
本文著重介紹三個(gè)IGBT驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路的作用是將單片機(jī)輸出的脈沖進(jìn)行功率放大,以驅(qū)動(dòng)IGBT,保證IGBT的可靠工作,驅(qū)動(dòng)電路起著至關(guān)重要的作用
使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優(yōu)秀的,作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。
LED電源電路大多是由開關(guān)電源電路+反饋電路這樣的形式構(gòu)成,反饋電路從負(fù)載處取樣后對開關(guān)電路進(jìn)行脈沖的占空比調(diào)整或頻率調(diào)整,以達(dá)到控制開關(guān)電路輸出的目的。
繼電器的繼電特性繼電器的輸入信號(hào) x 從零連續(xù)增加達(dá)到銜鐵開始吸合時(shí)的動(dòng)作值 xx,繼電器的輸出信號(hào)立刻從 y=0 跳躍y=ym,即常開觸點(diǎn)從斷到通。一旦觸點(diǎn)閉合,輸入量 x 繼
按使用環(huán)境可以分為室內(nèi)LED顯示屏和室外LED顯示屏。室內(nèi)LED顯示屏的特點(diǎn)是視角大、屏幕亮度適中、密度高、重量輕、適合較近距離觀看;室外LED顯示屏的特點(diǎn)是混色距離遠(yuǎn)、屏幕亮度高、防水和抗紫外線能力強(qiáng)。
霍爾元件可用多種半導(dǎo)體材料制作,如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多層半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)量子阱材料等等。霍爾器件具有許多優(yōu)點(diǎn),它們的結(jié)構(gòu)牢固,體積小,重量輕,壽命
繼電器是一種電子控制器件,它具有控制系統(tǒng)(又稱輸入回路)和被控制系統(tǒng)(又稱輸出回路),通常應(yīng)用于自動(dòng)控制電路中,它實(shí)際上是用較小的電流去控制較大電流的一種“自動(dòng)
摘要:基于增強(qiáng)對地鐵控制中心事故報(bào)警事件的處理,采用了事故報(bào)警處理器,實(shí)時(shí)顯示室內(nèi)溫度,設(shè)定報(bào)警間隔,并記錄報(bào)警時(shí)間,為不同的報(bào)警時(shí)段采取相應(yīng)的應(yīng)急措施提供了依
如圖是橋式傳感器的驅(qū)動(dòng)電路。電路中,A1為恒流輸出電路,恒流值由UZ(VD1的穩(wěn)電壓)和(R(RP1)+R2)決定,它為橋式傳感器(由RA一RD構(gòu)成的橋式電路)提供恒流偏置。由A2一A4構(gòu)成
1 變頻器故障判斷及處理1.1 逆變功率模塊的損壞1.1.1 判斷逆變功率模塊主要有IGBT、IPM 等,檢查外觀是否已炸開,端子與相連印制板是否有燒蝕痕跡。用萬用表查C-E、G-C、G-
繼電器是一種電子控制器件,它具有控制系統(tǒng)(又稱輸入回路)和被控制系統(tǒng)(又稱輸出回路),通常應(yīng)用于自動(dòng)控制電路中,它實(shí)際上是用較小的電流去控制較大電流的一種“自動(dòng)
電路由Q2、R3、C3等組成。剛接通電源時(shí),C3等效于短路,電源經(jīng)R3、Q2的be結(jié)、C3到地,Q2飽和導(dǎo)通,A點(diǎn)被拉到低電位,Q1因沒有基極電流而截止,LED不發(fā)光。
所謂 H 橋驅(qū)動(dòng)電路是為了直流電機(jī)而設(shè)計(jì)的一種常見電路,它主要實(shí)現(xiàn)直流電機(jī)的正反向驅(qū)動(dòng)
恒流源由信號(hào)源和電壓控制電流源(VCCS)兩部分組成。正弦信號(hào)源采用直接數(shù)字頻率合成(DDS)技術(shù),即以一定頻率連續(xù)從EPROM中讀取正弦采樣數(shù)據(jù),經(jīng)D/A轉(zhuǎn)換并濾波后產(chǎn)生EIT所需的正弦信號(hào)。
如圖所示的是HA7666P/TA7667P構(gòu)成兩條5點(diǎn)LED顯示驅(qū)動(dòng)電路。
逆變器的驅(qū)動(dòng)電路,它主要由互補(bǔ)推挽輸出電路(由兩個(gè)極性不同的晶體管組成)Q3、場效應(yīng)晶體管Q2、電感器LJ、二極管Dl、D2等組成。
1引言隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,特別是IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor,絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET (Metallic oxide semiconductor field effecttransistor,金屬
設(shè)計(jì)高性能的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路是安全使用IGBT的關(guān)鍵技術(shù).日本FUJI公司的EXB841芯片是一種典型的適用于300A以下IGBT的專用驅(qū)動(dòng)電路,具有單電源、正負(fù)偏壓、過流檢測、保護(hù)、軟
本文在分析了IGBT驅(qū)動(dòng)條件的基礎(chǔ)上介紹了幾種常見的IGBT驅(qū)動(dòng)電路,設(shè)計(jì)了一種基于光耦HCPL-316J的IGBT驅(qū)動(dòng)電路。實(shí)驗(yàn)證明該電路具有良好的驅(qū)動(dòng)及保護(hù)能力。絕緣門極雙極型晶
近年來,世界經(jīng)濟(jì)形勢和能源發(fā)展格局發(fā)生了較大變化,各國都關(guān)心著能源問題,擔(dān)心常規(guī)能源的大量使用會(huì)威脅到人類的生存環(huán)境。為貫徹可持續(xù)發(fā)展,許多國家在新能源的開發(fā)利用上投入了大量的人力物力,21世紀(jì)將進(jìn)入以