NAND Flash大廠積極制程轉(zhuǎn)換 下半年20納米當(dāng)?shù)?/h1>
[導(dǎo)讀]2011年全球NANDFlash中，全球三星電子(SamsungElectronics)仍是位居全球NANDFlash市場(chǎng)龍頭，市占率高達(dá)36.2%，緊追在后的是東芝(Toshiba)，市占率達(dá)35.1%，兩者合計(jì)掌握70%以上NANDFlash市場(chǎng)；根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForc
2011年全球NANDFlash中，全球三星電子(SamsungElectronics)仍是位居全球NANDFlash市場(chǎng)龍頭，市占率高達(dá)36.2%，緊追在后的是東芝(Toshiba)，市占率達(dá)35.1%，兩者合計(jì)掌握70%以上NANDFlash市場(chǎng)；根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce最新統(tǒng)計(jì)，2011年第1季NANDFlash品牌供應(yīng)商的位元出貨量為13%，營(yíng)收成長(zhǎng)9.9%，達(dá)53.63億美元。
2011年第1季全球NANDFlash市場(chǎng)變化相當(dāng)多，最大影響當(dāng)屬日本311東北強(qiáng)震，對(duì)后勢(shì)NANDFlash市場(chǎng)和科技產(chǎn)業(yè)的供給面都造成多空復(fù)雜交錯(cuò)的影響，以及造成NANDFlash價(jià)格短線劇烈波動(dòng)；再者，2010年12月東芝日本12寸晶圓廠跳電事件，也影響2011年第1季NANDFlash產(chǎn)出，還有3月初蘋(píng)果(Apple)iPad2新產(chǎn)品問(wèn)世后，市場(chǎng)一片好評(píng)。
在供給端方面，延續(xù)之前現(xiàn)象，傳統(tǒng)的快閃記憶卡和優(yōu)盤(pán)需求仍是相當(dāng)疲弱，由智能型手機(jī)(SmartPhone)和平板計(jì)算機(jī)(Tablet)應(yīng)用帶動(dòng)的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器訂單仍是相當(dāng)穩(wěn)定，兩者發(fā)展呈現(xiàn)兩極化現(xiàn)象。
根據(jù)TrendForce統(tǒng)計(jì)，2011年第1季全球NANDFlash品牌供應(yīng)商的位元出貨量成長(zhǎng)13%，營(yíng)收規(guī)模達(dá)53.63億美元，較上季成長(zhǎng)9.9%。
以各家NANDFlash大廠2011年第1季排名來(lái)看，TrendForce統(tǒng)計(jì)，三星營(yíng)收為19.41億美元，以36.2%市占率穩(wěn)坐龍頭，東芝營(yíng)收為18.83億美元，市占率以35.1%排名第二之姿緊追在后，之后為美光(Micron)和海力士(Hynix)的纏斗，美光持續(xù)以市占率11.4%穩(wěn)坐全球第3，營(yíng)收為6.1億美元，海力士營(yíng)收則為5.74億美元，市占率以10.7%排名第4，而英特爾(Intel)營(yíng)收為3.55億美元，市占率為6.6%。
三星在2011年第1季持續(xù)稱(chēng)霸NANDFlash市場(chǎng)，雖然傳統(tǒng)記憶卡和優(yōu)盤(pán)需求疲弱，但來(lái)自智能型手機(jī)和平板計(jì)算機(jī)等系統(tǒng)廠的訂單卻是加溫，帶動(dòng)三星第1季的位元出貨量成長(zhǎng)20%，但平均售價(jià)下跌10%，但營(yíng)收仍小幅受到韓元升值的影響；受惠OEM訂單持續(xù)穩(wěn)定，三星第2季位元出貨量將可望成長(zhǎng)約30%以上。
在制程技術(shù)上，三星在第2季持續(xù)提升27納米制程比重，并將于下半年持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)21納米制程，預(yù)計(jì)可持續(xù)降低生產(chǎn)成本；在新產(chǎn)品方面，新的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器產(chǎn)品和固態(tài)硬盤(pán)(SSD)將是重點(diǎn)產(chǎn)品。
