北京時(shí)間11月17日早間消息,美國(guó)一家法院周三判決Rambus在與美光和海力士的反壟斷訴訟中敗訴。這一判決導(dǎo)致Rambus股價(jià)周三下跌近2/3。Rambus此前對(duì)美光和海力士提起反壟斷訴訟,索賠40億美元。在周三法庭做出判決后,
美國(guó)一家法院周三判決Rambus在與美光和海力士的反壟斷訴訟中敗訴。這一判決導(dǎo)致Rambus股價(jià)周三下跌近2/3。Rambus此前對(duì)美光和海力士提起反壟斷訴訟,索賠40億美元。在周三法庭做出判決后,Rambus股價(jià)一度大跌80%,至
據(jù)IHS iSuppli公司的北美光伏市場(chǎng)報(bào)告,美國(guó)加州的許多太陽(yáng)能項(xiàng)目經(jīng)過(guò)多年開發(fā)之后終于投產(chǎn),預(yù)計(jì)2011年北美的光伏(PV)太陽(yáng)能系統(tǒng)安裝容量將大增200%。今年北美新安裝的PV容量預(yù)計(jì)將達(dá)3.5GW,是2010年1.2GW的三倍。其
力晶亟欲與標(biāo)準(zhǔn)型DRAM劃清界限的同時(shí),也積極往NANDFlash產(chǎn)業(yè)靠攏,董事長(zhǎng)黃崇仁表示,不要再說(shuō)臺(tái)灣沒(méi)有內(nèi)存自有技術(shù)了,力晶的NANDFlash技術(shù)目前臺(tái)灣唯一自產(chǎn)自銷,同時(shí)也呼吁美光(Micron)趕快把NANDFlash技術(shù)技轉(zhuǎn)
力晶亟欲與標(biāo)準(zhǔn)型DRAM劃清界限的同時(shí),也積極往NAND Flash產(chǎn)業(yè)靠攏,董事長(zhǎng)黃崇仁表示,不要再說(shuō)臺(tái)灣沒(méi)有內(nèi)存自有技術(shù)了,力晶的NAND Flash技術(shù)目前臺(tái)灣唯一自產(chǎn)自銷,同時(shí)也呼吁美光(Micron)趕快把NAND Flash技術(shù)
存儲(chǔ)器封測(cè)大廠力成科技(6239)接單再傳捷報(bào),拿下美光(Micron)及新帝(SanDisk)NAND快閃存儲(chǔ)器封測(cè)大單!,加上原大客戶東芝加碼釋單,力成第4季營(yíng)收可望優(yōu)于第3季 由于智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、Ultrabook等
之前我們?cè)?jīng)提到過(guò)美光開發(fā)的“夾心餅干”內(nèi)存技術(shù)即HMC(Hyper Memory Cube),該公司還聯(lián)合Intel在IDF 2011舊金山開發(fā)者論壇上展示了相關(guān)樣品。10月6日,美光宣布將和存儲(chǔ)芯片業(yè)界龍頭韓國(guó)三星電子一起研發(fā)HMC這種新
三星電子(Samsung Electronics)與美光(Micron)近日宣布成立「混合內(nèi)存立方體」(Hybrid Memory Cube,HMC)協(xié)會(huì),以用來(lái)開發(fā)與部署此一新一代HMC內(nèi)存技術(shù)的開放接口規(guī)格。根據(jù)雙方的聲明,成立該協(xié)會(huì)的關(guān)鍵因素,
三星電子(SamsungElectronics)與美光(Micron)近日宣布成立「混合內(nèi)存立方體」(HybridMemoryCube,HMC)協(xié)會(huì),以用來(lái)開發(fā)與部署此一新一代HMC內(nèi)存技術(shù)的開放接口規(guī)格。根據(jù)雙方的聲明,成立該協(xié)會(huì)的關(guān)鍵因素,也
三星目前正聯(lián)合競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手美光督促芯片界向新型堆疊式內(nèi)存(stackable memory)芯片技術(shù)過(guò)渡,此舉旨在降低能耗使用、加速電腦運(yùn)行速度。三星和美光在共同聲明中表示,DRAM芯片制造商應(yīng)該開始向名為“hybrid-cube”的混合
