盡管當(dāng)前最新的一代移動(dòng)芯片仍基于 10 納米工藝制程,但三星宣布早已經(jīng)準(zhǔn)備好了 7 納米 LPP 工藝,2018 年下半年就可以基于此全新工藝生產(chǎn)更小、更低功率的芯片。三星是在其一年一度的 Samsung Foundry Forum 會(huì)議上
智能手機(jī)處理器的線寬越來越小,意味著處理器性能越來越強(qiáng)大,耗電越來越低,不過芯片制造成本也就越高。受到成本因素限制,明年可能只有三星電子和蘋果兩家采用7納米處理器,其他處理器制造商可能繼續(xù)沿用成本比較低的現(xiàn)有工藝技術(shù)。
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,供應(yīng)鏈透露,臺(tái)積電憑借7納米制程的優(yōu)良性能,獨(dú)家獲得蘋果下一代處理器A12的代工訂單。
韓媒報(bào)導(dǎo),三星華城廠的18號(hào)線原定明年動(dòng)工,如今三星決定提前至今年11月破土。18號(hào)線的建筑面積為40,536平方公尺,總樓面面積為298,114平方公尺。投資金額為6兆韓圜(54億美元),預(yù)定2019年下半完工,生產(chǎn)存儲(chǔ)器以外的半導(dǎo)體產(chǎn)品。
臺(tái)積電、高通(Qualcomm)是全球少數(shù)可以投入7納米以下高端制程的半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)航者,高通技術(shù)授權(quán)事業(yè)工程技術(shù)副總Sudeepto Roy表示,與臺(tái)積電近10年來的合作從65納米開始,會(huì)一直走到FinFET制程世代。業(yè)界對(duì)此解讀為高通在7納米世代將重回臺(tái)積電生產(chǎn),在延續(xù)摩爾定律的艱鉅道路上,臺(tái)積電絕對(duì)是高通更值得信任的合作伙伴。
據(jù)報(bào)道,晶圓代工龍頭臺(tái)積電加快7納米與中國南京廠布局腳步,董事會(huì)核準(zhǔn)955.54億元資本預(yù)算案,擴(kuò)充先進(jìn)制程設(shè)備、特殊制程產(chǎn)能及先進(jìn)制程研發(fā),臺(tái)積電7納米2018年量產(chǎn),業(yè)界預(yù)估,一推出將快速搶得市占率先機(jī),包括高通都將重回臺(tái)積懷抱,不給對(duì)手三星一絲機(jī)會(huì)。
格芯今日宣布推出其具有7納米領(lǐng)先性能的(7LP)FinFET半導(dǎo)體技術(shù),其40%的跨越式性能提升將滿足諸如高端移動(dòng)處理器、云服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)用的需求。設(shè)計(jì)套件現(xiàn)已就緒,
過去幾年,對(duì)于最新芯片制造工藝蘋果的態(tài)度相當(dāng)積極,在與臺(tái)積電的合作中,不僅第一批推出 20 納米工藝制程芯片,而且在 16 納米工藝節(jié)點(diǎn)同樣保持領(lǐng)先。
三星、臺(tái)積電 10 納米技術(shù)量產(chǎn),7 納米制程戰(zhàn)火持續(xù)升高!而且隨著關(guān)鍵的微影技術(shù)來到瓶頸,7 納米制程技術(shù)也變成新一輪制程技術(shù)的關(guān)鍵之戰(zhàn)。
比利時(shí)微電子(IMEC)在2016國際電子元件會(huì)議(IEEE International Electron Devices Meeting ; IEDM)中首度提出由硅納米線垂直堆疊的環(huán)繞式閘極(GAA)金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFETs)的CMOS集成電路,其關(guān)鍵技術(shù)在于雙功率金屬閘極,使得n型和p型裝置的臨界電壓得以相等,且針對(duì)7納米以下技術(shù)候選人,IMEC看好環(huán)繞式閘極納米線電晶體(GAA NWFET)會(huì)雀屏中選。 比利時(shí)微電子研究中心與全球許多半導(dǎo)體大廠、系統(tǒng)大廠均為先進(jìn)制程和創(chuàng)新技術(shù)
有鑒于16納米技術(shù)可能過時(shí),而10納米又為期不長,Nvidia選擇直接晉升7納米并不無道理。再者,臺(tái)積電7納米制程將在2018年上半年導(dǎo)入量產(chǎn),除非Nivida急于在此前推出Volta世代芯片,否則采用7納米對(duì)于芯片效能與競爭力可能較為有利。