
提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結(jié)構(gòu),該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層,采用源漏淺結(jié)擴(kuò)散,形成體接觸的側(cè)面引出,適當(dāng)加大了Si膜厚度來(lái)減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結(jié)果表明,該結(jié)構(gòu)具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒(méi)有背柵效應(yīng)。而且,該結(jié)構(gòu)可以在不增加寄生電容為代價(jià)的前提下,通過(guò)適當(dāng)?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻,從而更有效地抑制了浮體效應(yīng)。
愛(ài)特梅爾公司 (Atmel® Corporation) 現(xiàn)已推出一款既便利和易于實(shí)施、而且低成本的觸摸傳感器IC產(chǎn)品AT42QT1040,為對(duì)價(jià)格敏感的消費(fèi)電子和移動(dòng)設(shè)備帶來(lái)電容性用戶界面。這款器件采用20腳3mm x 3mm VQFN封裝,適用
吉時(shí)利儀器公司日前宣布對(duì)其屢獲殊榮的4200-SCS半導(dǎo)體特征分析系統(tǒng)進(jìn)行全面的硬件、固件和軟件升級(jí)。吉時(shí)利測(cè)試環(huán)境交互式軟件(KETI)V7.2版經(jīng)過(guò)升級(jí)囊括九種新的太陽(yáng)能電池測(cè)試庫(kù),擴(kuò)展了系統(tǒng)電容-電壓(C-V)測(cè)量
QTouch電容性觸摸按鈕控制器(Atmel)
吉時(shí)利儀器公司日前宣布對(duì)其屢獲殊榮的4200-SCS半導(dǎo)體特征分析系統(tǒng)進(jìn)行全面的硬件、固件和軟件升級(jí)。吉時(shí)利測(cè)試環(huán)境交互式軟件(KETI)V7.2版經(jīng)過(guò)升級(jí)囊括九種新的太陽(yáng)能電池測(cè)試庫(kù),擴(kuò)展了系統(tǒng)電容-電壓(C-V)測(cè)量
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,市場(chǎng)調(diào)研公司iSuppli最新報(bào)告稱,由于受蘋果iPhone手機(jī)流行的影響,觸摸屏技術(shù)已經(jīng)成為手機(jī)行業(yè)的熱門話題。 調(diào)查公司預(yù)期,今年全球觸摸屏的發(fā)貨量將達(dá)到3.41億個(gè),銷售收入達(dá)到34億美元
摘要:超寬帶UWB是一種利用納秒級(jí)窄脈沖發(fā)送信息的技術(shù)。重點(diǎn)討論了一種采用級(jí)聯(lián)雪崩晶體管結(jié)構(gòu)UWB極窄脈沖發(fā)生器,并對(duì)其電路及雪崩晶體管的工作原理進(jìn)行了具體分析。實(shí)驗(yàn)獲得的UWB輸出脈沖寬度約為1.22ns,上升時(shí)間
如圖所示為由ICL7660和外部的兩只電容組成的極性變換電源。該電源采用專用極性變換集成電路ICL7660和外部的兩只電容構(gòu)成的電荷泵進(jìn)行DC/DC電壓極性轉(zhuǎn)換。其轉(zhuǎn)換效率高,為95%,電能消耗小。靜態(tài)電流為0.5mA,輸出
最簡(jiǎn)單的調(diào)頻話筒電路如圖,太簡(jiǎn)單了。電路用了極少的元件,只有4只,就組成了一只微型無(wú)線調(diào)頻話筒,工作頻率較穩(wěn)定,發(fā)射距離大于10米,1.5V供電時(shí),電流小于0.5mA,這樣節(jié)能的話筒還少見(jiàn),3V供電時(shí)距離可達(dá)30米。這套
微帶天線由于其重量輕,制作簡(jiǎn)單、成本低,易于與載體平臺(tái)共形以及適合組陣等諸多優(yōu)點(diǎn),自20世紀(jì)70年代以來(lái)越來(lái)越受重視并得到廣泛應(yīng)用。它特別適用于各種移動(dòng)地面設(shè)備,如移動(dòng)通信、無(wú)線電話、GPS接收機(jī)、車載雷達(dá)等,以