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DRAM

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  • 五大趨勢，2011年DRAM市場走低

    2011年DRAM市場將會是什么景況？以下是投資銀行BarclaysCapital分析師C.J.Muse收集產(chǎn)業(yè)界各方消息所歸納出的五項發(fā)展趨勢：1.DRAM市場走下坡Muse表示，2011年NAND市場前景不錯，但DRAM市場可能相反；主要是因為平板電

  • DRAM跌破臺商成本 爾必達(dá)二度聯(lián)臺抗韓

    爾必達(dá)（Elpida）社長坂本幸雄已于本月6日、7日在臺洽談以瑞晶為控股公司，與力晶、茂德統(tǒng)合經(jīng)營。不過力晶否認(rèn)與爾必達(dá)有此接觸，稱僅透過三方協(xié)商方式，恢復(fù)瑞晶對力晶的供貨，當(dāng)前首要目標(biāo)是全力轉(zhuǎn)進(jìn)DDR32Gb制造并

  • iSuppli：2011年DRAM需求量將面臨嚴(yán)重下滑

    據(jù)外國媒體報道，業(yè)內(nèi)分析師警告稱，經(jīng)過幾年繁榮的發(fā)展之后，今年DRAM廠商面臨著需求的嚴(yán)重下滑?；谀壳暗臄?shù)字，iSuppli 預(yù)測DRAM全球平均銷售價將會下降到了$35.5bn，與去年相比下降11.8%。該研究公司警告，在未

  • 臺積電12寸晶圓廠最新規(guī)劃概況

    臺積電昨（12）日宣布，以29億元買下力晶竹科三五路興建中的12寸晶圓廠房，做為20奈米以下先進(jìn)制程的新基地。力晶29億元落袋，可提升現(xiàn)金部位，抵抗DRAM市況寒冬。市場原估計交易金額逾30億元，實際以29億元成交。外

  • OCZ宣布退出DRAM業(yè)務(wù) 專注SSD

    存儲解決方案廠商OCZ Technology近日宣布，它們將退出DRAM產(chǎn)品的業(yè)務(wù)，專注于固態(tài)硬盤（SSD）產(chǎn)品的研發(fā)和銷售。OCZ一直以高端的DRAM/內(nèi)存產(chǎn)品而聞名于業(yè)界，雖然近年來已經(jīng)擴大其產(chǎn)品線例如冷卻裝置和電源產(chǎn)品等，但

  • 臺積花29億元 買力晶竹科12寸廠

    臺積電昨（12）日宣布，以29億元買下力晶竹科三五路興建中的12寸晶圓廠房，做為20奈米以下先進(jìn)制程的新基地。力晶29億元落袋，可提升現(xiàn)金部位，抵抗DRAM市況寒冬。市場原估計交易金額逾30億元，實際以29億元成交。外

  • DRAM價格再次跌破臺灣制造商成本 傳坂本幸雄二度來臺撮合聯(lián)臺抗韓

    根據(jù)外電報導(dǎo)，爾必達(dá)（Elpida）社長坂本幸雄已于本月6日、7日在臺洽談以瑞晶為控股公司，與力晶、茂德統(tǒng)合經(jīng)營。不過力晶否認(rèn)與爾必達(dá)有此接觸，稱僅透過三方協(xié)商方式，恢復(fù)瑞晶對力晶的供貨，當(dāng)前首要目標(biāo)是全力轉(zhuǎn)

  • DRAM價格再次跌破臺灣制造商成本 傳坂本幸雄二度來臺撮合聯(lián)臺抗韓

    根據(jù)外電報導(dǎo)，爾必達(dá)（Elpida）社長坂本幸雄已于本月6日、7日在臺洽談以瑞晶為控股公司，與力晶、茂德統(tǒng)合經(jīng)營。不過力晶否認(rèn)與爾必達(dá)有此接觸，稱僅透過三方協(xié)商方式，恢復(fù)瑞晶對力晶的供貨，當(dāng)前首要目標(biāo)是全力轉(zhuǎn)

  • 爾必達(dá) 將結(jié)盟力晶茂德

    日本讀賣新聞9日報導(dǎo)，日本記憶體大廠爾必達(dá)（Elpida）與臺灣兩家晶片制造商力晶科技和茂德科技，已進(jìn)入結(jié)盟的最后階段談判，可望達(dá)成全面性的業(yè)務(wù)整合協(xié)議。力晶表示，目前并未針對結(jié)盟進(jìn)行接觸；茂德則不愿評論。日

