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三星研究所CEO：硅技術(shù)將向10nm發(fā)展
韓國三星先進技術(shù)研究所總裁兼CEO Kinam Kim 博士在2012年中國國際半導(dǎo)體技術(shù)大會(CSTIC2012)帶來主題為“探索硅技術(shù)的前景(Exploring Si Technology’s Horizon)”的精彩演講。Kim博士表示，閃存技術(shù)
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瑞薩發(fā)布首款嵌入式閃存技術(shù)
瑞薩發(fā)布首款嵌入式閃存技術(shù)
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閃存技術(shù)正悄然替代硬盤
改變IT世界三大力量之 閃存的故事 未來10年，對計算機改變最大的技術(shù)。 解決計算機硬盤性能瓶頸，正在逐步替代硬盤的閃存。 話說現(xiàn)代計算機，都是依據(jù)馮·諾依曼型原理開發(fā)的，俗稱馮&mi
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蘋果收購閃存技術(shù)廠商Anobit，可以將iPad的存儲容量提高一倍
北京時間12月20日消息，據(jù)國外媒體報道，蘋果已經(jīng)以5億美元價格收購了以色列閃存技術(shù)廠商Anobit。報道稱，Anobit管理層正在集合員工以正式宣布公司被蘋果收購的消息。上周有媒體報道稱，蘋果正在同Anobit進行談判，打
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瑞薩領(lǐng)先業(yè)界開發(fā)出40nm工藝的MCU混載閃存技術(shù)
試制的40nm閃存混載芯片瑞薩電子2011年12月14日宣布開發(fā)出了40nm工藝的MCU混載閃存技術(shù)。采用該技術(shù)的首款產(chǎn)品——車載閃存混載MCU預(yù)定2012年初秋開始樣品供貨。目前正在量產(chǎn)的閃存混載MCU，即使是最高端產(chǎn)
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Fusion-io上市首日大漲18.42% 兩度上調(diào)發(fā)行價
北京時間6月10日，美國閃存技術(shù)公司Fusion-io周四登陸紐交所，發(fā)行價每股19美元。Fusion-io以每股25美元開盤，股價一度走高至33美元，截至收盤大漲18.42，報每股11.50美元，目前總市值15.1億美元。6月7日，公司宣
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英特爾稱其20納米閃存技術(shù)領(lǐng)先三星 今年下半年將開始量產(chǎn)8GB產(chǎn)品
英特爾與美光稱上周宣布了20納米Nand閃存制造技術(shù)，英特爾稱利用這一技術(shù)將有望制造出業(yè)界體積最小、密度最高的閃存裝置。英特爾的非揮發(fā)性內(nèi)存解決方案部門的總經(jīng)理TomRampone表示，“英特爾與美光的合作是制造業(yè)的
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東芝升級24納米閃存技術(shù)
東芝日前對旗下24納米工藝閃存芯片進行升級并推出了最新SmartNAND系列產(chǎn)品，東芝此次閃存升級可能是在為蘋果下一代iPhone 5手機的發(fā)布做準(zhǔn)備。SmartNAND系列產(chǎn)品基于24納米制程工藝，芯片最大容量可達64GB，適用于媒
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愛迪德獲得 CCBN2011“科技創(chuàng)新國際貢獻獎”
北京2011年4月1日電 /美通社亞洲/ -- 全球領(lǐng)先的軟件安全和媒體技術(shù)公司愛迪德今日宣布，公司條件接收系統(tǒng)3.0（CAS 3.0）獲得了由中國廣播電視設(shè)備工業(yè)協(xié)會頒發(fā)的“科技創(chuàng)新國際貢獻獎”。愛迪德的 CAS 3.0可以幫助廣
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GlobalFoundries攜手飛思卡爾研發(fā)90納米閃存技術(shù)
GlobalFoundries除了在28納米制程上，宣布以28納米高介電金屬柵極(HKMG)技術(shù)，試產(chǎn)出全球首顆安謀(ARM)Cortex-A9架構(gòu)的芯片外，同時也宣布與飛思卡爾(Freescale)合作研發(fā)90納米閃存技術(shù)，進一步強化合作關(guān)系。
