一種測量石英晶體靜電容的新方法

1． 引言石英晶體諧振器（以下簡稱為石英晶體）作為一種性能優(yōu)良的頻率基準(zhǔn)和時(shí)鐘源在電子領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用。石英晶體的中間測試在石英晶體的生產(chǎn)中是處于微調(diào)和封裝之間的工序，要求對(duì)石英晶體的基本電參數(shù)進(jìn)行測量

一種基于電容的電磁全隔離直流電源傳輸電路

高性能的電子電路要求高度潔凈的電源。然而目前在供電線路上的各種電器設(shè)備會(huì)產(chǎn)生許多高次諧波，對(duì)供電質(zhì)量造成影響。開關(guān)型穩(wěn)壓電源以及DC-DC變換器都在輸入回路中采用開關(guān)管作為斬?cái)嚯娏鞯钠骷?。高頻變壓器把脈動(dòng)的

阻尼輸入濾波器系列之第二部分

在“電源設(shè)計(jì)小貼士 3”中，我們討論了輸入濾波器的源極阻抗如何變得具有電阻性，以及其如何同開關(guān)調(diào)節(jié)器的負(fù)輸入阻抗相互作用。在極端情況下，這些阻抗振幅可以相等，但是其符號(hào)相反從而構(gòu)成了一個(gè)振蕩器。業(yè)界通用的標(biāo)準(zhǔn)是輸入濾波器的源極阻抗應(yīng)至少比開關(guān)調(diào)節(jié)器的輸入阻抗低 6dB，作為最小化振蕩概率的安全裕度。

分析師：揭露22納米制程面臨的15大挑戰(zhàn)

在不久前于美國舊金山舉行的國際電子組件會(huì)議(IEDM)上，不少有關(guān)先進(jìn)邏輯制程技術(shù)的論文發(fā)表都著重在32納米節(jié)點(diǎn)，只有IBM等少數(shù)公司發(fā)表了幾篇22納米技術(shù)論文；事實(shí)上，不少領(lǐng)先半導(dǎo)體大廠都在進(jìn)行22納米制程的研發(fā)，究竟在這個(gè)領(lǐng)域有哪些技術(shù)挑戰(zhàn)？

分析師：揭露22納米制程面臨的15大挑戰(zhàn)

在不久前于美國舊金山舉行的國際電子組件會(huì)議(IEDM)上，不少有關(guān)先進(jìn)邏輯制程技術(shù)的論文發(fā)表都著重在32納米節(jié)點(diǎn)，只有IBM等少數(shù)公司發(fā)表了幾篇22納米技術(shù)論文；事實(shí)上，不少領(lǐng)先半導(dǎo)體大廠都在進(jìn)行22納米制程的研發(fā)，究竟在這個(gè)領(lǐng)域有哪些技術(shù)挑戰(zhàn)？

兩款低電容及漏電流的ESD保護(hù)陣列器件（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款具有低電容及漏電流的最新小型ESD 保護(hù)陣列--- 2 線路的 VBUS052CD-FAH 和 4 線路的 VBUS054CD-FHI，這些器件可保護(hù)高速數(shù)據(jù)線，以防止瞬態(tài)電壓信號(hào)。 具有 0.6 mm 超

用于靜電容量式觸摸面板亮相(圖)

美國風(fēng)險(xiǎn)企業(yè)Cambrios Technologies在“FPD International 2008”（2008年10月29～31日，太平洋橫濱會(huì)展中心）上展出了卷狀塑料底板，使用了通過溶液加工的透明導(dǎo)電膜。將用于靜電容量式觸摸面板。目前靜電容量式觸

2線總線上升時(shí)間加速電路

全新電容性觸摸屏控制器IC（Atmel）

全新電容性觸摸屏控制器IC（Atmel）

全新電容性觸摸屏控制器IC（Atmel）

高速積分器(LM101A、LM108)

如圖所示為高速積分電路。該電路中積分時(shí)間常數(shù)RtCt有較大的變化范圍。如果不考慮積分電容Ct，A2是一個(gè)具有正反饋補(bǔ)償?shù)膶拵Ы涣鞣糯笃?。A2的負(fù)反饋回路中加上電容Ct，則構(gòu)成積分器。由于輸入信號(hào)的低頻和直流部分通

實(shí)用微分器

如圖所示為實(shí)用微分電路。該電路為由通用運(yùn)放構(gòu)成。當(dāng)微分器輸入一個(gè)三角波時(shí)，其輸出為方波，而輸入信號(hào)頻率由電路中電阻R1、R2和電容C決定。本電路要求R1的值約為R2的十分之一，即： R1=R2/10 而電容C的值由R2的值

與非門組成的寬延時(shí)觸發(fā)器

如圖所示是一個(gè)負(fù)脈沖觸發(fā)的寬延時(shí)單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器，它提供了數(shù)秒的延時(shí)時(shí)間，用于定時(shí)精度要求不高的場合。圖中延時(shí)主要決定于電容C。對(duì)于TTL電路來說，R的阻值一般為5～10kΩ。下表中列出了R=5.1kΩ時(shí)，延時(shí)的實(shí)測數(shù)