韓國(guó)產(chǎn)業(yè)資源部近日宣布,韓國(guó)光州科學(xué)技術(shù)院教授黃賢尚領(lǐng)導(dǎo)的科研小組成功開(kāi)發(fā)出了變阻存儲(chǔ)器(ReRAM-Resistance?。遥幔睿洌铮怼。粒悖悖澹螅蟆。停澹恚铮颍┰暮诵脑瓌?chuàng)技術(shù),這一技術(shù)足以克
8月下旬,AMD總裁兼CEO??铺?魯伊茲(Hector Ruiz)表示,AMD與英飛凌在閃存芯片領(lǐng)域進(jìn)行合作的可能性是非常大的。兩家公司在德國(guó)的德累斯頓區(qū)都設(shè)有工廠,因此進(jìn)行合作將是一種非常有吸引力的選擇。魯伊茲預(yù)測(cè),
美國(guó)東部時(shí)間11月23日上午6時(shí)11分(北京時(shí)間11月23日18時(shí)11分)消息,韓國(guó)公平貿(mào)易委員會(huì)于周三表示,將對(duì)三星與蘋(píng)果合作以向蘋(píng)果提供NAND閃存芯片交易過(guò)程中是否存在不公正行為一事進(jìn)行調(diào)查。 據(jù)韓國(guó)公平貿(mào)易委員
英特爾步步緊逼 誰(shuí)來(lái)拯救AMD閃存業(yè)務(wù)
閃存芯片霸主爭(zhēng)奪戰(zhàn) 三星超英特爾指日可待