CES，拉斯維加斯，2020年1月9日—Micron Technology,Inc.今日宣布采用行業(yè)領(lǐng)先的1z納米制程的DDR5寄存型DIMM(RDIMM)已開始出樣。DDR5是迄今為止技術(shù)上最為先進(jìn)的DRAM，其內(nèi)存性能提升至少85%，從而應(yīng)對下一代服務(wù)器負(fù)載。如今數(shù)據(jù)中心的系統(tǒng)架構(gòu)正在提供日益增多的處理器核心數(shù)、以及更大的內(nèi)存帶寬與容量，而DDR5使內(nèi)存密度翻倍，并同時(shí)提升可靠性。

“幾乎所有應(yīng)用環(huán)境的數(shù)據(jù)都在激增，數(shù)據(jù)中心從負(fù)載的工作中挖掘價(jià)值的挑戰(zhàn)越來越大，”美光科技計(jì)算和網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品事業(yè)部高級副總裁兼總經(jīng)理Tom Eby表示，“更高性能、更高密度和更優(yōu)質(zhì)的內(nèi)存是應(yīng)對這些負(fù)載的關(guān)鍵所在。美光出樣DDR5RDIMM是一項(xiàng)重大進(jìn)展，幫助業(yè)界進(jìn)一步提升了下一代以數(shù)據(jù)為核心的應(yīng)用價(jià)值。”

快速增多的數(shù)據(jù)集和計(jì)算密集型應(yīng)用環(huán)境產(chǎn)生了更高要求的工作負(fù)載，進(jìn)而帶來處理器核心數(shù)的增長，但目前的DRAM技術(shù)無法滿足帶寬需求。相較于DDR4，DDR5性能提升逾1.85倍。DDR5還實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心所需要的可靠性、可用性和可服務(wù)性(RAS)。

作為內(nèi)存技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)品牌，美光在設(shè)計(jì)、制造、交付及向全球合作伙伴和客戶提供支持方面擁有40多年的專業(yè)積淀。美光的DDR5SDRAM產(chǎn)品組合采用了比以往更高的標(biāo)準(zhǔn)。