
面板大廠友達(dá)持續(xù)強(qiáng)化在臺(tái)灣中科的布局。繼LED廠隆達(dá)通過將以300億元在中科興建LED晶粒廠,旗下彩色濾光片觸控面板廠達(dá)虹也將計(jì)劃投資250億元在中科投資興建新廠,用于生產(chǎn)投射式電容觸控面板,第一階段投資金額預(yù)估
英飛凌科技股份公司近日被指定為參與歐洲合作研究項(xiàng)目MaxCaps 的德國五家合作伙伴的項(xiàng)目協(xié)調(diào)人,該項(xiàng)目旨在使電子設(shè)備變得更緊湊、更高效。共有來自半導(dǎo)體和汽車行業(yè)的17家公司和科研機(jī)構(gòu)參與MaxCaps項(xiàng)目,開發(fā)“適用
分析影響VDMOS開關(guān)特性的各部分電容結(jié)構(gòu)及參數(shù),為了減少寄生電容,提高開關(guān)速度,在此提出一種減少VDMOS寄生電容的新型結(jié)構(gòu)。該方法是部分去除傳統(tǒng)VDMOS的neck區(qū)多晶硅條,并利用多晶硅作掩模注入P型區(qū),改變VDMOS柵下耗盡區(qū)形狀,減小寄生電容。在此增加了neck區(qū)寬度,并增加了P阱注入。利用TCAD工具模擬,結(jié)果表明:這種新型結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)VDMOS相比,能有效減小器件的寄生電容,減少柵電荷量,提高開關(guān)時(shí)間,提高器件的動(dòng)態(tài)性能。
介紹用51單片機(jī)和通用分立器件構(gòu)成的雙積分A/D轉(zhuǎn)換器,文中給出了詳細(xì)的源程序清單。
業(yè)界最小的0201封裝,微型、雙向、超低電容的SESD保護(hù)器件(泰科)
愛特梅爾公司(Atmel® Corporation)宣布,該公司最新的maXTouch™系列電容性觸摸屏控制器解決方案已經(jīng)投入生產(chǎn)。該產(chǎn)品可用于刷新頻率為250 Hz的視頻質(zhì)量屏幕,能夠支持無限數(shù)目的同時(shí)觸摸操作。愛特梅爾全新
愛特梅爾公司(Atmel® Corporation)宣布,該公司最新的maXTouch™系列電容性觸摸屏控制器解決方案已經(jīng)投入生產(chǎn)。該產(chǎn)品可用于刷新頻率為250 Hz的視頻質(zhì)量屏幕,能夠支持無限數(shù)目的同時(shí)觸摸操作。愛特梅爾全新
最新GHz級(jí)DSP之類的數(shù)字負(fù)載需要相當(dāng)快速的瞬時(shí)響應(yīng),以及相當(dāng)?shù)偷碾妷浩睢檫_(dá)到這些目標(biāo),通常需要為DC/DC轉(zhuǎn)換器加裝多個(gè)輸出電容,讓它在回饋回路響應(yīng)前有足夠的維持時(shí)間。使用電源模塊,并加裝電容以符合電壓瞬時(shí)容差后,便形成一套完整的電源解決方案。
最新GHz級(jí)DSP之類的數(shù)字負(fù)載需要相當(dāng)快速的瞬時(shí)響應(yīng),以及相當(dāng)?shù)偷碾妷浩睢檫_(dá)到這些目標(biāo),通常需要為DC/DC轉(zhuǎn)換器加裝多個(gè)輸出電容,讓它在回饋回路響應(yīng)前有足夠的維持時(shí)間。使用電源模塊,并加裝電容以符合電壓瞬時(shí)容差后,便形成一套完整的電源解決方案。
1 引言 隨著微電子技術(shù)的發(fā)展,寬帶放大器在科研中具有重要作用。寬帶運(yùn)算放大器廣泛應(yīng)用于A/D轉(zhuǎn)換器、D/A 轉(zhuǎn)換器、有源濾波器、波形發(fā)生器、視頻放大器等電路。這些電路要求運(yùn)算放大器具有較高的頻帶寬度,電
陶瓷電容的等效串聯(lián)電阻損耗 在選用射頻片狀陶瓷電容時(shí),等效串聯(lián)電阻(ESR)常常是最重要參數(shù)。ESR通常以毫歐姆為單位,是電容的介質(zhì)損耗(Rsd)和金屬損耗(Rsm)的綜合(ESR=Rsd+Rsm)。事實(shí)上所有射頻線路都用
HTC剛剛拿下了互動(dòng)電容觸摸屏的專利,這意味著iPhone這樣的手機(jī)可以不用手指而用觸筆來操控.目前觸控筆主要用于電阻式觸摸屏,它利用壓力改變電阻來實(shí)現(xiàn)觸摸識(shí)別,新的電容屏通常對觸筆沒有反應(yīng),但宏達(dá)電在觸筆上安裝了
新聞事件:沈陽儀表高性能硅電容差壓傳感器項(xiàng)目通過驗(yàn)收事件影響:該項(xiàng)目完成后,將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)10萬只傳感器芯片,1.5萬臺(tái)傳感器的生產(chǎn)能力,年產(chǎn)值達(dá)1000萬元將給航空、航天、石油化工、能源電力、冶金、機(jī)械、電子、環(huán)
C-V測量是測定MOS器件特性的主要方法,它廣泛地應(yīng)用于半導(dǎo)體材料的研究中。C-V測量時(shí)常常在SiO2中觀察到有害的頻率離散。用于校正測量誤差數(shù)據(jù)的一些分析公式和模型已得到充分研究。著重于消除串聯(lián)電阻、氧化物漏電、