三星目前正聯(lián)合競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手美光督促芯片界向新型堆疊式內(nèi)存(stackablememory)芯片技術(shù)過(guò)渡,此舉旨在降低能耗使用、加速電腦運(yùn)行速度。三星和美光在共同聲明中表示,DRAM芯片制造商應(yīng)該開始向名為“hybrid-cube”的混合
三星目前正聯(lián)合競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手美光督促芯片界向新型堆疊式內(nèi)存(stackable memory)芯片技術(shù)過(guò)渡,此舉旨在降低能耗使用、加速電腦運(yùn)行速度。三星和美光在共同聲明中表示,DRAM芯片制造商應(yīng)該開始向名為“hybrid-cube&r
9月20日消息,Rambus律師周一在法庭上表示,微芯片制造商美光和海力士串謀打壓Rambus高端芯片技術(shù),以阻止Rambus技術(shù)成為業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)。不過(guò)美光和海力士在加州法庭上回?fù)舴Q:“Rambus的RDRAM內(nèi)存芯片技術(shù)失敗的原因
據(jù)IHSiSuppli公司的閃存市場(chǎng)報(bào)告,由于一家大型廠商的銷售額下降,第二季度NAND閃存市場(chǎng)意外下滑。根據(jù)最終數(shù)據(jù),第二季度全球NAND銷售額為47億美元,比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場(chǎng)降幅大于預(yù)期,主要是因?yàn)?/p>
據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場(chǎng)報(bào)告,由于一家大型廠商的銷售額下降,第二季度NAND閃存市場(chǎng)意外下滑。根據(jù)最終數(shù)據(jù),第二季度全球NAND銷售額為47億美元,比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場(chǎng)降幅大于預(yù)期,主要是因?yàn)?/p>
8月30日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,與Rambus合作的英特爾高管表示,RDRAM沒(méi)有成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),Rambus只能怪自己,而不是芯片廠商。英特爾工程師保羅·法希(Paul Fahey)在加利福尼亞州高等法院的庭審中為海力士(Hynix
由于市場(chǎng)需求仍持續(xù)低迷,以現(xiàn)階段DRAM總投片約1300K為基準(zhǔn)來(lái)計(jì)算,至少需減產(chǎn)20%,才有機(jī)會(huì)讓市場(chǎng)供需平衡,但再加上DRAM廠先前放入WaferBank中的庫(kù)存,甚至加上目前通路中所累積的DRAM顆粒,DRAM價(jià)格至少到明年第2
茂德有望引進(jìn)新合作伙伴,再度掀起DRAM業(yè)界“整并說(shuō)”。美光執(zhí)行長(zhǎng)愛(ài)波頓認(rèn)為,市況不好,但并非供過(guò)于求,預(yù)期景氣下修幅度不會(huì)如以往劇烈,前景很快就會(huì)明朗化,業(yè)界也將掀起整并風(fēng)。外電報(bào)導(dǎo),美光認(rèn)為,標(biāo)準(zhǔn)型存
LincolnRenewableEnergy公司(LRE)日前選擇英利綠色能源(YingliGreenEnergy,NYSE:YGE)為其位于新澤西州坎伯蘭縣FairfieldTownship的10MW光伏新電站提供55000塊YGE-235系列多晶硅組件。 該項(xiàng)目被稱為新澤西橡樹光
由于市場(chǎng)需求仍持續(xù)低迷,以現(xiàn)階段DRAM總投片約1300K為基準(zhǔn)來(lái)計(jì)算,至少需減產(chǎn)20%,才有機(jī)會(huì)讓市場(chǎng)供需平衡,但再加上DRAM廠先前放入WaferBank中的庫(kù)存,甚至加上目前通路中所累積的DRAM顆粒,DRAM價(jià)格至少到明年第2