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GaN 器件如何提高諧振轉換器效率
隨著硅接近其物理極限，電子制造商正在轉向非傳統(tǒng)的半導體材料，尤其是寬帶隙(WBG)半導體，例如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等。因為寬帶隙材料具有相對寬的帶隙(與常用的硅相比)，所以寬帶隙器件可以在高電壓，高溫和高頻率下工作。寬帶隙器件可以提高能效和延長電池壽命，這有助于推動寬帶隙半導體的市場。
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SiC MOSFET：經(jīng)濟高效且可靠的大功率解決方案
碳化硅(SiC)材料是功率半導體行業(yè)主要進步發(fā)展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率?？深A見的未來內(nèi)，新能源汽車是碳化硅功率器件的主要應用場景。特斯拉作為技術先驅，已率先在Model 3中集成全碳化硅模塊，其他一線車企亦皆計劃擴大碳化硅的應用。隨著碳化硅器件制造成本的日漸降低、工藝技術的逐步成熟，碳化硅功率器件行業(yè)未來可期。
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科銳攜手德爾?？萍紴閷崿F(xiàn)共贏，在汽車SiC器件方向合作
汽車產(chǎn)業(yè)正在尋求加速從內(nèi)燃機向電動汽車(EV)的轉變，從而碳化硅(SiC)基功率解決方案的采用正在整個汽車市場實現(xiàn)快速地增長。IHS預計，到2030年高電壓電動輕型汽車的銷量將達到3000萬臺(占全球全部汽車銷售的27%)。電控逆變器是最具價值的電氣化部件之一，電控逆變器效率對于汽車性能眾多方面都可以帶來產(chǎn)業(yè)變革性的影響。
