔ)償則通過檢測輸入電壓變化，提前調(diào)整占空比，減少輸入電壓擾動對輸出電壓的影響。針對脈沖負(fù)載的非線性特性，引入自適應(yīng) PID 控制算法，通過實時檢測輸出電壓和電流波形，動態(tài)調(diào)整 PID 參數(shù)，優(yōu)化過渡過程響應(yīng)，避免脈沖導(dǎo)通時的電壓跌落和關(guān)斷時的電壓過沖。此外，設(shè)計脈沖使能同步機(jī)制，使電源管理系統(tǒng)的開關(guān)時序與雷達(dá)脈沖信號同步，減少開關(guān)噪聲對雷達(dá)信號的干擾，提升系統(tǒng)電磁兼容性(EMC)。

濾波與紋波抑制技術(shù)

電源輸出紋波是影響 GaN MMIC 性能的關(guān)鍵因素，需通過多級濾波方案實現(xiàn)紋波抑制。在 Buck 變換器輸出端采用LC 低通濾波器作為主濾波環(huán)節(jié)，優(yōu)化電感磁芯材料(如采用納米晶磁芯)和電容類型(如高頻陶瓷電容與鉭電容并聯(lián))，實現(xiàn)寬頻率范圍內(nèi)的紋波衰減。針對高頻開關(guān)噪聲，增加 π 型 EMI 濾波器，抑制開關(guān)頻率及其諧波分量，降低電源噪聲對 GaN MMIC 的干擾。同時，優(yōu)化 PCB 布局設(shè)計，縮短功率回路和信號回路長度，減少寄生電感和電容，避免因寄生參數(shù)引發(fā)的電壓振蕩。在電源與功率放大器的互連處采用低阻抗供電網(wǎng)絡(luò)，使用寬銅皮和接地過孔陣列，降低互連阻抗，提升電流傳輸能力，抑制電壓跌落。

保護(hù)與熱管理設(shè)計

為保障 GaN MMIC 和電源管理系統(tǒng)的可靠性，設(shè)計完善的保護(hù)機(jī)制。包括過壓保護(hù)(OVP)、過流保護(hù)(OCP)、過熱保護(hù)(OTP)和短路保護(hù)(SCP)等功能：過壓保護(hù)通過檢測輸出電壓，當(dāng)超過閾值時快速關(guān)斷開關(guān)管;過流保護(hù)采用電流采樣電阻或霍爾傳感器檢測負(fù)載電流，避免過載損壞器件;過熱保護(hù)通過熱敏電阻檢測電源模塊溫度，當(dāng)溫度超過 85℃時降低輸出功率或關(guān)斷輸出。熱管理方面，采用高導(dǎo)熱系數(shù)的金屬基板(如鋁 nitride 基板)承載電源器件，通過敷銅和散熱孔優(yōu)化熱量傳導(dǎo)路徑;對于高密度集成模塊，設(shè)計微通道散熱結(jié)構(gòu)或采用導(dǎo)熱凝膠填充縫隙，提升散熱效率，確保電源管理系統(tǒng)在高峰值功耗下穩(wěn)定工作。

測試驗證與性能評估

為驗證電源管理系統(tǒng)的性能，搭建基于 X 波段 GaN MMIC 功率放大器的測試平臺，輸入電壓為 28V，輸出電壓為 5V，設(shè)計脈沖寬度 1μs、占空比 1% 的脈沖負(fù)載。測試結(jié)果表明：電源管理系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率可達(dá) 92% 以上，在峰值電流 40A 時，輸出電壓跌落小于 0.2V，電壓恢復(fù)時間小于 50ns，滿足 GaN MMIC 的動態(tài)響應(yīng)要求;輸出電壓紋波(峰峰值)低于 20mV，高頻噪聲抑制能力優(yōu)異;在連續(xù)工作 2 小時后，電源模塊最高溫度為 78℃，散熱性能良好。將該電源管理系統(tǒng)與 GaN MMIC 功率放大器集成后，雷達(dá)發(fā)射脈沖波形失真度小于 3%，探測距離較傳統(tǒng)電源方案提升 15%，驗證了該電源管理方案的有效性和實用性。

結(jié)論與展望

GaN MMIC 功率放大器的電源管理技術(shù)是提升脈沖雷達(dá)性能的關(guān)鍵支撐，其核心在于平衡高效轉(zhuǎn)換、快速動態(tài)響應(yīng)、低紋波和小型化集成等需求。通過采用高效拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、快速控制策略、多級濾波技術(shù)和完善的保護(hù)機(jī)制，可實現(xiàn) GaN MMIC 的穩(wěn)定可靠供電，提升雷達(dá)系統(tǒng)的探測性能和環(huán)境適應(yīng)性。未來，隨著 GaN 器件向更高頻率、更高功率密度發(fā)展，電源管理技術(shù)將朝著寬禁帶器件集成(如 GaN 電源管理芯片)、數(shù)字控制智能化(如基于 AI 的自適應(yīng)控制)和多芯片集成(SiP)方向演進(jìn)，進(jìn)一步提升電源系統(tǒng)的效率、響應(yīng)速度和集成度，為新一代脈沖雷達(dá)系統(tǒng)提供更強(qiáng)大的技術(shù)支撐。