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全球晶圓攜手飛思卡爾研發(fā)90奈米閃存技術(shù)
全球晶圓(Global Foundries)除了在28奈米制程上，宣布以28奈米高介電金屬閘極(HKMG)技術(shù)，試產(chǎn)出全球首顆安謀(ARM)Cortex-A9架構(gòu)的芯片外，同時也宣布與飛思卡爾(Freescale)合作研發(fā)90奈米閃存技術(shù)，進一步強化合作關(guān)
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TIMC組建聯(lián)盟布局存儲閃存技術(shù)
據(jù)臺灣媒體報道，臺灣創(chuàng)新內(nèi)存公司(TIMC)將聯(lián)合茂德、晶豪科、翔準(zhǔn)等公司，布局自有儲存型閃存(NAND Flash)技術(shù)，而政府層面將給予40%的研發(fā)補貼?！ 〈饲癟IMC規(guī)劃以日本廠商爾必達為技術(shù)合作伙伴進行DRAM產(chǎn)業(yè)再造，
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瑞薩力晶合資閃存業(yè)務(wù)散伙
據(jù)日本媒體報道，日本半導(dǎo)體廠商Renesas瑞薩科技與臺灣力晶半導(dǎo)體已經(jīng)決定終結(jié)雙方合資的閃存研發(fā)合資企業(yè)。瑞薩計劃把股權(quán)、設(shè)計資產(chǎn)及債權(quán)債務(wù)轉(zhuǎn)讓給力晶，并于今日正式解散雙方在日本的合資公司。力晶最早于2006年
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NAND閃存技術(shù)將在十年之內(nèi)遭遇技術(shù)極限
《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內(nèi)基梅隆大學(xué)教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術(shù)，看它們到2020年的時候能否在單位容量成本上超越機械硬盤，
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飛索澄清“暫停與武漢新芯的合作”純屬誤解
針對先前有媒體報導(dǎo)飛索暫停了與武漢新芯的合作，飛索公司企業(yè)營銷總監(jiān)John Nation昨日駁斥上述說法，并指出這是一場誤解。事實上，飛索與中芯國際和武漢新芯的合作，都還在持續(xù)進行中，包括盡快移轉(zhuǎn)43納米的技術(shù)，還
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美光公司因其DRAM和NAND閃存技術(shù)創(chuàng)新獲半導(dǎo)體Insight獎
美光科技股份有限公司宣布，Semiconductor Insights選擇美光公司兩項業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的DRAM和NAND創(chuàng)新作為其第八屆Insight年度大獎的獲勝者。美光公司的32Gb、34納米的NAND閃存獲得“最具創(chuàng)新性工藝技術(shù)”獎，其1Gb、50納米
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SanDisk與索尼聯(lián)合開發(fā)TB級閃存技術(shù)
據(jù)存儲在線報道，在近期的CES展會上，SanDisk與索尼共同宣布了一項計劃，雙方打算聯(lián)合開發(fā)兩款新型大容量閃存，將閃存容量提升到TB級以上。這兩款新產(chǎn)品目前被暫時定名為"Memory Stick format for Extended Hig
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掌握閃存技術(shù) 才能解救臺DRAM產(chǎn)業(yè)
由于產(chǎn)業(yè)先前進入景氣循環(huán)的低潮，繼之又碰到史上罕見的全球景氣衰退，DRAM產(chǎn)業(yè)的形勢到了2008年下半已經(jīng)到極為險峻的地步。這不僅發(fā)生在國內(nèi)，也發(fā)生在全球各DRAM廠。內(nèi)存產(chǎn)業(yè)是臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的兩大支柱之一，臺灣
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