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[導(dǎo)讀]在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI(fullydepletedsilicononinsulator)技術(shù)研討會上,產(chǎn)業(yè)組織SOIConsortium所展示的文件顯示,F(xiàn)D-SOI制程技術(shù)藍(lán)圖現(xiàn)在直接跳過了20nm節(jié)點,直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。根據(jù)SOICon

在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI(fullydepletedsilicononinsulator)技術(shù)研討會上,產(chǎn)業(yè)組織SOIConsortium所展示的文件顯示,F(xiàn)D-SOI制程技術(shù)藍(lán)圖現(xiàn)在直接跳過了20nm節(jié)點,直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。

根據(jù)SOIConsortium執(zhí)行總監(jiān)HoracioMendez在該場會議上展示的投影片與評論指出,14nmFD-SOI技術(shù)問世的時間點約與英特爾(Intel)的14nmFinFET相當(dāng),而兩者的性能表現(xiàn)差不多,F(xiàn)D-SOI的成本則應(yīng)該會比FinFET低得多。

而意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,ST)前段制程部門執(zhí)行副總裁JoelHartmann則在同一場由SOIConsortium舉辦的研討會上,展示該公司FD-SOI制程將由28nm──2012下半年量產(chǎn)──跳過20nm,直接前進至14nm、然后10nm的技術(shù)藍(lán)圖。先前ST曾指出,該公司將在2012年7月推出28nmFD-SOI制程原型,然后會在2013年第三季推出20nmFD-SOI制程原型。

這意味著FD-SOI技術(shù)陣營已經(jīng)改變了對20nm節(jié)點的策略,因此下一代的FD-SOI技術(shù)將與英特爾的14nmFinFET制程,以及包括臺積電(TSMC)、Globalfoundries等晶圓代工廠所提供的其他FinFET制程,在同一節(jié)點上競爭。

Hartmann也提供了以ST的28nmFD-SOI制程與ST-Ericsson多核心ModApNovaThor處理器搭配,所量測到的最新性能結(jié)果;宣稱ST的28nm閘極優(yōu)先(gate-first)FD-SOI制程與28nmbulkCMOS制程相較,更能達到低功耗以及高性能。

SOIConsortium的Mendez展示的技術(shù)藍(lán)圖顯示,F(xiàn)D-SOI現(xiàn)在包括預(yù)計2016年問世的10nm制程節(jié)點;而這也會是FD-SOI技術(shù)被引介為FinFET制程解決方案選項之一的節(jié)點。


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