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IGBT過(guò)流致芯片正中心燒點(diǎn)的工況與機(jī)理分析
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)作為電力電子系統(tǒng)的核心開(kāi)關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)變頻、新能源發(fā)電、軌道交通等領(lǐng)域。在實(shí)際運(yùn)行中，過(guò)流引發(fā)的芯片燒毀是最常見(jiàn)的失效模式之一，而燒點(diǎn)位置的差異往往對(duì)應(yīng)著不同的失效機(jī)理。其中，芯片正中心出現(xiàn)燒點(diǎn)的現(xiàn)象在三相全橋等大功率應(yīng)用場(chǎng)景中尤為典型，其形成并非單一因素導(dǎo)致，而是電流分布、熱傳導(dǎo)、封裝結(jié)構(gòu)及保護(hù)機(jī)制等多因素協(xié)同作用的結(jié)果。本文將深入剖析IGBT過(guò)流時(shí)芯片正中心產(chǎn)生燒點(diǎn)的具體工況與內(nèi)在機(jī)理，為失效診斷與系統(tǒng)優(yōu)化提供參考。
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Bourns 全新推出符合 AEC-Q200 標(biāo)準(zhǔn)車規(guī)級(jí)高隔離反激式變壓器系列
全新變壓器在緊湊組件尺寸中實(shí)現(xiàn)卓越的隔離和電氣間隙/爬電距離
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IGBT的發(fā)熱功率及散熱系統(tǒng)探討
絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，簡(jiǎn)稱IGBT)作為現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域中的核心器件，以其高電壓、大電流、高頻率等特性，廣泛應(yīng)用于變頻器、開(kāi)關(guān)電源、軌道交通、電動(dòng)汽車及新能源等領(lǐng)域。然而，隨著IGBT向高功率和高集成度方向發(fā)展，其發(fā)熱問(wèn)題日益突出，對(duì)散熱系統(tǒng)的要求也越來(lái)越高。
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絕緣柵雙極晶體管工作原理是什么？它的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是什么？
絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，簡(jiǎn)稱IGBT)是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。它是雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor，BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field-Effect Transistor，F(xiàn)ET)的結(jié)合體，具備了兩者的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)還有自身獨(dú)特的特性。本文將詳細(xì)介紹絕緣柵雙極晶體管的工作原理以及它的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)。
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絕緣柵雙極晶體管的基本概述，在應(yīng)用上具有什么特點(diǎn)？
絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，簡(jiǎn)稱IGBT)是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。它不僅綜合了雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor，BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field-Effect Transistor，F(xiàn)ET)的優(yōu)點(diǎn)，還具備自身獨(dú)特的特性。本文將對(duì)絕緣柵雙極晶體管進(jìn)行基本概述，并介紹其在應(yīng)用上的特點(diǎn)。
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廠家有推出哪些絕緣柵雙極晶體管的系列產(chǎn)品？
絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，簡(jiǎn)稱IGBT)作為一種關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件，由多家廠家推出了各種系列產(chǎn)品。本文將介紹幾個(gè)知名廠家推出的主要IGBT系列產(chǎn)品，包括其特點(diǎn)和應(yīng)用領(lǐng)域，為讀者了解IGBT的市場(chǎng)情況和選擇適合的產(chǎn)品提供指導(dǎo)。
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絕緣柵雙極晶體管是什么？有什么作用？
絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，簡(jiǎn)稱IGBT)是一種關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件，在現(xiàn)代電力電子和驅(qū)動(dòng)技術(shù)中廣泛應(yīng)用。本文將介紹IGBT的基本原理、結(jié)構(gòu)組成和工作原理，并探討其在電力變換和控制中的重要作用。
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絕緣柵雙極晶體管
絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力晶體管(Giant Transistor—GTR)和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Power MOSFET)的優(yōu)點(diǎn)，具有良好的特性，應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛;IGBT也是三端器件：柵極，集電極和發(fā)射極。
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意法半導(dǎo)體（ST)推出新HB系列絕緣柵雙極晶體管(IGBT）
最新的高速絕緣柵雙極晶體管(IGBT)兼具近乎完美的開(kāi)關(guān)能效和650V的寬額定工作電壓，為應(yīng)用設(shè)計(jì)提供更高的安全系數(shù)意法半導(dǎo)體的新HB系列絕緣柵雙極晶體管(IGBT，Insulated-G
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IGBT絕緣柵雙極晶體管柵極過(guò)壓保護(hù)電路圖
IGBT的柵極過(guò)壓的原因1.靜電聚積在柵極電容上引起過(guò)壓。2.電容密勒效應(yīng)引起的柵極過(guò)壓。 為防止IGBT的柵極-發(fā)射極過(guò)壓情況發(fā)生，應(yīng)在IGBT的柵極與發(fā)射極之間并接一只幾十千
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瑞薩推出13款絕緣柵雙極晶體管新品
21ic訊 瑞薩電子公司，日前宣布為其第七代具有業(yè)界領(lǐng)先性能的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）陣列增加13款新產(chǎn)品。新的IGBT包括采用650V電壓的RJH/RJP65S系列和采用1250V電壓的RJP1CS系列。新的IGBT作為功率半導(dǎo)體器件，用
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1200V 絕緣柵雙極晶體管AUIRG7CH80K6B-M（IR）
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，適用于電動(dòng)汽車 (EV) 、混合電動(dòng)汽車 (HEV) 和中功率驅(qū)動(dòng)器
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1200V 絕緣柵雙極晶體管AUIRG7CH80K6B-M（IR）
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，適用于電動(dòng)汽車 (EV) 、混合電動(dòng)汽車 (HEV) 和中功率驅(qū)動(dòng)器
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汽車級(jí)絕緣柵雙極晶體管（IR）
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，適用于電動(dòng)汽車 (EV) 、混合電動(dòng)汽車 (HEV) 和中功率驅(qū)動(dòng)器
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汽車級(jí)絕緣柵雙極晶體管（IR）
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，適用于電動(dòng)汽車 (EV) 、混合電動(dòng)汽車 (HEV) 和中功率驅(qū)動(dòng)器
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