東芝2011年第1季的產(chǎn)出受到2010年12月跳電的影響而減少，主要也是靠智能型手機(jī)及平板計(jì)算機(jī)系統(tǒng)客戶的OEM訂單帶動(dòng)營(yíng)運(yùn)升溫；在制程技術(shù)方面，東芝和合作伙伴新帝持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)24納米制程，且預(yù)計(jì)下半年進(jìn)一步轉(zhuǎn)進(jìn)19納米制程，在技術(shù)制程轉(zhuǎn)換上非常積極。
再者，東芝和新帝在日本四日市興建新12寸晶圓廠Fab5，預(yù)計(jì)下半年會(huì)貢獻(xiàn)產(chǎn)能，屆時(shí)東芝可提升系統(tǒng)客戶的比重。
在美光方面，美光不但有OEM系統(tǒng)客戶的訂單，還有自家的快閃記憶卡零售通路品牌Lexar，加上2010年合并恒憶Numonyx帶來(lái)嵌入式產(chǎn)品新客戶，在產(chǎn)品消化應(yīng)用管道上相當(dāng)多元化。
整體來(lái)看，美光第1季的位元出貨量成長(zhǎng)約20%以上，但平均售價(jià)仍是減少，預(yù)計(jì)第2季位元產(chǎn)出量為10%，至于在價(jià)格方面，美光預(yù)期能微幅調(diào)漲。
美光日前也與英特爾合資興建新12寸晶圓廠，也就是新加坡廠，美光在2010年底就獨(dú)自啟動(dòng)新加坡新廠，當(dāng)時(shí)英特爾還未決定是否跟進(jìn)投資，不過(guò)，雙方已于2011年4月宣布將共同投資，美光的持股比重略高，未來(lái)也可分得較多產(chǎn)能。
海力士2011年第1季的位元出貨量增加約15%，平均售價(jià)約是持平，單季營(yíng)收為5.74億美元，市占率為10.7%，智能型手機(jī)及平板計(jì)算機(jī)同樣是營(yíng)運(yùn)成長(zhǎng)來(lái)源，預(yù)估第2季的位元出貨量將成長(zhǎng)約30%以上，平均售價(jià)小幅下跌5%。
在制程技術(shù)上，海力士持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)26納米制程，下半年則是轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程，目的也是強(qiáng)化成本結(jié)構(gòu)和競(jìng)爭(zhēng)力，同步也開(kāi)發(fā)嵌入式產(chǎn)品及SSD新產(chǎn)品以提高系統(tǒng)產(chǎn)品客戶的銷(xiāo)售比重。
英特爾日前決定繼續(xù)與美光投資新加坡12寸晶圓廠，為NANDFlash產(chǎn)業(yè)打了一劑強(qiáng)心針，英特爾目前產(chǎn)品線主要集中在固態(tài)硬盤(pán)上，產(chǎn)品線相當(dāng)齊全；英特爾的25納米制程領(lǐng)先問(wèn)世，下半年也將轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程，下半年新加坡新廠預(yù)計(jì)也可貢獻(xiàn)產(chǎn)能。
2011年第1季全球NANDFlash市場(chǎng)變化相當(dāng)多，最大影響當(dāng)屬日本311東北強(qiáng)震，對(duì)后勢(shì)NANDFlash市場(chǎng)和科技產(chǎn)業(yè)的供給面都造成多空復(fù)雜交錯(cuò)的影響，以及造成NANDFlash價(jià)格短線劇烈波動(dòng)；再者，2010年12月東芝日本12寸晶圓廠跳電事件，也影響2011年第1季NANDFlash產(chǎn)出，還有3月初蘋(píng)果(Apple)iPad2新產(chǎn)品問(wèn)世后，市場(chǎng)一片好評(píng)。
在供給端方面，延續(xù)之前現(xiàn)象，傳統(tǒng)的快閃記憶卡和優(yōu)盤(pán)需求仍是相當(dāng)疲弱，由智能型手機(jī)(SmartPhone)和平板計(jì)算機(jī)(Tablet)應(yīng)用帶動(dòng)的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器訂單仍是相當(dāng)穩(wěn)定，兩者發(fā)展呈現(xiàn)兩極化現(xiàn)象。
根據(jù)TrendForce統(tǒng)計(jì)，2011年第1季全球NANDFlash品牌供應(yīng)商的位元出貨量成長(zhǎng)13%，營(yíng)收規(guī)模達(dá)53.63億美元，較上季成長(zhǎng)9.9%。
以各家NANDFlash大廠2011年第1季排名來(lái)看，TrendForce統(tǒng)計(jì)，三星營(yíng)收為19.41億美元，以36.2%市占率穩(wěn)坐龍頭，東芝營(yíng)收為18.83億美元，市占率以35.1%排名第二之姿緊追在后，之后為美光(Micron)和海力士(Hynix)的纏斗，美光持續(xù)以市占率11.4%穩(wěn)坐全球第3，營(yíng)收為6.1億美元，海力士營(yíng)收則為5.74億美元，市占率以10.7%排名第4，而英特爾(Intel)營(yíng)收為3.55億美元，市占率為6.6%。
