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[導(dǎo)讀]【2026年3月4日, 德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出CoolGaN? Drive HB 600 V G5產(chǎn)品系列,進(jìn)一步擴(kuò)大了其CoolGaN?產(chǎn)品組合。四款新產(chǎn)品IGI60L1111B1M、IGI60L1414B1M、IGI60L2727B1M和IGI60L5050B1M均采用半橋配置并在其中集成了兩個(gè)600V氮化鎵(GaN)開關(guān),帶有高低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器與自舉二極管,提供緊湊且散熱優(yōu)化的功率級(jí),進(jìn)一步降低設(shè)計(jì)復(fù)雜度。

【2026年3月4日, 德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出CoolGaN? Drive HB 600 V G5產(chǎn)品系列,進(jìn)一步擴(kuò)大了其CoolGaN?產(chǎn)品組合。四款新產(chǎn)品IGI60L1111B1M、IGI60L1414B1M、IGI60L2727B1M和IGI60L5050B1M均采用半橋配置并在其中集成了兩個(gè)600V氮化鎵(GaN)開關(guān),帶有高低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器與自舉二極管,提供緊湊且散熱優(yōu)化的功率級(jí),進(jìn)一步降低設(shè)計(jì)復(fù)雜度。通過將諸多關(guān)鍵功能集成到一個(gè)經(jīng)過優(yōu)化的封裝中,該系列減少了外部元件數(shù)量、緩解了快速開關(guān)型GaN器件常見的PCB布局難題,并幫助設(shè)計(jì)師縮短了開發(fā)周期,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了GaN技術(shù)的核心優(yōu)勢(shì):更高的開關(guān)頻率、更低的開關(guān)與導(dǎo)通損耗,以及更高的功率密度。

英飛凌CoolGaN? Drive HB 600 V G5產(chǎn)品系列通過集成式半橋解決方案,進(jìn)一步提升氮化鎵的易用性

英飛凌科技氮化鎵業(yè)務(wù)線負(fù)責(zé)人Johannes Schoiswohl表示:“GaN正在變革電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。英飛凌的使命是通過可擴(kuò)展且易于使用的解決方案,助力客戶充分實(shí)現(xiàn)這一變革。這次新推出的集成式解決方案集高速GaN性能、高集成度和可靠性于一身,可幫助設(shè)計(jì)師加快開發(fā)進(jìn)程、縮小系統(tǒng)體積,并提升效率,突破緊湊型電力電子產(chǎn)品的極限。”

該集成式半橋解決方案是面向低功耗電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和開關(guān)模式電源而設(shè)計(jì),可在空間有限的設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更小的磁性元件與無源元件,更高的全工況效率及動(dòng)態(tài)性能。該器件專為高速精密系統(tǒng)而設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)超快開關(guān),傳播延遲僅為98 ns,并且失配極小,在支持高效高頻運(yùn)行的同時(shí)保持可預(yù)測(cè)的時(shí)序表現(xiàn)。為簡(jiǎn)化系統(tǒng)集成,該解決方案提供兼容標(biāo)準(zhǔn)邏輯電平的PWM輸入,僅需單個(gè)12V柵極驅(qū)動(dòng)供電。同時(shí),快速UVLO恢復(fù)功能可幫助確保啟動(dòng)及電源瞬態(tài)事件中的穩(wěn)定性。為獲得出色的散熱性能,該產(chǎn)品采用6×8 mm2 TFLGA-27裸露焊盤封裝,可在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中實(shí)現(xiàn)高效散熱并支持無散熱片設(shè)計(jì)。

這些新的解決方案將成熟的CoolGaN?器件技術(shù)、系統(tǒng)級(jí)集成能力,以及深厚的功率轉(zhuǎn)換專業(yè)知識(shí)結(jié)合起來,進(jìn)一步鞏固了英飛凌在GaN市場(chǎng)的領(lǐng)先地位,使客戶能夠更加從容地采用GaN技術(shù),并在工業(yè)電子和消費(fèi)電子平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)高效設(shè)計(jì)的規(guī)?;瘧?yīng)用。

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