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霸氣外露，近距離看中國天河2號超級計(jì)算機(jī)

曾經(jīng)報(bào)道了一次天河2，但關(guān)于這部機(jī)器的細(xì)節(jié)還是一團(tuán)迷霧，特別是升級了「ARCH」聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)的內(nèi)部細(xì)節(jié)，16,000個(gè)節(jié)點(diǎn)是怎么通過這個(gè)ARCH堆到一起的。但下面這些圖片，稍能滿足一下大家的好奇心。首先是天

智能硬件
2013-07-21

超級計(jì)算機(jī) RC 節(jié)點(diǎn) RS
聯(lián)華電28nm節(jié)點(diǎn)采用Cadence物理和電學(xué)制造性設(shè)計(jì)簽收

Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司昨日宣布，歷經(jīng)廣泛的基準(zhǔn)測試后，半導(dǎo)體制造商聯(lián)華電子(UMC)已采用Cadence“設(shè)計(jì)內(nèi)”和“簽收”可制造性設(shè)計(jì)(DFM)流程對28納米設(shè)計(jì)進(jìn)行物理簽收和電學(xué)變量優(yōu)化。該流程既解

電子設(shè)計(jì)自動化
2013-07-19

聯(lián)華 DFM CADENCE 節(jié)點(diǎn)
28奈米強(qiáng)勁需求撐腰　臺積電卯全力擴(kuò)產(chǎn)

臺積電發(fā)動新一波擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。臺積電在18日法說會中宣布，將加速臺南Fab14廠五、六、七期擴(kuò)建工程，以在2014～2015年加入28奈米量產(chǎn)行列，同時(shí)提出新一代超大晶圓廠(Giga-Fab)計(jì)劃，將以空橋連接所有Fab14新舊廠，全面

模擬
2013-07-19

處理器臺積電 FAB 節(jié)點(diǎn)
一種分布式電池管理系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)

蓄電池技術(shù)是下一代汽車--電動汽車的核心技術(shù)之一。蓄電池是復(fù)雜的電化學(xué)系統(tǒng)，國內(nèi)外對電池管理技術(shù)都進(jìn)行了大量的研究，取得了許多成果。一般認(rèn)為電池管理系統(tǒng)主要有如下

電源-能源動力
2013-07-17

分布式電池管理系統(tǒng) BSP 節(jié)點(diǎn)
EUV微影尚未功成　設(shè)備業(yè)者仍在努力

在日前于美國舊金山舉行的 Semicon West 半導(dǎo)體設(shè)備展上，仍在開發(fā)中的超紫外光(EUV)微影技術(shù)又一次成為討論焦點(diǎn)；歐洲微電子研究機(jī)構(gòu)IMEC總裁暨執(zhí)行長Luc Van den Hove在一場座談會中表示：「EUV仍然是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界

模擬
2013-07-17

晶圓 ASML EUV 節(jié)點(diǎn)
近距離看中國天河2號超級計(jì)算機(jī)

天河2號已經(jīng)報(bào)道了很多次了，但關(guān)于這部全球第一的超級計(jì)算機(jī)，很多細(xì)節(jié)還是一團(tuán)迷霧，特別是升級了“ARCH”聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)的內(nèi)部細(xì)節(jié)，16000個(gè)節(jié)點(diǎn)是怎么通過這個(gè)ARCH堆到一起的?希望本文能稍微滿足一下大家的好

智能硬件
2013-07-16

IP 超級計(jì)算機(jī) RC 節(jié)點(diǎn)
美公司研發(fā)高性能晶體管創(chuàng)新外延技術(shù)

新的NMOS(N型金屬氧化物半導(dǎo)體)外延沉積工藝對下一代移動處理器芯片內(nèi)更快的晶體管至關(guān)重要。應(yīng)用材料公司在Applied Centura RP Epi系統(tǒng)設(shè)備上新開發(fā)了一套NMOS晶體管應(yīng)用技術(shù)，繼續(xù)保持其在外延技術(shù)方面十年來的領(lǐng)先

模擬
2013-07-15

半導(dǎo)體晶體管應(yīng)用材料公司節(jié)點(diǎn)
低功耗無線檢測

與傳統(tǒng)有線檢測系統(tǒng)相比，低功耗無線技術(shù)正在使傳感器網(wǎng)絡(luò)的成本大幅降低，并為采用有線方法根本不可能實(shí)現(xiàn)的傳感器網(wǎng)絡(luò)提供了實(shí)現(xiàn)的可能性。低功耗無線傳感器網(wǎng)絡(luò) (WSN)