三星在2011年第1季持續(xù)稱(chēng)霸NANDFlash市場(chǎng)，雖然傳統(tǒng)記憶卡和優(yōu)盤(pán)需求疲弱，但來(lái)自智能型手機(jī)和平板計(jì)算機(jī)等系統(tǒng)廠的訂單卻是加溫，帶動(dòng)三星第1季的位元出貨量成長(zhǎng)20%，但平均售價(jià)下跌10%，但營(yíng)收仍小幅受到韓元升值的影響；受惠OEM訂單持續(xù)穩(wěn)定，三星第2季位元出貨量將可望成長(zhǎng)約30%以上。
在制程技術(shù)上，三星在第2季持續(xù)提升27納米制程比重，并將于下半年持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)21納米制程，預(yù)計(jì)可持續(xù)降低生產(chǎn)成本；在新產(chǎn)品方面，新的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器產(chǎn)品和固態(tài)硬盤(pán)(SSD)將是重點(diǎn)產(chǎn)品。
東芝2011年第1季的產(chǎn)出受到2010年12月跳電的影響而減少，主要也是靠智能型手機(jī)及平板計(jì)算機(jī)系統(tǒng)客戶的OEM訂單帶動(dòng)營(yíng)運(yùn)升溫；在制程技術(shù)方面，東芝和合作伙伴新帝持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)24納米制程，且預(yù)計(jì)下半年進(jìn)一步轉(zhuǎn)進(jìn)19納米制程，在技術(shù)制程轉(zhuǎn)換上非常積極。
再者，東芝和新帝在日本四日市興建新12寸晶圓廠Fab5，預(yù)計(jì)下半年會(huì)貢獻(xiàn)產(chǎn)能，屆時(shí)東芝可提升系統(tǒng)客戶的比重。
在美光方面，美光不但有OEM系統(tǒng)客戶的訂單，還有自家的快閃記憶卡零售通路品牌Lexar，加上2010年合并恒憶Numonyx帶來(lái)嵌入式產(chǎn)品新客戶，在產(chǎn)品消化應(yīng)用管道上相當(dāng)多元化。
整體來(lái)看，美光第1季的位元出貨量成長(zhǎng)約20%以上，但平均售價(jià)仍是減少，預(yù)計(jì)第2季位元產(chǎn)出量為10%，至于在價(jià)格方面，美光預(yù)期能微幅調(diào)漲。
美光日前也與英特爾合資興建新12寸晶圓廠，也就是新加坡廠，美光在2010年底就獨(dú)自啟動(dòng)新加坡新廠，當(dāng)時(shí)英特爾還未決定是否跟進(jìn)投資，不過(guò)，雙方已于2011年4月宣布將共同投資，美光的持股比重略高，未來(lái)也可分得較多產(chǎn)能。
海力士2011年第1季的位元出貨量增加約15%，平均售價(jià)約是持平，單季營(yíng)收為5.74億美元，市占率為10.7%，智能型手機(jī)及平板計(jì)算機(jī)同樣是營(yíng)運(yùn)成長(zhǎng)來(lái)源，預(yù)估第2季的位元出貨量將成長(zhǎng)約30%以上，平均售價(jià)小幅下跌5%。
在制程技術(shù)上，海力士持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)26納米制程，下半年則是轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程，目的也是強(qiáng)化成本結(jié)構(gòu)和競(jìng)爭(zhēng)力，同步也開(kāi)發(fā)嵌入式產(chǎn)品及SSD新產(chǎn)品以提高系統(tǒng)產(chǎn)品客戶的銷(xiāo)售比重。
英特爾日前決定繼續(xù)與美光投資新加坡12寸晶圓廠，為NANDFlash產(chǎn)業(yè)打了一劑強(qiáng)心針，英特爾目前產(chǎn)品線主要集中在固態(tài)硬盤(pán)上，產(chǎn)品線相當(dāng)齊全；英特爾的25納米制程領(lǐng)先問(wèn)世，下半年也將轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程，下半年新加坡新廠預(yù)計(jì)也可貢獻(xiàn)產(chǎn)能。
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