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業(yè)界專家暢談汽車電子產業(yè)發(fā)展新趨勢
CAN提供多個主控層，以支持對智能冗余系統(tǒng)的開發(fā)。在這種類型的網絡中，如果一個網絡的節(jié)點有缺陷，那么，網絡仍然能夠發(fā)揮作用。消息通過網絡廣播，然后所有的節(jié)點都接收到該消息，并能夠讀該消息，以確定這個消息是
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愛特梅爾擴展maXTouch S系列控制器提供增強節(jié)點與功能
21ic訊 愛特梅爾公司(Atmel® Corporation)宣布擴展其maXTouch S觸摸控制器系列，推出愛特梅爾mXT540S控制器，進一步支持在各種類型的手持式設備的設計中采用更大顯示屏的發(fā)展趨勢。新的愛特梅爾maXTouch mXT540
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基于牛角棋的博弈電路系統(tǒng)設計
基于牛角棋的博弈電路系統(tǒng)設計
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智慧機晶片庫存逆風Q1底緩解臺積電Q2加溫
臺積電(2330-TW)1/17將舉行法說，外資聚焦后市。德意志證券表示，智慧機晶片庫存消化清況可望首季底紓解，28奈米在中低階采用加速，多數產品線庫存將有回補潮，將可驅動臺積電(2330-TW)第2季后市，重申買進評等和目標
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ARM核的時代已接近尾聲了嗎？
回想起很多公司都擁有自己的處理器架構的時代，那是電子和半導體成就的高峰期，很多數字工程師都對在哪些電子設備商跑自己的設計的程序感到很興奮，很有成就感。 眾所周知，成功造就了普及，而普及又推動了下一
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德意志：智慧機晶片庫存逆風Q1底緩解臺積電Q2加溫
臺積電(2330-TW)1/17將舉行法說，外資聚焦后市。德意志證券表示，智慧機晶片庫存消化清況可望首季底紓解，28奈米在中低階采用加速，多數產品線庫存將有回補潮，將可驅動臺積電(2330-TW)第2季后市，重申買進評等和目標
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全球首款正式商用的ARM服務器現身百度
隨著ARM64位處理器Cortex-A50系列在2012年問世，以及眾多軟件廠商宣布對ARM架構的支持，ARM服務器生態(tài)系統(tǒng)已開始形成，ARM在服務器領域的聲音也越來越強。為了滿足自身應用對于IT基礎架構的特殊需求，一些有技術實力
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愛特梅爾擴展maXTouch S系列控制器提供增強節(jié)點與功能
愛特梅爾擴展maXTouch S系列控制器提供增強節(jié)點與功能
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歐美運營商今年進行小型基站接入技術首次部署
全球運營商將在今年進行小型基站（Small-Cell）接入技術的首次部署，以達到3G和4G網絡容量高密集度覆蓋的目的。無線運營商對小型基站技術情有獨鐘，主要目的是為了在用戶常用手機的地方大規(guī)模增加帶寬，包括商場，體
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升職越快越好嗎
升職越快越好嗎?這對很多人來說似乎根本不能算一個問題。好多人參加同學聚會，明明是一起混了四年的熟人，還要彼此換一下名片，不就是為了相互秀一下自己的頭銜是什么，看看誰發(fā)展得快。就算不跟別人比，升職帶來的更
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農村電網主變壓器調壓要點
隨著國民經濟的快速發(fā)展和全社會用電負荷的高速增長，有載調壓變壓器在電網中得到了大量的使用。毋庸諱言，在縣級供電企業(yè)中由于部分調度及相關技術管理人員，對電網電壓的調整和樞紐變電所中低壓母線節(jié)點的電壓水平
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電機溫度監(jiān)測系統(tǒng)低功耗無線節(jié)點模塊設計
摘要：提出了一種用于電機溫度監(jiān)測系統(tǒng)的無線數據收發(fā)節(jié)點模塊設計方案，利用LPC1114的省電耗模式配合Si4432集成芯片實現無線收發(fā)模塊的低功耗。另外，針對模塊硬件實現RF前端高頻電路設計和前期仿真做出詳細說明，模
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RS-485的多機通信方案探究
引言 在嵌入式系統(tǒng)中，多個孤立節(jié)點之間的通信越來越重要，尤其是物聯網時代的到來，多節(jié)點間通信已經成為必不可少的功能。由此出現了許多通信手段，如RS-232、RS-485、CAN總線、ZigBee等，綜合考慮性能和成本，
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低能耗節(jié)點位置未知無線傳感器網絡控制方案
摘要：介紹了一種低能耗節(jié)點位置未知的網絡控制方案，根據不同的網絡運行輪數設定網絡節(jié)點的通信半徑，使網絡具有良好的能量有效性。網絡中基站經過構建階段的啟動過程、節(jié)點信息收集過程和節(jié)點信息上報過程，獲得了
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浸潤式微影壽命延長EUV恐無出頭天？
當193奈米微影技術在半導體制程技術藍圖上已經接近終點，下一代應該是157奈米微影；德州儀器( TI )前段制程部門經理Jim Blatchford雖然才剛完成采購先進157奈米微影系統(tǒng)的協(xié)商，他還是有點擔心這種未經驗證的技術。
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下一代FD－SOI制程將跳過20nm直沖14nm
在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術研討會上，產業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術藍圖現在直接跳過了20奈米節(jié)點，直接往14奈米、接著是10奈米發(fā)
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下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm
在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI(fullydepletedsilicononinsulator)技術研討會上，產業(yè)組織SOIConsortium所展示的文件顯示，FD-SOI制程技術藍圖現在直接跳過了20nm節(jié)點，直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。根據SOICon
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FD-SOI制程藍圖:跳過20奈米節(jié)點，直沖14奈米
14奈米FD-SOI技術問世的時間點約與英特爾 (Intel)的14奈米FinFET相當，而兩者的性能表現差不多，FD-SOI的成本則應該會比FinFET低得多。近日，在一場于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)
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下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm
在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術研討會上，產業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術藍圖現在直接跳過了20nm節(jié)點，直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。根
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下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm
在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術研討會上，產業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術藍圖現在直接跳過了20奈米節(jié)點，直接往14奈米、接著是10奈米發(fā)
