據(jù)DIGITIMES Research,中國(guó)大陸早在1988年就有由恩智浦(NXP)與上?;瘜W(xué)工業(yè)區(qū)投資實(shí)業(yè)合資成立第1家IC制造廠商上海先進(jìn)半導(dǎo)體(ASMC),其后尚有首鋼日電(SGNEC)、無錫華潤(rùn)上華(CSMC)、華虹NEC (HH NEC)等晶圓代工廠
成立于2002年的Innovative Silicon公司,開發(fā)了一種稱為Z- RAM的浮體單晶體管存儲(chǔ)技術(shù),當(dāng)時(shí)它宣稱比傳統(tǒng)DRAM更好。然而今天,公司已經(jīng)關(guān)門大吉。公司即將卸任的首席營(yíng)運(yùn)官M(fèi)ichael Van Buskirk,在他的LinkedIn的個(gè)人
上海晶圓代工廠中芯國(guó)際(SMIC)昨(12)日宣布,將以總額10億美元資金注資武漢12寸廠新芯半導(dǎo)體,中芯未來將擁有新芯66.66%股權(quán)及經(jīng)營(yíng)主導(dǎo)權(quán),該廠未來將成為中芯為NOR快閃存儲(chǔ)器大廠飛索(Spansion)代工65納米芯
2011年全球NAND Flash中,全球三星電子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市場(chǎng)龍頭,市占率高達(dá)36.2%,緊追在后的是東芝(Toshiba),市占率達(dá)35.1%,兩者合計(jì)掌握70%以上NAND Flash市場(chǎng);根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Tren
2011年全球NANDFlash中,全球三星電子(SamsungElectronics)仍是位居全球NANDFlash市場(chǎng)龍頭,市占率高達(dá)36.2%,緊追在后的是東芝(Toshiba),市占率達(dá)35.1%,兩者合計(jì)掌握70%以上NANDFlash市場(chǎng);根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForc
5月初,美光斥資12億美元收購恒憶,完成收購后美光成為同時(shí)擁有DRAM、NAND以及NOR技術(shù)的記憶體晶片大廠。對(duì)于這么大的收購舉動(dòng),有傳言,是英特爾在后面起到的推動(dòng)作用,因?yàn)槿堑目焖籴绕?,不想一家?dú)大的局面在存
針對(duì)存儲(chǔ)器模塊龍頭廠金士頓(Kingston)創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)呼吁政府出面集成DRAM廠,甚至應(yīng)先拿出20億美元(約新臺(tái)幣580億元)集成現(xiàn)有 DRAM廠,經(jīng)濟(jì)部長(zhǎng)施顏祥對(duì)此表示,政府對(duì)于DRAM產(chǎn)業(yè)已有2套方案,包括與日廠爾必達(dá)(Elp
據(jù)美臺(tái)商會(huì)(US-TaiwanBusinessCouncil)的一份報(bào)告稱,美光公司可能會(huì)收購其參與合資的臺(tái)灣內(nèi)存公司華亞的剩余股份,使之成為自己的全資控股子公司。報(bào)告稱:“美國(guó)內(nèi)存芯片廠商美光與南亞和華亞兩家內(nèi)存芯片公司的
據(jù)美臺(tái)商會(huì)(US-Taiwan Business Council)的一份報(bào)告稱,美光公司可能會(huì)收購其參與合資的臺(tái)灣內(nèi)存公司華亞的剩余股份,使之成為自己的全資控股子公司。報(bào)告稱:“美國(guó)內(nèi)存芯片廠商美光與南亞和華亞兩家內(nèi)存芯
