最新的高速絕緣柵雙極晶體管(IGBT)兼具近乎完美的開關能效和650V的寬額定工作電壓，為應用設計提供更高的安全系數(shù)

意法半導體的新HB系列絕緣柵雙極晶體管(IGBT，Insulated-Gate Bipolar Transistors)擁有比競爭對手的高頻產品低達40%的關機能耗，同時可降低達30%的導通損耗。

HB系列利用意法半導體的溝柵式場截止型高速晶體管制造工藝，集電極關斷尾電流極低，飽和電壓(Vce(sat))為1.6V (典型值)，從而最大限度降低了開關和導通時的能耗。此外，這項技術具有良好的可控性，參數(shù)分布窗口十分緊密，從而可提高設計再用性，簡化系統(tǒng)設計。

意法半導體的HB系列IGBT 可提升目標應用的能效，例如太陽能逆變器、電磁爐、電焊機、不間斷電源、功率因數(shù)校正器和高頻功率轉換器。650V的寬額定工作電壓確保環(huán)境溫度在-40°C時擊穿電壓至少600V，使其特別適用于高寒地區(qū)的太陽能逆變器。175°C的最大工作結溫和寬安全工作區(qū)(SOA)提高了產品的可靠性，準許目標應用使用更小的散熱器。

可選參數(shù)包括30A到80A(在100°C時)的最大額定電流、多種主流的功率封裝和為諧振或硬開關電路優(yōu)化的內置二極管的封裝。

HB系列產品現(xiàn)已量產。