意法半導體（STMicro）今天宣布128兆位NAND閃存芯片NAND128W3A2BN6E的生產(chǎn)轉(zhuǎn)向90納米制造工藝，這一舉措有助于降低在對成本要求很高的消費設(shè)備中廣泛使用的存儲芯片的成本和功耗，這些設(shè)備包括數(shù)碼相機、語音筆、PDA、機頂盒（STB）、打印機和捆綁式閃存卡。ST的NAND128是當今市場上僅有的一個采用90nm 制造工藝的128-Mbit NAND 閃存。

新產(chǎn)品證明了ST繼續(xù)開發(fā)低密度“小頁”NAND閃存產(chǎn)品的承諾，以支持正在使用目前已量產(chǎn)的該系列產(chǎn)品的用戶。NAND128W3A2BN6E 是一個采用TSOP封裝的3V產(chǎn)品，以消費電子產(chǎn)品為目標應(yīng)用。另兩款產(chǎn)品256-Mbit和512-Mbit的NAND閃存（均有3V 和1.8V兩個版本）也將在今后幾個月內(nèi)過渡到90納米制造工藝。

NAND128具有超高速的數(shù)據(jù)吞吐量和擦寫能力，該系列產(chǎn)品的地址線路和數(shù)據(jù)輸入/輸出信號都通過一個8位總線多路傳輸，從而降低了芯片的引腳數(shù)量，并允許使用一個模塊化的NAND接口，使設(shè)備制造商無需改變芯片占板空間就可制造使用更高（或更低）密度的改進系統(tǒng)。

ST提供的軟件工具套件支持快速的產(chǎn)品開發(fā)，能夠延長存儲器芯片的使用壽命。工具包括糾錯代碼（ECC）軟件、壞塊管理（BBM）、平均讀寫算法、文件系統(tǒng)OS本機參考軟件和硬件仿真模型。壞塊管理能夠發(fā)現(xiàn)并更換一個讀寫失敗的區(qū)塊，將數(shù)據(jù)復制到一個有效的區(qū)塊內(nèi)；平均讀寫算法通過在所有的區(qū)塊上分配擦寫操作實現(xiàn)優(yōu)化器件的老化問題。

新的閃存芯片由1024個標稱16字節(jié)的區(qū)塊組成，每個區(qū)塊又分成512字節(jié)的頁面，每頁還有16個備用字節(jié)，同時每個頁面均可執(zhí)行讀取與編程操作。備用字節(jié)用于糾錯、軟件卷標或壞塊識別。備份編程（Copy Back Program）模式能給儲存在某一個頁面的數(shù)據(jù)編程，然后將編程數(shù)據(jù)直接轉(zhuǎn)存到另一個頁面上，而無需額外的緩存。當頁面編程操作因一個損壞區(qū)塊而失敗時，這個功能特別有用。新器件還提供區(qū)塊擦除指令，擦除一個區(qū)塊的時間僅需2ms。每個區(qū)塊的耐擦寫能力為100,000次，數(shù)據(jù)保存期限為10年。

新器件還包含"無需介意芯片激活"功能，可簡化微控制器的接口設(shè)計，同時能簡化NAND閃存與NOR閃存、SRAM等內(nèi)存的整合過程。另外，制造商在器件出廠前可以設(shè)定一個唯一的器件ID序列號，用戶利用一個用戶可編程序列號可以提高目標應(yīng)用的安全功能。

NAND128W3A2BN6E 已開始量產(chǎn)，價格區(qū)間在4美元到4.5美元之間，封裝為TSOP48無鉛封裝，工作溫度范圍-40 到 +85攝氏度。