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應對高速DDR5模組的設計挑戰(zhàn)，Rambus推出DDR5串行檢測集線器和溫度傳感器
在DDR4出現(xiàn)十年之后，DDR5翩翩來遲。作為十年之久的換代，DDR5的設計上實現(xiàn)了諸多突破：新的通道設計、片內(nèi)ECC、片上PMIC、更多溫度傳感器乃至插槽缺口的位移等。新的設計規(guī)范和標準，讓內(nèi)存容量、帶寬和傳輸速率得以大幅提升，但同時新的標準使得內(nèi)存條的設計復雜度增加。
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新一代DDR5 DIMM的五大亮點
下一代服務器內(nèi)存展望
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美光 DDR5 使內(nèi)存密度翻倍，并同時提升可靠性
DR5 RDIMMs 作為內(nèi)存技術的全球領導品牌，美光在設計、制造、交付及向全球合作伙伴和客戶提供支持方面擁有 40 多年的專業(yè)積淀。美光的 DDR5 SDRAM 產(chǎn)品組合采用了比以往更
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美光DDR5實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心性能的進一步提升
DDR5 RDIMMs賦能下一代服務器平臺，應對云、企業(yè)端、高性能計算和人工智能應用環(huán)境中的激增數(shù)據(jù)
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提高存儲器子系統(tǒng)效率的三種方法
行業(yè)專家認為，對于一個典型的大型數(shù)據(jù)中心而言，其50億美元成本的80%左右會用在設備的機械和電子基礎設施上。對于數(shù)據(jù)中心服務器，高功率密度的原因之一在于存儲器子系統(tǒng)。
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提高存儲器子系統(tǒng)效率的三種方法
行業(yè)專家認為，對于一個典型的大型數(shù)據(jù)中心而言，其50億美元成本的80%左右會用在設備的機械和電子基礎設施上。對于數(shù)據(jù)中心服務器，高功率密度的原因之一在于存儲器子系統(tǒng)。
