[導(dǎo)讀]IGBT的柵極過壓的原因1.靜電聚積在柵極電容上引起過壓。2.電容密勒效應(yīng)引起的柵極過壓。 為防止IGBT的柵極-發(fā)射極過壓情況發(fā)生，應(yīng)在IGBT的柵極與發(fā)射極之間并接一只幾十千
IGBT的柵極過壓的原因
1.靜電聚積在柵極電容上引起過壓。
2.電容密勒效應(yīng)引起的柵極過壓。
為防止IGBT的柵極-發(fā)射極過壓情況發(fā)生，應(yīng)在IGBT的柵極與發(fā)射極之間并接一只幾十千歐的電阻，如上圖所示。此電阻應(yīng)盡量靠近柵極與發(fā)射極。
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