安森美(onsemi)宣布已與英諾賽科(Innoscience)簽署諒解備忘錄，雙方將探索利用英諾賽科成熟的200毫米氮化鎵(GaN)硅基工藝，以擴(kuò)大 GaN 功率器件的生產(chǎn)規(guī)模。該合作將整合安森美在系統(tǒng)集成、驅(qū)動(dòng)器和封裝方面的專(zhuān)業(yè)能力，以及英諾賽科成熟先進(jìn)的 GaN 制造能力，旨在加速推出高性?xún)r(jià)比、節(jié)能高效的解決方案，推動(dòng) GaN 技術(shù)普及進(jìn)程。

新聞概要：

· 此次合作將擴(kuò)展安森美的中低壓GaN功率產(chǎn)品組合，并在全球范圍內(nèi)擴(kuò)大GaN制造規(guī)模，從而加快產(chǎn)品上市速度并推動(dòng)更廣泛的應(yīng)用。

· 該非約束性諒解備忘錄概述了雙方的合作，涵蓋晶圓采購(gòu)及擴(kuò)展合作領(lǐng)域。雙方將依托安森美的GaN功率解決方案與英諾賽科的領(lǐng)先晶圓制造技術(shù)，共同瞄準(zhǔn)GaN功率器件市場(chǎng)——該市場(chǎng)預(yù)計(jì)到2030年將達(dá)到29億美元總體市場(chǎng)規(guī)模1，為雙方帶來(lái)數(shù)億美元的潛在價(jià)值。

· 該合作通過(guò)整合安森美在封裝、驅(qū)動(dòng)器及系統(tǒng)集成上的專(zhuān)業(yè)能力，以及英諾賽科成熟先進(jìn)的氮化鎵制造能力，助力安森美與英諾賽科提升客戶價(jià)值。

·兩家公司的技術(shù)結(jié)合有望為工業(yè)、汽車(chē)、電信基礎(chǔ)設(shè)施、消費(fèi)電子和AI數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)提供更小巧、更高效的GaN解決方案。

中國(guó)上海，中國(guó)蘇州，2025年12月4日—— 安森美(onsemi)與英諾賽科(Innoscience )今日宣布簽署一份諒解備忘錄(MoU)，旨在評(píng)估加速氮化鎵(GaN)功率器件部署的機(jī)遇，首先從40-200V功率器件入手，以顯著提升客戶采用率。該備忘錄概述的合作將安森美在集成系統(tǒng)和封裝領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)與英諾賽科成熟的GaN技術(shù)和大規(guī)模量產(chǎn)能力相結(jié)合，從而為工業(yè)、汽車(chē)、電信基礎(chǔ)設(shè)施、消費(fèi)電子和AI數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)提供高性?xún)r(jià)比、高效率的GaN產(chǎn)品。

GaN 半導(dǎo)體器件憑借更高的開(kāi)關(guān)速度、更小的尺寸和更低的能耗，能夠在更小的空間內(nèi)提供更大的功率。迄今為止，有限的產(chǎn)品供應(yīng)和產(chǎn)能不足制約了GaN 在低壓和中壓領(lǐng)域的應(yīng)用。通過(guò)此次合作，安森美和英諾賽科將攜手突破這些阻礙，加速實(shí)現(xiàn)更優(yōu)化的GaN 解決方案在全球主流市場(chǎng)的大規(guī)模部署。

? 工業(yè)領(lǐng)域：機(jī)器人電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能微型逆變器及優(yōu)化器

? 汽車(chē)領(lǐng)域：DC-DC轉(zhuǎn)換器、同步整流

? 電信基礎(chǔ)設(shè)施：DC-DC轉(zhuǎn)換器與負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器

? 消費(fèi)及大眾市場(chǎng)：電源、適配器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、音頻設(shè)備、輕型電動(dòng)汽車(chē)、電動(dòng)工具、機(jī)器人等

? AI數(shù)據(jù)中心：中間總線轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、備用電池

對(duì)于安森美的客戶而言，與英諾賽科的合作將帶來(lái)如下優(yōu)勢(shì)：

? 加快產(chǎn)品上市速度：憑借安森美的系統(tǒng)專(zhuān)業(yè)知識(shí)以及英諾賽科成熟的 GaN 技術(shù)和制造工藝，實(shí)現(xiàn)快速原型制作、加速設(shè)計(jì)導(dǎo)入，并迅速進(jìn)入主流市場(chǎng)。

? 可擴(kuò)展制造：依托安森美全球集成與封裝經(jīng)驗(yàn)及英諾賽科成熟的 GaN 產(chǎn)能，實(shí)現(xiàn)真正面向大眾市場(chǎng)的規(guī)?；a(chǎn)，滿足大批量產(chǎn)能爬坡需求。

? 更低的系統(tǒng)成本：優(yōu)化封裝、減少元器件數(shù)量和簡(jiǎn)化熱管理，實(shí)現(xiàn)更緊湊的設(shè)計(jì)并降低整體系統(tǒng)成本。

“隨著各行各業(yè)電力需求的增長(zhǎng)，GaN 相比其他材料具有更高的效率、更小的尺寸和更低的能耗。迄今為止，在低壓和中壓領(lǐng)域，成本和供應(yīng)限制了其廣泛應(yīng)用。通過(guò)與英諾賽科的合作，我們有望利用業(yè)界最大的GaN生產(chǎn)基地，迅速擴(kuò)大我們面向全球客戶的GaN產(chǎn)品交付，推動(dòng)在主流電力應(yīng)用中的普及?！卑采榔髽I(yè)戰(zhàn)略副總裁 Antoine Jalabert表示。

“GaN技術(shù)對(duì)于改進(jìn)電子產(chǎn)品、打造更小、更高效的電源系統(tǒng)，節(jié)約電力以及減少二氧化碳排放至關(guān)重要。英諾賽科很高興能與安森美探索戰(zhàn)略合作機(jī)遇，在全球范圍內(nèi)擴(kuò)大和加速GaN 電源技術(shù)的應(yīng)用，并依托安森美豐富的產(chǎn)品組合構(gòu)建系統(tǒng)集成平臺(tái)。”英諾賽科產(chǎn)品與工程高級(jí)副總裁孫毅表示。

完整的智能電源產(chǎn)品組合

預(yù)計(jì)到2030年，GaN將在全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占據(jù)約29億美元(11%)的份額，2024-2030年期間復(fù)合年增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)達(dá)42%1。此次與英諾賽科的合作將進(jìn)一步拓展安森美智能電源產(chǎn)品組合，該產(chǎn)品組合現(xiàn)已涵蓋硅、碳化硅(SiC)和氮化鎵技術(shù)。這些技術(shù)的結(jié)合使安森美能夠?yàn)锳I數(shù)據(jù)中心、汽車(chē)、工業(yè)和消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用提供最佳電源系統(tǒng)。這一完整的低壓和中壓產(chǎn)品組合鞏固了安森美作為領(lǐng)先的全集成電源系統(tǒng)供應(yīng)商的地位，助力客戶在全球電氣化和人工智能能源需求持續(xù)激增的背景下，最大限度地提高性能和能效。