歐洲最大半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾控股公司(ASML Holding NV NL-ASML)預(yù)估第1季營收低于預(yù)期,并表示獲利能力將受到下一代極紫外光(EUV)系統(tǒng)訂單的箝制。艾司摩爾今天在聲明稿中指出,預(yù)期2014年前3個月銷售凈額約14
1月22日消息,奇虎360(NYSE:QIHU)今日公布了公司董事會董事人選的變動消息。涂鴻川因個人原因從董事會離職,立即生效。李曙君因個人原因向董事會提交辭呈,他將與2014年5月1日公司提交20-F文件后辭職。銀湖投資集團
全球最大的半導(dǎo)體制造設(shè)備供應(yīng)商荷蘭ASML今天重申,極紫外(EUV)光刻技術(shù)將在2015年如期投入商用,各大半導(dǎo)體廠商都在摩拳擦掌。ASML首席執(zhí)行官兼總裁Peter Wennink公開表示:“NXE:3300B極紫外光刻掃描儀的整合
訊:臺灣最重要的年度并購活動, 2013“臺灣并購金鑫獎”頒獎典禮暨并購實務(wù)研討會28日登場!將頒發(fā)“年度最具代表性獎”,由“聯(lián)發(fā)科并購晨星”、“國泰世華參股柬埔寨銀
臺灣最重要的年度并購活動, 2013「臺灣并購金鑫獎」頒獎典禮暨并購實務(wù)研討會今(28)日登場!將頒發(fā)「年度最具代表性獎」,由「聯(lián)發(fā)科并購晨星」、「國泰世華參股柬埔寨銀行」、「中鋼參股ArcelorMittal」、「美光
據(jù)外媒electronicsweekly報道,為實現(xiàn)歐盟副總裁委員NeelieKroes的目標(biāo),歐洲領(lǐng)導(dǎo)人集團(ELG)計劃到2020年提高歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)能,達到全球半導(dǎo)體產(chǎn)值的20%。當(dāng)歐洲三大半導(dǎo)體公司——意法半導(dǎo)體(ST)、英飛凌(Infine
據(jù)外媒electronicsweekly報道,為實現(xiàn)歐盟副總裁委員Neelie Kroes的目標(biāo),歐洲領(lǐng)導(dǎo)人集團(ELG)計劃到2020年提高歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)能,達到全球半導(dǎo)體產(chǎn)值的20%。當(dāng)歐洲三大半導(dǎo)體公司——意法半導(dǎo)體(ST)、英飛凌
艾司摩爾(ASML)與比利時微電子研究中心(IMEC)合作案再添一樁。雙方將共同設(shè)立先進曝光中心(Advanced Patterning Center, APC),助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突破10奈米(nm)以下先進奈米曝光制程技術(shù)關(guān)卡,讓微影(Lithography)技術(shù)
艾司摩爾(ASML)與比利時微電子研究中心(IMEC)合作案再添一樁。雙方將共同設(shè)立先進曝光中心(Advanced Patterning Center, APC),助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突破10奈米(nm)以下先進奈米曝光制程技術(shù)關(guān)卡,讓微影(Lithography)技術(shù)
艾司摩爾(ASML)與比利時微電子研究中心(IMEC)合作案再添一樁。雙方將共同設(shè)立先進曝光中心(Advanced Patterning Center, APC),助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突破10奈米(nm)以下先進奈米曝光制程技術(shù)關(guān)卡,讓微影(Lithography)技術(shù)
半導(dǎo)體的發(fā)展隨著摩爾定律(Moore’s Law)演進,雖然是關(guān)關(guān)難過但還是關(guān)關(guān)過,其中在制程技術(shù)上,主要瓶頸在微影制程的要求不斷提高,目前主流曝光技術(shù)是采用波長193奈米(nm)的浸潤式曝光(Immersion)技術(shù);然而,進入
全球兩大半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商──美商應(yīng)用材料公司(Applied Materials Inc.)與日本東京威力科創(chuàng)公司(Tokyo Electron Ltd.;TEL)日前宣布達成合并協(xié)議,雙方將攜手共創(chuàng)半導(dǎo)體和顯示器制造技術(shù)的新企業(yè),透過股份轉(zhuǎn)換方式
微影設(shè)備大廠ASML積極提升極紫外線(EUV)機臺技術(shù)的生產(chǎn)效率,在2012年購并光源供應(yīng)商Cymer后,大幅提升光源效率,從2009年至今光源效率分別為2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦,2012年提升至20瓦,目前已達55瓦,每
微影設(shè)備大廠ASML積極提升極紫外線(EUV)機臺技術(shù)的生產(chǎn)效率,在2012年購并光源供應(yīng)商Cymer后,大幅提升光源效率,從2009年至今光源效率分別為2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦,2012年提升至20瓦,目前已達55瓦,每
極紫外光(EUV)微影技術(shù)將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)在半導(dǎo)體制程邁入1x奈米節(jié)點后將面臨物理極限,遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓
極紫外光(EUV)微影技術(shù)將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)在半導(dǎo)體制程邁入1x奈米節(jié)點后將面臨物理極限,遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓
極紫外光(EUV)微影技術(shù)將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)在半導(dǎo)體制程邁入1x奈米節(jié)點后將面臨物理極限,遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓
臺積電28納米制程預(yù)定第4季減產(chǎn),也使臺積電有更多的資源及人力投入20納米及16納米等先進制程建置腳步,設(shè)備端感受到來自臺積電的先進制程設(shè)備訂單仍然強勁,但28納米制程相關(guān)耗材及設(shè)備將受影響。 臺積電強調(diào),今
在日前于美國舊金山舉行的 Semicon West 半導(dǎo)體設(shè)備展上,仍在開發(fā)中的超紫外光(EUV)微影技術(shù)又一次成為討論焦點;歐洲微電子研究機構(gòu)IMEC總裁暨執(zhí)行長Luc Van den Hove在一場座談會中表示:「EUV仍然是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界
其實在我求職期間,就已經(jīng)萌發(fā)了在找到工作后寫一份求職經(jīng)歷總結(jié)的想法,所以我完完整整的保留了求職三個多月來的所有資料,使我能對這段經(jīng)歷做詳細(xì)到位的總結(jié)。也希望你能從我的這段真實經(jīng)歷中學(xué)到一點經(jīng)驗,少走彎