功率器件
2013-07-15

無線低功耗 WSN 節(jié)點(diǎn)
應(yīng)用材料公司發(fā)布高性能晶體管創(chuàng)新外延技術(shù)

新的NMOS（N型金屬氧化物半導(dǎo)體）外延沉積工藝對下一代移動處理器芯片內(nèi)更快的晶體管至關(guān)重要應(yīng)用材料公司在Applied Centura RP Epi系統(tǒng)設(shè)備上新開發(fā)了一套NMOS晶體管應(yīng)用技術(shù)，繼續(xù)保持其在外延技術(shù)方面十年來的領(lǐng)

消費(fèi)電子
2013-07-15

晶體管應(yīng)用材料公司 PI 節(jié)點(diǎn)
應(yīng)用材料公司發(fā)布高性能晶體管創(chuàng)新外延技術(shù)

新的NMOS（N型金屬氧化物半導(dǎo)體）外延沉積工藝對下一代移動處理器芯片內(nèi)更快的晶體管至關(guān)重要應(yīng)用材料公司在Applied Centura RP Epi系統(tǒng)設(shè)備上新開發(fā)了一套NMOS晶體管應(yīng)用技術(shù)，繼續(xù)保持其在外延技術(shù)方面十年來的領(lǐng)

電子設(shè)計(jì)自動化
2013-07-15

晶體管應(yīng)用材料公司 PI 節(jié)點(diǎn)
一種CPLD自供電系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)

有一種常見的工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用，即按一個(gè)長間隔(如每分鐘一次)對環(huán)境條件，如GPS(全球定位系統(tǒng))位置、電壓、溫度或光線進(jìn)行采樣的系統(tǒng)。這類系統(tǒng)正越來越多地采用無線和電池供

數(shù)字電源
2013-07-11

電容供電系統(tǒng) CPLD 節(jié)點(diǎn)
CAN BUS特色與應(yīng)用實(shí)例

由于汽車產(chǎn)業(yè)不斷追求安全可靠、極致性能、舒適方便以及低成本等目標(biāo)，但汽車內(nèi)高復(fù)雜的系統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)，使得線束過于龐大，導(dǎo)致成本提高且網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)也難以持續(xù)提升，與前者形成沖突。于是德國Bosch在1985年提出CAN BUS(Con

汽車電子
2013-07-10

計(jì)算機(jī) 應(yīng)用實(shí)例 CAN 節(jié)點(diǎn)
我國已建成各類CDN節(jié)點(diǎn)數(shù)超2400個(gè) 帶寬儲備超5.5T

在日前召開的“互聯(lián)網(wǎng)經(jīng)濟(jì)國際交流專題研討會”上，工信部電信研究院政策與經(jīng)濟(jì)研究所副主任馬志剛表示,寬帶建設(shè)能大幅度提升互聯(lián)網(wǎng)經(jīng)濟(jì)發(fā)展水平。以三家基礎(chǔ)電信企業(yè)為主體，加快“光進(jìn)銅退”進(jìn)

通信技術(shù)
2013-07-10

互聯(lián)網(wǎng) 帶寬 CD 節(jié)點(diǎn)
Semico：28nm SoC開發(fā)成本較40nm攀升1倍

根據(jù)SemicoResearch的報(bào)告顯示，采用28nm制程的系統(tǒng)級晶片(SoC)設(shè)計(jì)成本較前一代40nm制程節(jié)點(diǎn)增加了78%，此外，軟體成本增加的比重更高，提高約一倍以上。Semicon估計(jì)，推出系統(tǒng)晶片所需的軟體開發(fā)成本，目前已經(jīng)遠(yuǎn)高

半導(dǎo)體
2013-06-30

SoC IC SEMI 節(jié)點(diǎn)
SoC 軟體開發(fā)成本遠(yuǎn)高于IC設(shè)計(jì)成本

根據(jù)SemicoResearch的報(bào)告顯示，采用28nm制程的系統(tǒng)級晶片(SoC)設(shè)計(jì)成本較前一代40nm制程節(jié)點(diǎn)增加了78%，此外，軟體成本增加的比重更高，提高約一倍以上。Semicon估計(jì)，推出系統(tǒng)晶片所需的軟體開發(fā)成本，目前已經(jīng)遠(yuǎn)高

電子設(shè)計(jì)自動化
2013-06-25

SoC SEMI IC設(shè)計(jì) 節(jié)點(diǎn)
Semico：28nm SoC開發(fā)成本較40nm攀升1倍

根據(jù)SemicoResearch的報(bào)告顯示，采用28nm制程的系統(tǒng)級晶片(SoC)設(shè)計(jì)成本較前一代40nm制程節(jié)點(diǎn)增加了78%，此外，軟體成本增加的比重更高，提高約一倍以上。Semicon估計(jì)，推出系統(tǒng)晶片所需的軟體開發(fā)成本，目前已經(jīng)遠(yuǎn)高

