英飛凌成功推出第五代thinQ!TM SiC肖特基勢壘二極管

21ic訊 英飛凌近日宣布推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基勢壘二極管，壯大其SiC(碳化硅)產品陣容。英飛凌榮獲專利的擴散焊接工藝早已應用于第三代產品，如今又成功地與更緊湊的全新設計和最新的薄晶圓技術有機結合

羅姆開發(fā)出SiC肖特基勢壘二極管SCS210AG/AM

21ic訊 羅姆株式會社面向太陽能發(fā)電功率調節(jié)器、工業(yè)設備、服務器和空調等的電源電路，開發(fā)出實現業(yè)界最小※正向電壓（VF＝1.35V）的第二代SiC（Silicon Carbide：碳化硅）肖特基勢壘二極管“SCS210AG/AM&rdquo

羅姆開發(fā)出SiC肖特基勢壘二極管SCS210AG/AM

21ic訊 羅姆株式會社面向太陽能發(fā)電功率調節(jié)器、工業(yè)設備、服務器和空調等的電源電路，開發(fā)出實現業(yè)界最小※正向電壓（VF＝1.35V）的第二代SiC（Silicon Carbide：碳化硅）肖特基勢壘二極管“SCS210AG/AM&rdquo

揚杰電子依靠單一供應商 業(yè)績受原材料價格影響較大

5月14日消息，據媒體報道，主營業(yè)務為分立器件芯片、功率二極管、整流橋等半導體分立器件產品的研發(fā)、制造與銷售的揚州揚杰電子，被指出過度依賴單一供應商，原材料成本高且波動大，進一步阻礙了該公司未來經營發(fā)展。

恩智浦推出低VF肖特基整流器DFN1608D-2

21ic訊 恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V.近日宣布推出面向移動設備市場的新一代低VF肖特基整流器，標志著其為小型化發(fā)展設立了新的重要基準。新款DFN1608D-2 (SOD1608) 塑料封裝典型厚度僅為0.37 mm，尺寸為1.6

恩智浦推出低VF肖特基整流器DFN1608D-2

21ic訊 恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V.近日宣布推出面向移動設備市場的新一代低VF肖特基整流器，標志著其為小型化發(fā)展設立了新的重要基準。新款DFN1608D-2 (SOD1608) 塑料封裝典型厚度僅為0.37 mm，尺寸為1.6

安森美半導體推出新系列100V溝槽型LVFR

21ic訊 安森美半導體(ON Semiconductor)推出新系列的100伏(V)溝槽型低正向壓降肖特基整流器(LVFR)，用于筆記本適配器或平板顯示器的開關電源、反向電池保護電路及高頻直流-直流(DC-DC)轉換器等應用。新的NTST30100CT

4款肖特基整流器（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款提供eSMP®表面貼裝和軸向引線封裝選項的新器件---10A V10P45S、15A V15P45S以及15A VSB1545和20A VSB2045，擴大其用于太陽能電池旁路應用的TMBS® Trench MO

4款新的30V肖特基勢壘二極管（安森美）

安森美半導體(ON Semiconductor)推出4款新的30伏(V)肖特基勢壘二極管。這些新的肖特基勢壘二極管采用超小型0201雙硅片無引腳(DSN2)芯片級封裝，為便攜電子設計人員提供業(yè)界最小的肖特基二極管和同類最佳的空間性能。

單片MOSFET和肖特基SkyFET產品（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出使用該公司最新TrenchFET®技術的第一款單片MOSFET和肖特基SkyFET®產品 --- Si4628DY。通過第三代TrenchFET硅技術，Si4628DY提供了在SO-8封裝的同類產品中前所未

單片MOSFET和肖特基SkyFET產品（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出使用該公司最新TrenchFET®技術的第一款單片MOSFET和肖特基SkyFET®產品 --- Si4628DY。通過第三代TrenchFET硅技術，Si4628DY提供了在SO-8封裝的同類產品中前所未

Zetex高效率低漏泄肖特基二級管

Zetex高效率低漏泄肖特基二級管