  • 半導(dǎo)體業(yè)2011年將呈現(xiàn)先低后高走勢

    2010年半導(dǎo)體市況呈現(xiàn)「先高后低」的走勢，然2011年將會回到上低下高趨勢。主要DRAM記憶體產(chǎn)品DDR3平均固定交易價格2010年上半至年中為止維持上升走勢，并于5月達(dá)到頂點2.72美元。然由于電腦等成品銷售情況不甚理想，

  • 封測三雄 淡月造江山

    封測三雄日月光(2311)、矽品(2325)、力成(6239)結(jié)算12月營收亮麗，其中日月光、力成更是在淡月中刷新猷，矽品也逆勢月增3.4%，三雄去年第四季淡季不淡，搭配昨晚美國半導(dǎo)體指數(shù)大漲利多，激勵今日封測三雄早盤股價有

  • 力晶閃電與瑞晶復(fù)合　供貨以2Gb DDR3為主

    臺系DRAM大廠力晶與瑞晶之間的停止供貨事件6日出現(xiàn)大轉(zhuǎn)變，力晶正式與瑞晶和爾必達(dá)(Elpida)協(xié)商成功，開始恢復(fù)向瑞晶拿貨，且以目前力晶手上最缺的2Gb容量DDR3晶片為主，之前欠瑞晶的債款未來也會分期償還，借此行動

  • 房地產(chǎn)收入挹注　日月光12月集團(tuán)營收創(chuàng)新高

    李洵穎／臺北 2大封測廠日月光、力成6日相繼公告2010年12月合并營收，皆創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄。日月光單月集團(tuán)營收在房地產(chǎn)銷售收入挹注下，實績月增率達(dá)16%，惟封測業(yè)務(wù)營收則與上月相當(dāng)；力成則以0.12%些微差距刷新單月歷

    模擬
    2011-01-07
    Flash NAND MOBILE DRAM

  • 臺系DRAM廠商還能熬過2011年嗎？

    DRAM市場“又”開始走下坡；在上一次的下坡路段，臺灣地區(qū)DRAM廠商僥幸存活，但這一次恐怕沒有那么幸運。其中南亞科(Nanya Technology)因為有個“富爸爸”，盡管仍然持續(xù)虧損，應(yīng)該能存活；力晶

  • 三星首推DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存

    三星電子今天宣布，已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開發(fā)，并采用30nm級工藝制造了首批樣品。 時至今日，DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范仍未最終定奪。三星這條樣品屬于UDIMM類型，容量為2GB，運行電壓只有1.2

  • DDR4 DRAM內(nèi)存芯片速度將提升一倍

    三星電子星期二稱，它已經(jīng)開發(fā)出了一種新的計算機內(nèi)存模塊，讀寫數(shù)據(jù)的速度是上一代內(nèi)存芯片的一倍。三星電子在聲明中稱，它將在2012年開始使用30納米級的技術(shù)生產(chǎn)這種新的DDR4 DRAM內(nèi)存模塊。目前DRAM內(nèi)存行業(yè)的主流

  • 臺系DRAM廠商還能熬過2011年嗎？

    DRAM市場“又”開始走下坡；在上一次的下坡路段，臺灣地區(qū)DRAM廠商僥幸存活，但這一次恐怕沒有那么幸運。其中南亞科(NanyaTechnology)因為有個“富爸爸”，盡管仍然持續(xù)虧損，應(yīng)該能存活；力晶半導(dǎo)體(PowerchipSemic

  • 半導(dǎo)體業(yè)2011年預(yù)測

    2010年半導(dǎo)體市況呈現(xiàn)「先高后低」的走勢，然2011年將會回到上低下高趨勢。主要DRAM記憶體產(chǎn)品DDR3平均固定交易價格2010年上半至年中為止維持上升走勢，并于5月達(dá)到頂點2.72美元。然由于電腦等成品銷售情況不甚理想，

  • 海力士導(dǎo)入30納米級DRAM制程

    海力士緊跟三星電子之后，將把DRAM的生產(chǎn)制程轉(zhuǎn)換為30納米級制程。海力士29日宣布，已開發(fā)出2款計算機用DRAM產(chǎn)品，將首度采用30納米級制程量產(chǎn)。據(jù)海力士表示，計劃采用38納米制程生產(chǎn)4Gb和2Gb 2種產(chǎn)品，2011年第1季

  • 2010年DRAM廠成績

    2010年DRAM產(chǎn)業(yè)虎頭蛇尾，年初報價大漲至1顆DDR3報價達(dá)3美元，但年底卻跌到1美元；但以獲利來看，2010年只有力晶和瑞晶有賺錢，南亞科、華亞科和茂德都是持續(xù)賠錢，南亞科和華亞科是因為制程轉(zhuǎn)換之故，沒有掌握到年初