GlobalFoundries除了在28納米制程上，宣布以28納米高介電金屬柵極(HKMG)技術，試產(chǎn)出全球首顆安謀(ARM)Cortex-A9架構的芯片外，同時也宣布與飛思卡爾(Freescale)合作研發(fā)90納米閃存技術，進一步強化合作關系。
GlobalFoundries與ARM在2009年第3季宣布策略合作計劃，就是看好未來廣大的行動運算市場。而就在GlobalFoundries與ARM攜手后，臺積電也于2010年宣布與ARM，合作開發(fā)28納米及20納米制程嵌入式內(nèi)存及標準組件庫在內(nèi)的實體智財產(chǎn)品。因此，GlobalFoundries大動作公布采用28納米制程產(chǎn)出首顆ARM Cortex-A9芯片，亦被業(yè)界認為宣示意味濃厚，GlobalFoundries進一步指出，該芯片于德國德勒斯登Fab1進行試產(chǎn)，預計于2010年底前進行量產(chǎn)。
根據(jù)GlobalFoundries與ARM的估計，相較于40納米制程，28納米制程可望提升40%的效能、同時降低30%的功耗，并提升100%的待機電池續(xù)航力。
ARM執(zhí)行副總裁Simon Segars表示，隨著半導體推進先進制程，設計與制造端的合作將會更為緊密，透過ARM的硅智材與GlobalFoundries經(jīng)驗證的量產(chǎn)能力，將會對行動運算領域帶來創(chuàng)新的平臺，并且將使客戶更快速進入28納米HKMG的技術領域。
同時，GlobalFoundries也公布和飛思卡爾一系列基于90納米閃存技術的新薄膜內(nèi)存(TFS)計劃，飛思卡爾計劃將該技術應用于新一代的的微控制器(MCU)上，可針對從消費電子產(chǎn)品和家用電器到醫(yī)療設備和智能計量系統(tǒng)的各種應用。GlobalFoundries指出，90納米薄膜內(nèi)存技術與其它傳統(tǒng)的NVM架構不同，采用1種創(chuàng)新型硅納米晶體技術，具有位級的可靠性、速度、功率和尺寸。
根據(jù)雙方的合作細節(jié)，飛思卡爾的TFS技術具有FlexMemory功能，可配置電可程序設計內(nèi)存(EEPROM)，將應用于飛思卡爾ColdFire和Kinetis系列32位MCU產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品將采用GlobalFoundries的90納米技術制造。早期測試芯片已經(jīng)在GlobalFoundries位于新加坡的Fab7進行生產(chǎn)，預計技術認證將于2011年上半年完成。
隨著摩爾定律延伸，技術層次越高，如同臺積電發(fā)展More-than-Moore技術，GlobalFoundries也寄望切入微機電(MEMS)、模擬技術等領域，拓展多樣性的市場機會。 0 0