由于智能型手機(jī)等行動(dòng)裝置應(yīng)用驅(qū)動(dòng)NANDFlash需求成長(zhǎng),加上日本強(qiáng)震造成東芝(Toshiba)5、6月NANDFlash供貨銳減50%,美光(Micron)看好NANDFlash產(chǎn)業(yè)將持續(xù)供不應(yīng)求,除與英特爾(Intel)合資新加坡廠取得多數(shù)股權(quán)和產(chǎn)能
近日英特爾和美光發(fā)表聯(lián)合聲明推出了采用20nm制造工藝的NAND閃存芯片產(chǎn)品,不過就在英特爾和美光發(fā)布新工藝的NAND閃存沒幾天之后Sandisk和東芝就聯(lián)合宣布19nm制造工藝的NAND閃存已經(jīng)誕生,這兩家公司在日本的芯片制造
Intel與美光的閃存合資企業(yè)IMFT近期動(dòng)作頻頻。繼上周宣布20nm閃存工藝后,本周兩家公司又共同宣布,位于新加坡的新閃存晶圓廠IM Flash Singapore正式開張。 這家300mm晶圓廠總投資為30億美元,雇員1200名。實(shí)際
近日美國(guó)美光科技有限公司半導(dǎo)體新測(cè)試項(xiàng)目在西安出口加工區(qū)B區(qū)正式落成,標(biāo)志著美光在我市高新區(qū)建設(shè)的超大規(guī)模集成電路加工生產(chǎn)基地再次擴(kuò)產(chǎn)成功。市委副書記、市長(zhǎng)陳寶根,市委常委、高新區(qū)管委會(huì)主任趙紅專,副市
本報(bào)訊 (記者 王燕) 昨日,美國(guó)美光科技有限公司半導(dǎo)體新測(cè)試項(xiàng)目在西安出口加工區(qū)B區(qū)正式落成,標(biāo)志著美光在我市高新區(qū)建設(shè)的超大規(guī)模集成電路加工生產(chǎn)基地再次擴(kuò)產(chǎn)成功。市委副書記、市長(zhǎng)陳寶根,市委常委、高新
在去年,Intel與美光的NAND合資的IMFT公司邁入25nm,不過一向崇尚摩爾定律的半導(dǎo)體業(yè)界又怎可能把技術(shù)卡在這里,而果不其然,它們又再度攜手,將技術(shù)推至20nm,并且打造出僅118mm平方大小的8GBMLC Flash,比
英特爾(Intel)和美光(Micron)在2005年底攜手搶進(jìn)NAND Flash領(lǐng)域且成立合資公司IM Flash Technologies(IMFT)至今,傳出5年合約已屆期滿,將于近日宣布最新的合作方向;由于2010年底美光獨(dú)自啟動(dòng)新加坡廠IM Flash Tech
在去年,Intel與美光的NAND合資的IMFT公司邁入25nm,不過一向崇尚摩爾定律的半導(dǎo)體業(yè)界又怎可能把技術(shù)卡在這里,而果不其然,它們又再度攜手,將技術(shù)推至20nm,并且打造出僅118mm平方大小的8GB MLC Flash,比起25nm更
英特爾(Intel)和美光(Micron)在2005年底攜手搶進(jìn)NAND Flash領(lǐng)域且成立合資公司IM Flash Technologies(IMFT)至今,傳出5年合約已屆期滿,將于近日宣布最新的合作方向;由于2010年底美光獨(dú)自啟動(dòng)新加坡廠IM Flash Tec
南韓記憶體大廠海力士(Hynix)對(duì)DRAM及NANDFlash產(chǎn)業(yè)后市,發(fā)表脫離谷底的看法,對(duì)于臺(tái)系DRAM廠而言,可望注入強(qiáng)心針。在矽晶圓部分,海力士與臺(tái)廠目前都有1~2個(gè)月不等庫存,短期仍可支應(yīng)生產(chǎn),但中長(zhǎng)線來看,日本地震
美光執(zhí)行長(zhǎng)SteveAppleton表示,看好3~5月的DRAM報(bào)價(jià)逐漸觸底反彈;再者,日前三星電子(SamsungElectronics)也開始調(diào)漲DRAM合約價(jià),南亞科也認(rèn)為4月合約價(jià)將會(huì)續(xù)漲,市場(chǎng)彌漫春燕將至的氣氛。美系記憶體大廠美光(Micr