為了對地彈進行有效的預測,需要知道4個要素:邏輯器件的10~90%轉換時間,負載電容或電阻,引腳電感和轉換電壓。對于一個阻性負載R,可以用式:得到的電流變化率以及由式:定義的電感來計算地彈的幅值:對于一個容性
圖1.20描述了互感的一種簡單測量方法。與“互容的測量”的固定方式相同,兩個碳膜電阻的中心間距0.1IN。兩個電阻的右端都接地,而測量電纜的輸入和輸出端分別接在每個電阻的左端,電阻RA作為信號源的端接。信號源上升
在電感測試夾具中,預期的特征衰減時間TUR與測試裝置的開路上升時間T開路的比不是很大:這個低的比值意味著初始的階躍上升完成之前,測試波形已經開始衰減。測量出的輸出波形不是簡單的指數(shù)形式,面是更復形。仔細觀
無論何處,只要存在電流,就會產生電感。由驅動電路提供的電流會產生一個磁場,能量被儲在磁場中。因為任何驅動電路都是一個功率有限的激勵源,電流總會在有限的時間內建立一個穩(wěn)定狀態(tài)值。很快地建立或很快地衰減的
一、電路設計 一節(jié)鎳氫電池的電壓只有1.2V,而超高亮LED需要3.3V以上的工作電壓才能保證足夠的亮度。因此。必須設法將電壓升高,常見的升壓電路一般有二種形式,即高頻振蕩電路和電磁感應升壓電路。對于升壓電路
無論在何種情況下,兩個具有不同電位的導體間都會產生電容。在兩個具有不同電位的導體之間,總是存在一個電場。電場中存儲的能量由驅動電路供給。因為驅動電路是一個功率有限的激勵源,所以在任何兩個導體之間的電壓
一、電路設計 一節(jié)鎳氫電池的電壓只有1.2V,而超高亮LED需要3.3V以上的工作電壓才能保證足夠的亮度。因此。必須設法將電壓升高,常見的升壓電路一般有二種形式,即高頻振蕩電路和電磁感應升壓電路。對于升壓電路
高效、低成本及可靠的電池充電器設計可用各種方法來實現(xiàn),但采用8位閃速MCU不僅能縮短設計時間、降低成本及提供安全可靠的產品,而且還能使設計人員以最少的工作量來進行現(xiàn)場升級。 圖1:(a):降壓轉換器開關“開”
方法1 電感為什么在低頻時要把并聯(lián)改為串聯(lián)?從感抗與電阻的比值來分析Q值,不容易找到答案,并改串應該是不能提高Q值的。但通過今天的試驗,開始明白為什么要串聯(lián)。同時提高電感和電阻,雖然不能提高Q,但可以提高電
電路的功能數(shù)100MH以上的電感,重量重,體積大,不適合現(xiàn)在的使用要求,除特殊用途外,低頻LC濾波器基本上都可換成有源濾波器,本電路用正反饋電路對電容器C的頻率-阻抗特性進行倒相,形成等效的電感,線圈L的一端被
原理:R4兩端輸出超低阻抗的信號電壓源,串聯(lián)在LC諧振回路中。當電路發(fā)生諧振時,L和C的感抗和容抗相消,回路只剩下只剩下R4與LC諧振器的損耗電阻r兩者串聯(lián)。并R4兩端的電壓就是r兩端的電壓。這樣,我們只在測量出R4
電路的功能晶體管的集電極負載若采用LC諧振回路,為了使振蕩穩(wěn)定,皮爾斯C-B或波爾斯B-E電路的振蕩頻率必須稍稍調偏,如不用電感L,則可采用本電路這種無調節(jié)振蕩電路。電路工作原理若把石英振子看成電感L,則可將其
高效、低成本及可靠的電池充電器設計可用各種方法來實現(xiàn),但采用8位閃速MCU不僅能縮短設計時間、降低成本及提供安全可靠的產品,而且還能使設計人員以最少的工作量來進行現(xiàn)場升級。 圖1:(a):降壓轉換器開關“開”
高效、低成本及可靠的電池充電器設計可用各種方法來實現(xiàn),但采用8位閃速MCU不僅能縮短設計時間、降低成本及提供安全可靠的產品,而且還能使設計人員以最少的工作量來進行現(xiàn)場升級。 圖1:(a):降壓轉換器開關“開”
電路的功能使用邏輯IC微分電路,由于IC的傳輸滯后,微分輸出的定時脈沖也跟著滯后,例如用定時脈沖發(fā)生器輸出同步觸發(fā)信號時,必須使用很窄的微分脈沖,如果延遲時間加長,用示波器觀測波形時,觸發(fā)延遲無法觀測到觸
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中,通常包括單脈沖雪崩能量EAS,雪崩電流IAR,重復脈沖雪崩能量EAR等參數(shù),而許多電子工程師在設計電源系統(tǒng)的過程中,很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應用有什么樣的聯(lián)系,如何在實際的應用中評
世界各地有關降低電子系統(tǒng)能耗的各種倡議,正促使單相交流輸入電源設計人員采用更先進的電源技術。為了獲得更高的功率級,這些倡議要求效率達到87% 及以上。由于標準反激式 (flyback) 和雙開關正激式等傳統(tǒng)電源拓撲都
O 引言 固定頻率峰值電流模式PWM(Pulse WidthModulation) DC-DC變換器同傳統(tǒng)的電壓模式控制相比,具有瞬態(tài)響應好,輸出精度高,帶載能力強等優(yōu)點,因而被廣泛應用。作為重要的模擬單元,斜坡補償電路和電流采樣電
電磁兼容設計通常要運用各項控制技術,一般來說,越接近EMI源,實現(xiàn)EM控制所需的成本就越小。PCB上的集成電路芯片是EMI最主要的能量來源,因此,如果能夠深入了解集成電路芯片的內部特征,可以簡化PCB和系統(tǒng)級設計中
反激式開關電源變壓器的參數(shù)計算與正激式開關電源變壓器的參數(shù)計算相比,除了變壓器初級線圈的匝數(shù)和伏秒容量,變壓器初、次級線圈的匝數(shù)比,以及變壓器各個繞組的額定輸入或輸出電流或功率以外,還需要特別注意考慮