電子設(shè)計(jì)自動化
2013-06-25

SoC IC SEMI 節(jié)點(diǎn)
Semico：28nm SoC開發(fā)成本較40nm攀升1倍

根據(jù)SemicoResearch的報(bào)告顯示，采用28nm制程的系統(tǒng)級晶片(SoC)設(shè)計(jì)成本較前一代40nm制程節(jié)點(diǎn)增加了78%，此外，軟體成本增加的比重更高，提高約一倍以上。Semicon估計(jì)，推出系統(tǒng)晶片所需的軟體開發(fā)成本，目前已經(jīng)遠(yuǎn)高

模擬
2013-06-24

SoC IC SEMI 節(jié)點(diǎn)
Alchimer與IMEC在22奈米以下先進(jìn)制程進(jìn)行合作

雙鑲嵌、矽通孔(TSV)、微機(jī)電(MEMS)與太陽能等領(lǐng)域濕沉積技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商Alchimer，宣布與歐洲研究機(jī)構(gòu)IMEC攜手進(jìn)行一項(xiàng)合作研發(fā)計(jì)劃，為先進(jìn)的奈米互連技術(shù)評估和實(shí)施銅(Cu)填充解決方案。該計(jì)劃的重點(diǎn)將是Alchime

半導(dǎo)體
2013-06-20

先進(jìn)制程晶圓 CMOS 節(jié)點(diǎn)
Alchimer攜手IMEC在22nm以下先進(jìn)制程進(jìn)行合作

雙鑲嵌、矽通孔(TSV)、微機(jī)電(MEMS)與太陽能等領(lǐng)域濕沉積技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商Alchimer，宣布與歐洲研究機(jī)構(gòu)IMEC攜手進(jìn)行一項(xiàng)合作研發(fā)計(jì)劃，為先進(jìn)的奈米互連技術(shù)評估和實(shí)施銅(Cu) 填充解決方案。該計(jì)劃的重點(diǎn)將是 Alchi

模擬
2013-06-18

先進(jìn)制程晶圓 CMOS 節(jié)點(diǎn)
為無線傳感網(wǎng)構(gòu)建做出正確的權(quán)衡

越來越多的高性價(jià)比的無線技術(shù)和可應(yīng)用于更廣領(lǐng)域的解決方案的出現(xiàn)，帶來了無線傳感網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的激增。無線系統(tǒng)制造商的目標(biāo)就是提供更加靈活可靠的方案，在獲得最長的電池壽命的同時(shí)盡可能擴(kuò)展網(wǎng)絡(luò)的傳輸距離。

工業(yè)控制
2013-06-18

無線傳感網(wǎng) 調(diào)制方式 4GHZ 節(jié)點(diǎn)

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節(jié)點(diǎn)

霸氣外露，近距離看中國天河2號超級計(jì)算機(jī)

聯(lián)華電28nm節(jié)點(diǎn)采用Cadence物理和電學(xué)制造性設(shè)計(jì)簽收

28奈米強(qiáng)勁需求撐腰　臺積電卯全力擴(kuò)產(chǎn)

一種分布式電池管理系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)

EUV微影尚未功成　設(shè)備業(yè)者仍在努力

近距離看中國天河2號超級計(jì)算機(jī)

美公司研發(fā)高性能晶體管創(chuàng)新外延技術(shù)

低功耗無線檢測

應(yīng)用材料公司發(fā)布高性能晶體管創(chuàng)新外延技術(shù)

應(yīng)用材料公司發(fā)布高性能晶體管創(chuàng)新外延技術(shù)

一種CPLD自供電系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)

CAN BUS特色與應(yīng)用實(shí)例

我國已建成各類CDN節(jié)點(diǎn)數(shù)超2400個(gè) 帶寬儲備超5.5T

Semico：28nm SoC開發(fā)成本較40nm攀升1倍

SoC 軟體開發(fā)成本遠(yuǎn)高于IC設(shè)計(jì)成本

Semico：28nm SoC開發(fā)成本較40nm攀升1倍

Semico：28nm SoC開發(fā)成本較40nm攀升1倍

Alchimer與IMEC在22奈米以下先進(jìn)制程進(jìn)行合作

Alchimer攜手IMEC在22nm以下先進(jìn)制程進(jìn)行合作

為無線傳感網(wǎng)構(gòu)建做出正確的權(quán)衡

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